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Title
Flexible Hochbarriereelektrode
Date Issued
2005
Author(s)
Fahland, M.
Charton, C.
Schiller, N.
Rank, R.
Patent No
2003-10357403
Abstract
Die Erfindung umfasst ein flexibles, transparentes und elektrisch leitfaehiges Schichtsystem, bestehend aus einem folienartigen Substrat (1), welches auf einer ersten Seite mindestens eine erste dielektrische Schicht (2) und eine zweite dielektrische Schicht (4) aufweist, wobei die erste dielektrische Schicht (2) und die zweite dielektrische Schicht (4) mindestens eine Metallschicht (3) einschliessen, wobei die erste dielektrische Schicht (2) mindestens drei mal so dick ist wie die zweite dielektrische Schicht (4) und die erste dielektrische Schicht (2) aus einem Material besteht, das eine besonders hohe Wasserdampfbarriere aufweist.
DE 10357403 A UPAB: 20050823 NOVELTY - The flexible high barrier electrode, especially as an organic light diode, is a flexible and transparent and electrically conductive layer system. It has a plastics film substrate (1) with at least two dielectric layers (2,4) on one side, where the first layer which can be of Si3N4 and in a thickness of 150-250 nm which is at least three times the thickness of the second layer over it. The dielectric layers flank a metal layer (3) in a thickness of 8-10 nm. The first dielectric layer is of a material which acts as a high barrier against water vapor. The other side of the substrate is covered by at least one anti-reflection layer (5,6). USE - The multi-layer structure is for an organic light diode and solar cells. ADVANTAGE - The structure gives an inexpensive, transparent and flexible electrode, with long-term stability and good barrier characteristics.
Language
de
Patenprio
DE 2003-10357403 A: 20031209