Fraunhofer-Gesellschaft

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Effiziente Energiewandlung mit GaN-basierter Leistungselektronik

 
: Waltereit, P.; Reiner, R.; Müller, S.; Czap, H.; Mikulla, M.; Ambacher, O.

VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-; VDI/VDE Innovation+Technik, Berlin:
MikroSystemTechnik Kongress 2013. CD-ROM : Von Bauelementen zu Systemen; 14. - 16. Oktober 2013 in Aachen
Berlin: VDE-Verlag, 2013
ISBN: 978-3-8007-3555-6
ISBN: 3-8007-3555-5
pp.320-323
MikroSystemTechnik Kongress <2013, Aachen>
German
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Wir zeigen Ergebnisse von Galliumnitrid-basierten Hochvolttransistoren für die Leistungselektronik. Die statischen und dynamischen Eigenschaften der Transistoren auf Silizium-Substraten werden untersucht. Diese Technologie zeigt Durchbruchspannungen von 1000 V und Ausgangströme von knapp 100 A sowie ein deutlich kleineres Produkt von Einschaltwiderstand und Gateladung als bisherige si-basierte Bauelemente. Dadurch können GaN-Transistoren bei deutlich höheren Taktfrequenzen betrieben werden, was das Gesamtsystem kleiner, leichter und kostengünstiger macht.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-270665.html