Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Verfahren und Einrichtung zur plasmaaktivierten Schichtabscheidung durch Kathodenzerstaeubung nach dem Magnetron-Prinzip

Plasma-activated layer deposition process by cathodic sputtering according to the magnetron principle for producing thin layers of metals and metal alloys comprises reducing the absolute value of the magnetic field strength.
 
: Fietzke, F.; Goedicke, K.; Wuensche, T.; Klostermann, H.; Liebig, J.

:
Frontpage ()

DE 2003-10303428 A: 20030129
DE 2003-10303428 A: 20030129
EP 2003-28073 A: 20031209
DE 10303428 A1: 20040805
EP 1473382 A1: 20041103
C23C0014
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer FEP ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur plasmaaktivierten Schichtabscheidung durch Kathodenzerstaeubung nach dem Magnetron-Prinzip, bei dem waehrend der Beschichtung mehrmals eine gezielte Reduzierung des Absolutbetrages der magnetischen Feldstaerke des Magnetron-Magnetfeldes auf einen solchen Wert vorgenommen wird, der eine Verringerung des Entladungsstromes der Magnettronenentladung um mindestens 20% bewirkt.

 

DE 10303428 A UPAB: 20040901 NOVELTY - Plasma-activated layer deposition process by cathodic sputtering according to the magnetron principle comprises reducing the absolute value of the magnetic field strength of a magnetron magnetic field to a value which reduces the discharge flow of the magnetron discharge by at least 20 %. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device for plasma-activated layer deposition. USE - For producing thin layers of metals and metal alloys. ADVANTAGE - The layer properties can be controlled.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-24827.html