Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterstruktur

Method for treating semiconductor structure i.e. solar cell that is utilized for converting sunlight into electrical energy, involves driving dopant provided at high-curvature region, and/or adding additional dopant at high-curvature region
 
: Kwapil, W.; Glatthaar, M.; Rein, S.; Biro, D.

:
Frontpage ()

DE 102009053543 A: 20091118
DE 102009053543 A: 20091118
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung einer Halbleiterstruktur, welche eine Solarzelle oder eine Vorstufe einer Solarzelle ist und mindestens einen Emitter aufweist, wobei der Emitter mittels eines Dotierstoffes in der Halbleiterstruktur erzeugt ist und eine Messseite (1) der Halbleiterstruktur zumindest teilweise bedeckt, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Bestimmung mindestens eines Hochkruemmungsbereiches an der Messseite (1) der Halbleiterstruktur, welcher sich durch einen geringen Kruemmungsradius zumindest in einer Dimension auszeichnet, B Eintreiben des bereits an dem Hochkruemmungsbereich (2) in der Halbleiterstruktur vorhandenen Dotierstoffes zur Erhoehung der Emittertiefe an dem Hochkruemmungsbereich (2) und/oder Hinzufuegen zusaetzlichen Dotierstoffes zur Erhoehung der Emittertiefe an dem Hochkruemmungsbereich (2).

 

DE 102009053543 A1 UPAB: 20110605 NOVELTY - The method involves determining a high-curvature region (2) at a measurement side (1) of a semiconductor structure, which characterizes a small radius of curvature in a dimension. Dopant provided at the high-curvature region is driven, and/or additional dopant is added at the high-curvature region, where emitter of the semiconductor structure is generated by the dopant in the semiconductor structure and measurement side of the semiconductor structure is covered by the emitter. Optical, spatially resolved image of the measurement side of the semiconductor structure is recorded. USE - Method for treating a semiconductor structure i.e. solar cell (claimed) that is utilized for converting sunlight into electrical energy. ADVANTAGE - The dopant provided at the high-curvature region is driven, and/or additional dopant is added at the high-curvature region, thus avoiding negative effects due to hot spot on the solar cell, and increasing efficiency of the solar cell modules.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-174798.html