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Title
Verfahren und Vorrichtung zur grossflaechigen Herstellung von Solarzellen
Date Issued
2004
Author(s)
Patent No
2003-10311893
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-Duennschichtsolarzellen, bei dem die Manteloberflaeche eines zylindrischen Siliziumkristalls (1) behandelt wird und eine an der behandelten Manteloberflaeche liegende Schicht (2) auf ein Substrat (3) uebertragen wird. Dabei wird die Manteloberflaeche vorzugsweise durch Eintauchen in ein elektrochemisches Bad poroes und anschliessend getempert. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Herstellung von Silizium-Duennschichtsolarzellen, bei der Mittel vorgesehen sind, einen zylindrischen Siliziumkristall (1) drehbar zu lagern, die Manteloberflaeche des Siliziumkristalls (1) chemisch, vorzugsweise elektrochemisch, zu behandeln, sowie Mittel, die an der Manteloberflaeche liegende Schicht (2) auf ein Substrat (3) zu uebertragen.
DE 10311893 B UPAB: 20041112 NOVELTY - Production of a silicon thin layer solar cell comprises treating the casing surface of a cylindrical silicon crystal (1) to form a boundary layer (4) and transferring an outer layer (2) lying on the casing surface onto the substrate (3) by rolling the silicon crystal against the substrate. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device for producing a silicon crystal thin layer solar cell. USE - Used in the production of a silicon thin layer solar cell. ADVANTAGE - The process requires only a small amount of energy.
Language
de
Patenprio
DE 2003-10311893 A: 20030318