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Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle

Method for producing a photovoltaic solar cell
 
: Biro, Daniel; Wolf, Andreas; Scheffler, Daniel; Wotke, Edgar Allen; Mack, Sebastian

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Frontpage ()

DE 102011112043 A1: 20110901
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bereitstellen einer Halbleiterstruktur (4), welche Halbleiterstruktur (4) eine Siliziumschicht umfasst und eine Vorstufe im Herstellungsprozess einer photovoltaischen Halbleiter-Solarzelle ist, B Erzeugen mindestens eines pn-Übergangs in der Halbleiterstruktur (4), C Aufbringen mindestens einer metallischen Kontaktierungsstruktur (1, 6) an einer Kontaktierungsoberfläche der Halbeiterstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterstruktur (4) und D thermische Behandlung durch Temperaturbeaufschlagung zumindest der Halbleiterstruktur (4) und der aufgebrachten Kontaktierungsstruktur (1, 6) für eine Zeitdauer im Bereich 1 Sekunde bis 60 Minuten bei einer Temperatur im Bereich 200 DEG C bis 800 DEG C, welche sich dadurch auszeichnet,; dass in Verfahrensschritt D die thermische Behandlung in einer Gasatmosphäre durchgeführt wird, welche weniger als 15% Sauerstoff und mehr als 1% Wasserdampf aufweist.

 

The invention relates to a method for producing a photovoltaic solar cell, comprising the following method steps: providing a semiconductor structure (4), which semiconductor structure (4) comprises a silicon layer and is a precursor in the production process of a photovoltaic semiconductor solar cell, producing at least one pn junction in the semiconductor structure (4), applying at least one metallic contacting structure (1, 6) to a contacting surface of the semiconductor structure (4) for electrical contracting of the semiconductor structure (4), and thermal treatment by temperature loading of at least the semiconductor structure (4) and the applied contacting structure (1, 6) for a time duration in the range of 1 second to 60 minutes at a temperature in the range of 200 DEG C to 800 DEG C, characterized in that the thermal treatment in method step D is conducted in a gas atmosphere having less than 15% oxygen and more than 1% water vapor.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-270789.html