Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle

 
: Mack, S.; Jäger, U.; Wolf, A.; Biro, D.; Preu, R.; Kästner, G.

:
Frontpage ()

DE 102010024309 A
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Texturieren einer Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates, welches dotiert ist mit einem Basisdotierungstyp, B Erzeugen mindestens einer selektiven Dotierstruktur an der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Vorderseite (2) mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) mit einem ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich jeweils mit einem Emitterdotierungstyps, welcher entgegengesetzt zu dem Basisdotierungstyp ist,; ausgebildet werden und der Hochdotierbereich mit einem niedrigeren Querleitungswiderstand ausgebildet wird als der Niedrigdotierungsbereich und C Aufbringen mindestens einer metallischen Emitterkontaktstruktur auf der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, zumindest in den Bereichen lokaler Hochdotierung, wobei die Emitterkontaktstruktur elektrisch leitend mit dem Hochdotierbereich verbunden wird und Aufbringen mindestens einer metallischen Basiskontaktstruktur auf der Rückseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls auf weitere Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktstruktur mit einem Bereich des Halbleitersubstrates der Basisdotierung elektrisch leitend verbunden wird.; Wesentlich ist, dass zwischen den Verfahrensschritten B und C, gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte, in einem Verfahrensschritt B1 auf Vorder- und Rückseite des Halbleitersubstrates gleichzeitig jeweils eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation erzeugt wird, wobei zumindest die Vorderseitensiliziumoxidschicht mit einer Dicke kleiner 150 nm erzeugt wird.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-199582.html