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Self-Heating Effects in Nano-Scaled MOSFETs and Thermal-Aware Compact Models for the SOI CMOS Generation of 2015

Selbsterhitzung in nanoskalierten MOSFETs und thermischbewuste Kompaktmodelle für die SOI-CMOS-Generation von 2015
: Burenkov, Alex; Lorenz, Jürgen

Dietrich, M. ; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-; Gesellschaft für Informatik -GI-, Bonn; VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-:
Zuverlässigkeit und Entwurf : 7. ITG/GI/GMM-Fachtagung vom 24. bis 26. September 2013 in Dresden ; mit CD-ROM
Berlin: VDE-Verlag, 2013 (ITG-Fachbericht 244)
ISBN: 978-3-8007-3539-6
Fachtagung Zuverlässigkeit und Entwurf <7, 2013, Dresden>
European Commission EC
Conference Paper
Fraunhofer IISB ()
SOI MOSFET; self-heating; BSIMSOI4; ITRS; thermal aware compact model

The self-heating of MOSFETs scaled according to ITRS specifications for the years 2011 to 2019 is investigated using numerical TCAD simulations. The local warming-up due to self-heating in SOI based transistors can rise the tempera-ture in the active region of such transistors by more than 100 K and must be considered in IC design. To account for thermal effects at the stage of circuit design, thermal-aware BSIMSOI4 compact models were extracted for SOI-MOSFETs from the results of numerical TCAD simulations.