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Verfahren zur Erzeugung einer selektiven Dotierstruktur in einem Halbleitersubstrat zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle

 
: Jäger, U.; Biro, D.; Volk, A.-K.; Seiffe, J.; Mack, S.; Wolf, A.; Preu, R.

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DE 102010024308 A
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer selektiven Dotierstruktur in einem Halbleitersubstrat zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, wobei die selektive Dotierstruktur mindestens an einer Dotierseite des Halbleitersubstrates ausgebildet wird, indem an der Dotierseite mindestens ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) eines ersten Dotierprofils in dem Halbleitersubstrat erzeugt und innerhalb des ersten Niedrigdotierbereiches mindestens ein lokaler Hochdotierbereich (3) eines zweiten Dotierprofils erzeugt wird, wobei der Niedrigdotierbereich (4) und der Hochdotierbereich (3) mit demselben Dotierungstyp ausgebildet werden und der Hochdotierbereich (3) einen niedrigeren Querleitungswiderstand aufweist als der Niedrigdotierbereich (4).; Wesentlich ist, dass das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A Aufbringen einer Dotierstoffes haltenden Dotierschicht (2) auf die Emitterseite des Halbleitersubstrates, B lokales Erhitzen eines Schmelzbereiches der Dotierschicht (2) und eines unterhalb der Dotierschicht (2) liegenden Schmelzbereiches des Halbleitersubstrates, derart, dass sich in einem lokalen Bereich kurzzeitig eine Schmelzmischung aus zumindest dem Schmelzbereich der Dotierschicht (2) und dem Schmelzbereich des Halbleitersubstrates bildet, wobei mittels flüssig-flüssig Diffusion Dotierstoff aus der Dotierschicht (2) in das aufgeschmolzene Halbleitersubstrat diffundiert, so dass nach Erstarren der Schmelzmischung der Hochdotierbereich (3) erzeugt ist, C Erzeugen des flächigen Niedrigdotierbereiches, indem das Halbleitersubstrat global erwärmt wird, derart, dass Dotierstoff aus der Dotierschicht (2); in das Halbleitersubstrat diffundiert, D Entfernen der Dotierschicht (2) E Entfernen und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite, derart, dass in einem Verfahrensschritt E1 ein oberflächennaher Teil des Niedrigdotierungsbereiches und des Hochdotierungsbereiches entfernt wird und/oder Umwandeln einer Schicht des Halbleitersubstrates an der Dotierseite in eine elektrisch nicht leitende Schicht in einem Verfahrensschritt E2, wobei die Verfahrensschritte in der Abfolge A, B, C, D, E oder A, C, B, D, E ausgeführt werden, jeweils gegebenenfalls unter Zwischenschaltung weiterer Zwischenschritte.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-199581.html