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Title
Photovoltaische Solarzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung
Date Issued
2011
Author(s)
Patent No
102011010077
Abstract
Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle zur Umwandlung einfallender elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie, umfassend - mindestens einen in einem Siliziumsubstrat ausgebildeten Basisbereich eines Basisdotierungstyps, - mindestens einen Emitterbereich eines Emitterdotierungstyps, welcher Emitterdotierungstyp ein zu dem Basisdotierungstyp entgegengesetzter Dotierungstyp ist, - mindestens eine metallische Basiskontaktierungsstruktur, welche Basiskontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Basisbereich verbunden ist und - mindestens eine metallische Emitterkontaktierungsstruktur, welche Emitterkontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Emitterbereich verbunden ist, wobei Basisbereich und Emitterbereich derart angeordnet sind, dass sich zwischen Basis- und Emitterbereich zumindest bereichsweise ein pn-Übergang ausbildet.; Wesentlich ist, dass in einem Basisbypassbereich die Basiskontaktierungsstruktur den Emitterbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Basiskontaktierungsstruktur und Emitterbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist und/oder dass in einem Emitterbypassbereich die Emitterkontaktierungsstruktur den Basisbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Emitterkontaktierungsstruktur und Basisbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.
The invention relates to a photovoltaic solar cell for converting incident electromagnetic radiation into electrical energy, comprising at least one base region of a base-doping type, designed in a silicon substrate; at least one emitter region of an emitter-doping type that is of an opposite doping type to the base-doping type; at least one metallic base-contacting structure connected, in an electrically conductive manner, to the base region, and at least one metallic emitter-contacting structure connected, in an electrically conductive manner, to the emitter region, the base region and emitter region being arranged in such a manner that a pn-junction is formed at least in some regions between said base and emitter regions. It is essential that the base-contacting structure overlaps the emitter region in a base-bypass region and that in said overlap region, a diode-like semiconductor contact is designed between the base-contacting structure and the emitter region, said semiconductor contact being designed as a metal semiconductor contact or as a metal-insulator-semiconductor contact, and/or that the emitter-contacting structure overlaps the base region in an emitter-bypass region and that in this overlap region, a diode-like semiconductor contact is designed between the emitter-contacting structure and the base region, said semiconductor contact being designed as a metal semiconductor contact or as a metal-insulator-semiconductor contact. The invention also relates to a method for producing a solar cell.
Language
de
Patenprio
DE 102011010077 A