Fraunhofer-Gesellschaft

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Schneller Photoleiter

Fast Photoconductor
 
: Sartorius, B.; Kuenzel, H.; Roehle, H.; Biermann, K.

DE 102007012475 A1: 20070315
German
Patent
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Ein Photoleiter mit einem Schichtstapel mit einer für einen vorbestimmten Wellenlängenbereich photoleitenden Halbleiterschicht zwischen zwei Halbleitergrenzschichten mit einem grösseren Bandabstand als die photoleitende Halbleiterschicht auf einem Substrat, wobei die Halbleitergrenzschichten tiefe Störstellen zum Einfangen und zur Rekombination von freien Ladungsträgers aus der photoleitenden Halbleiterschicht aufweisen, und zwei Elektroden, die mit der photoleitenden Halbleiterschicht verbunden sind, für einen lateralen Stromfluss zwischen den Elektroden durch die photoleitende Halbleiterschicht, wobei der Schichtstapel als Mesa-Struktur ausgebildet ist mit seitlicher Kontaktierung der photoleitenden Halbleiterschicht durch die Elektroden.

 

A photoconductor having a layer stack with a semiconductor layer photoconductive for a predetermined wavelength range between two semiconductor boundary layers with a larger band gap than the photoconductive semiconductor layer on a substrate, wherein the semiconductor boundary layers have deep impurities for trapping and recombining free charge carriers from the photoconductive semiconductor layer, and two electrodes connected to the photoconductive semiconductor layer, for lateral current flow between the electrodes through the photoconductive semiconductor layer.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-296504.html