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Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas durch elektrische Entladung in einem Entladungsraum

Plasma generation method, e.g. for generating soft X-ray radiation used for lithography, involves providing substrate whose boiling point is lower than melting point of carrier material, for generating charge carriers from substrate.
 
: Neff, W.; Jonkers, J.; Bosch, E.; Derra, G.

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DE 2003-10310623 A: 20030310
DE 2003-10310623 A: 20030310
WO 2004-EP2416 A: 20040309
WO 2004-IB611 A: 20040305
DE 10310623 A1: 20040930
H05H0001
C09K0009
H05H0001
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ILT ()

Abstract
Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas durch elektrische Entladung in einem Entladungsraum, der mindestens zwei Elektroden aufweist, wovon mindestens eine aus einem Matrixmaterial bzw. Traegermaterial ausgefuehrt ist, wobei sich zumindest durch den Stromfluss ein erosionsgefaehrdeter Bereich mit einer Verdampfungsstelle bildet. Um ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas durch elektrische Entladung anzugeben, wird vorgeschlagen, dass zumidnest an der Verdampfungsstelle ein Opfersubstrat (38) zugefuehrt wird, dessen Siedepunkt im Entladungsbetrieb unterhalb des Schmelzpunktes des Traegermaterials (30) liegt, so dass bei Stromfluss entstehende Ladungstraeger hauptsaechlich aus dem Opfersubstrat (38) erzeugt werden.

 

WO2004082340 A UPAB: 20041026 NOVELTY - An electrode (10) is formed from a porous carrier material (30), such that an erosion-susceptible region with an evaporation spot is formed on it by the current flow. The boiling point of a substrate (38) at the evaporation spot is below the melting point of the carrier material, such that charge carriers arising in the current flow are generated from the substrate. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for; (1) A plasma generation device; and (2) A method of using the above plasma generation device. USE - For generating plasma used to generate soft X-ray radiation and extreme ultraviolet radiation for extreme ultraviolet (EUV) lithography, and for controlling very high current strength, for high power switches. ADVANTAGE - The novel method provides longer operational life or higher average loading capacity of the electrodes, by using a simple substrate arrangement.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-24800.html