Fraunhofer-Gesellschaft

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Aluminium-, Titan- und Silizium-basierte Oxidschichten für verschiedene Anwendungen mittels ALD

 
: Krug, M.; Endler, I.; Benner, F.; Dirnstorfer, I.; Müller, J.; Sundqvist, J.; Rose, M.; Jakschik, S.; Weber, J.; Liepack, H.

Europäische Forschungsgesellschaft Dünne Schichten e.V. -EFDS-:
Atomic Layer Deposition - Grundlagen, Anwendungen und künftige Potentiale : Workshop am 07. März 2012 in Dresden; Tagungsband
Dresden: EFDS, 2012
11 pp.
Workshop "Atomic Layer Deposition - Grundlagen, Anwendungen und künftige Potentiale" <2012, Dresden>
German
Conference Paper
Fraunhofer IKTS ()
Atomschichtabscheidung; Prozessentwicklung; Verfahrensbeschreibung; Grundmaterial; Chemisorption; chemische Reaktion; Spülgas; Anlagenkonzept; Anlagenkonstruktion; Gasströmung; Anwendungsgebiet; Solarzelle; Schutzschichtausbildung; Verschleißschutzschicht; Kraftstoffeinspritzung; Aluminiumoxid; Titanoxid; Siliciumoxid; Mischoxid

Abstract
In der Folienpräsentation werden die Grundlage der Atomlagenabscheidung (ALD) , grundlegende Anlagenkonzepte für die ALD sowie Beispielanwendungen dargestellt. Die ALD gehört zu den CVD-Verfahren. Dabei werden zwei oder mehrere Ausgangsstoffe (Precursoren) pulsförmig in den Reaktor eingeleitet, gefolgt von jeweils einem Spülschritt mit Inertgas. Dadurch findet keine Reaktion in der Gasphase statt, sonders der Precursor wird an der Oberfläche chemisorbiert und reagiert mit dem nachfolgenden Precursor. Der Prozess wird unterhalb der Zersetzungstemperatur des Precursors durchgeführt (sonst Übergang zu CVD). Die Schritte können bis zur vollständigen Bedeckung der Oberfläche wiederholt werden, wobei der Prozess selbstbegrenzend ist. Grundlegende Anlagenkonzepte bestehen in sog. Flow-type Reakto ren für eine bzw. mehrere Scheiben. Unterschieden wird zwischen Cross-flow-, Shower head- und Spatial-Anlagen. Beim Cross-flow-Reaktor findet ein horizontaler (langsamer) Gastransport statt, bei Shower-head-Reaktor ein vertikaler, schneller Gastransport. Die Spatial-Anlagen bestehen aus räumlich getrennten Gaszonen mit kontinuierlichen Gasflüssen und einem bewegten Substrat. Dadurch werden höhere Beschichtungsraten erzielt. Realisiert wurden diese Konzepte in den Beschichtungsanlagen IKTS-ALD 300 und ALD 100 (je nach Waferdurchmesser). Als Beispielanwendungen werden Passivierungsschichten für kristalline Si-Solarzellen auf Basis von (Al,Si)O(x) und (AL,Ti)O(x) und Verschleißschutzschichten aus Al2O3 im Inneren von Kraftstoffeinspritzdüsen beschrieben.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-208416.html