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Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflaechen

Reducing the reflection on semiconductor surfaces in the manufacture of semiconductor substrates for solar cells comprises subjecting regions to dry chemical etching, in which the aspect ratio of recesses is obtained.
 
: Schneiderloechner, E.; Rentsch, J.; Preu, R.

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DE 2003-10352423 A: 20031110
DE 2003-10352423 A: 20031110
DE 10352423 B3: 20050105
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflaechen, bei dem ein oder mehrere Bereiche der Halbleiteroberflaeche mit gebuendelter Laserstrahlung so bearbeitet werden, dass reflexionsmindernde Vertiefungen mit einem bestimmten Aspektverhaeltnis in der Halbleiteroberflaeche entstehen, und die ein oder mehreren Bereiche anschliessend einem Aetzprozess unterzogen werden. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass die ein oder mehreren Bereiche einem gerichteten, trockenchemischen Aetzprozess unterzogen werden, durch den das Aspektverhaeltnis der Vertiefungen zumindest erhalten wird. Das Verfahren ermoeglicht eine kostenguenstige Verminderung der Reflexion an Halbleiteroberflaechen, insbesondere an Oberflaechen von Solarzellen.

 

DE 10352423 B UPAB: 20050124 NOVELTY - Process for reducing the reflection on semiconductor surfaces comprises subjecting one or more regions to dry chemical etching, in which the aspect ratio of recesses (5) is obtained. USE - For reducing the reflection on semiconductor surfaces in the manufacture of semiconductor substrates for solar cells, especially photovoltaic cells made from silicon (claimed). ADVANTAGE - The process can be used on an industrial scale.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-28174.html