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Mikroelektromechanische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

A microelectromechanical arrangement with at least one layer on a substrate, especially a thermoelectric layer on a substrate useful for thermoelectric generators or Peltier effect elements.
 
: Boettner, H.; Schubert, A.; Nurnus, J.; Jagle, M.

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DE 2003-10305411 A: 20030206
DE 2003-10305411 A: 20030206
DE 10305411 A1: 20040826
H01L0023
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IPM ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine mikroelektromechanische Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung mit mindestens einer Schicht auf einem Substrat, insbesondere einer thermoelektrischen Schicht auf einem Substrat, wobei sich der thermische Ausdehnungskoeffizient mindestens einer Schicht und der thermische Ausdehnungskoeffizient des Substrats stark unterscheiden. Erfindungsgemaess ist vorgesehen, dass mindestens eine Schicht (1) mit mindestens einem Spannungsabbaumittel (2) zum gezielten Abbau in der Schicht (1) vorliegender lateraler, mechanischer Spannungen gekoppelt ist. Damit wird eine stressfreie Schicht erreicht bzw. ein stressfreies Aufwachsen moeglich.

 

DE 10305411 A UPAB: 20041001 NOVELTY - A microelectromechanical arrangement with at least one layer on a substrate, especially a thermoelectric layer on a substrate, where the thermal expansion coefficient of at least one layer and that of the substrate are markedly different, where at least one layer (1) is coupled with a stress decreasing agent (2) for the desired decrease in the lateral, mechanical stresses in layer (1). DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for a process for preparation of the arrangement, especially a thermoelectric semiconductor structural element as described above. USE - The arrangement is useful for thermoelectric generators or Peltier effect elements. ADVANTAGE - The arrangement provides a stress-free layer and stress-free growth for layer thicknesses greater than 10 micron.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-24816.html