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Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten sowie dotiertes Halbleitersubstrat und Verwendung

Method for doping e.g. p-type semiconductor substrate while manufacturing crystalline silicon solar cell, involves utilizing doped silicon as sources, where doped silicon is provided with part of silicon-, hydrogen-atoms of specified range
: Seiffe, J.; Rentsch, J.; Hofmann, M.

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DE 102011103538 A: 20110607
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung von Halbleitersubstraten, bei dem auf der Vorder- und/oder Rückseite eines Halbleitersubstrates mindestens eine Dotierstoffquelle zumindest bereichsweise abgeschieden wird und eine Hochtemperaturdiffusion des mindestens einen Dotierstoffes in das Halbleitersubstrat erfolgt. Als Dotierstoffquelle wird hierbei dotiertes amorphes Silizium eingesetzt. Ebenso betrifft die Erfindung ein derart dotiertes Halbleitersubstrat sowie die Verwendung von amorphem Silizium als Dotierstoffquelle für die Herstellung von Halbleiterbauelementen.


The method involves partially separating dopant sources on front and/or rear sides of a semiconductor substrate. A high temperature diffusion of a dopant is carried out into the semiconductor substrate, and doped silicon i.e. amorphous, nano-crystalline and/or microcrystalline silicon, is utilized as the dopant sources and provided with a part of silicon-, hydrogen-atoms of about 60 atomic-percent preferably 90 atomic-percent. The separating dopant sources and/or recombinative surface region of the doped semiconductor substrate are removed by a back etching process. The semiconductor substrate is selected from a silicon semiconductor, a germanium semiconductor, a silicon carbide semiconductor, a group of III-V semiconductors and a group of II-VI semiconductor. An independent claim is also included for a doped semiconductor substrate.