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Title
Halbleiterbauelement mit einer orienterten Schicht und Verfahren zu seiner Herstellung
Date Issued
2012
Patent No
102012203421
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren (50) zur Herstellung einer orientierten Schicht (12) auf einem Substrat (10), wobei die Schicht (12) zumindest einen Verbindungshalbleiter mit Wurtzit-Struktur enthält oder daraus besteht, wobei auf dem Substrat (10) in einem ersten Verfahrensschritt (52) eine Nukleationsschicht (11) mittels MBE und/oder MOCVD und/oder MOVPE abgeschieden wird und in einem nachfolgenden zweiten Verfahrensschritt (55) die orientierte Schicht (12) mittels eines PVD-Verfahrens abgeschieden wird. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat (10) und einer orientierten Schicht (12), welche zumindest einen Verbindungshalbleiter mit Wurtzit-Struktur enthält oder daraus besteht, wobei zwischen dem Substrat (10) und der orientierten Schicht (12) eine Nukleationsschicht (11) angeordnet ist, welche eine Dicke von etwa 5 nm bis etwa 20 nm aufweist.
The invention relates to a method (50) for producing an oriented layer (12) on a substrate (10), the layer (12) containing or consisting of at least one connecting semiconductor with a wurtzite structure, a nucleation layer (11) being deposited on the substrate (10) during a first method step (52) by means of MBE and/or MOCVD and/or MOVPE and the oriented layer (12) being deposited in a subsequent second method step (55) by means of a PVD process. The invention further relates to a semiconductor element comprising a substrate (10) and an oriented layer (12) that contains or consists of at least one connecting semiconductor with a wurtzite structure, a nucleation layer (11) being arranged between the substrate (10) and the oriented layer (12) and being approximately 5nm to 20nm thick.
Language
de
Patenprio
DE 102012203421 A1: 20120305