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Title
Transistorschaltung
Date Issued
2004
Author(s)
Sundermeyer, J.
Sauerer, J.
Patent No
2002-10245453
Abstract
Eine Transistorschaltung umfasst einen ersten Emitterfolgertransistor, dessen Emitter mit dem Kollektor eines ersten Stromquellentransistors verbunden ist, wobei die Basis des ersten Emitterfolgertransistors einen Eingang der Schaltung darstellt und die Basis des ersten Stromquellentransistors einen Referenzspannungseingang darstellt. Die Transistorschaltung umfasst ferner einen zweiten Emitterfolgertransistor, dessen Emitter mit dem Kollektor eines zweiten Stromquellentransistors verbunden ist, wobei der Emitter des ersten Stromquellentransistors und die Basis des zweiten Stromquellentransistors derart verschaltet sind, dass die Spannung an der Basis des zweiten Stromquellentransistors von der Spannung am Emitter des ersten Stromquellentransistors abhaengt. Alternativ zu den genannten Bipolartransistoren kann die erfindungsgemaesse Transistorschaltung ferner entsprechend verschaltete Feldeffekttransistoren aufweisen.
Language
de
Patenprio
DE 2002-10245453 A1: 20020927