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Verfahren zum Erzeugen eines Dotierbereiches in einer Halbleiterschicht

METHOD FOR PRODUCING A DOPED REGION IN A SEMICONDUCTOR LAYER
 
: Seiffe, Johannes; Rentsch, Jochen; Hofmann, M.; Trogus, D.; Pillath, F.

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DE 102012203445 A1: 20120305
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines Dotierbereiches in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen einer Dotierschicht auf die Halbleiterschicht, welche Dotierschicht mindestens einen Dotierstoff zum Erzeugen des Dotierbereiches enthält; B Eindiffundieren des Dotierstoffes in die Halbleiterschicht durch Wärmeeinwirkung; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Verfahrensschritt A in einem Verfahrensschritt A0 eine Passivierungsschicht mittelbar oder unmittelbar auf eine Oberfläche der Halbleiterschicht aufgebracht wird, in Verfahrensschritt A die Dotierschicht mittelbar oder unmittelbar auf die Passivierungsschicht aufgebracht wird und in Verfahrensschritt B der Dotierstoff aus der Dotierschicht durch die Passivierungsschicht hindurch in die Halbleiterschicht eingebracht wird, wobei die Passivierungsschicht (4) mittels eines chemischen und/oder physikalischen Verfahrens aufgebracht wird, der Dotierstoff ein Dotierstoff aus der Gruppe Bor, Phosphor, Gallium, Arsen oder Indium ist und die Passivierungsschicht (4); in Verfahrensschritt A0 mit einer Dotierstoffkonzentration kleiner 5 1010 cm-3 und die Dotierschicht in Verfahrensschritt A mit einer Dotierstoffkonzentration grösser 1020 cm-3 ausgebildet wird.

 

The invention relates to a method for producing a doped region in a semiconductor layer, having a method step A, in which a doping layer is applied onto the semiconductor layer, said doping layer containing at least one dopant for producing the doped region, and a method step B, in which the dopant is diffused into the semiconductor layer under the effect of heat. The invention is characterized in that a passivating layer is directly or indirectly applied onto a surface of the semiconductor layer prior to method step A in a method step A0, the doping layer is directly or indirectly applied onto the passivating layer in method step A, and the dopant is introduced from the doping layer into the semiconductor layer through the passivating layer in method step B, wherein the passivating layer (4) is applied by means of a chemical and/or physical method; the dopant is a dopant of the group consisting of boron, phosphorus, gallium, arsenic, or indium; the passivating layer (4) is formed with a dopant concentration less than 5x1019 cm-3 in method step A0; and the doping layer is formed with a dopant concentration greater than 1020 cm-3 in method step A.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-270955.html