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Dünnfilmtransistor

Thin film transistor
 
: Jank, Michael; Teuber, Erik; Lemberger, M.; Huang, J.

:
Frontpage ()

DE 102011085114 A1: 20111024
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IISB ()

Abstract
Ein Dünnfilmtransistor umfasst eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode, eine Steuerelektrode, eine Isolatorschicht und einen Halbleiterdünnfilm, die auf einem Substrat gebildet sind. Die Steuerelektrode grenzt an einer Seite an die Isolatorschicht an, und der Halbleiterdünnfilm grenzt an einer gegenüberliegenden Seite an die Isolatorschicht an. Die erste und die zweite Elektrode grenzen an den Halbleiterdünnfilm an. Durch Variation des Potentials der Steuerelektrode ist ein Kanal in dem Halbleiterdünnfilm ansteuerbar, durch den ein elektrischer Widerstand zwischen der ersten und zweiten Elektrode reduziert wird.; Hierbei ist ein an den Halbleiterdünnfilm angrenzender Abschnitt der ersten Elektrode auf einer dem Substrat zugewandten Seite des Halbleiterdünnfilms angeordnet und ein an den Halbleiterdünnfilm angrenzender Abschnitt der zweiten Elektrode ist auf einer von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterdünnfilms angeordnet. Ferner ist eine Dicke von zumindest einer der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode grösser als die Hälfte der Dicke des Halbleiterdünnfilms.

 

A thin film transistor comprises a first electrode, a second electrode, a control electrode, an insulator layer and a semiconductor thin film configured on a substrate. The control electrode adjoins the insulator layer on one side, and the semiconductor thin film adjoins the insulator layer on an opposite side. The first and second electrodes adjoin the semiconductor thin film. A channel in the semiconductor film through which an electrical resistance between the first and second electrodes is reduced can be controlled by varying the potential of the control electrode. A section of the first electrode adjoining the semiconductor thin film is arranged on a side of the semiconductor thin film facing the substrate, and a section of the second electrode adjoining the semiconductor thin film is arranged on a side of the semiconductor thin film facing away from the substrate. In addition, a thickness of at least the first electrode or the second electrode is greater than half the thickness of the semiconductor film.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-270839.html