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Verfahren zur Herstellung einer EWT-Solarzelle

Emitter-wrap-through solar cell manufacturing method for industrial application, involves attaching front layered structure on substrate front side, and conducting diffusion by negative-dopant for producing back and connection emitters
 
: Mingirulli, N.; Biro, D.; Preu, R.

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DE 102009030096 A: 20090622
DE 102009030096 A: 20090622
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer EWT-Solarzelle aus einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Dotierungstyps mit einer Vorder- und einer Rueckseite und einer Mehrzahl von Ausnehmungen, welche sich jeweils von der Vorder- zu der Rueckseite des Halbleitersubstrates erstrecken, folgende Verfahrensschritte, umfassend: A Erzeugen zumindest folgender Emitterbereiche eines zweiten, zum ersten Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyps in dem Halbleitersubstrat (1): - ein Vorderseitenemitter, welcher die Vorderseite des Halbleitersubstrates zumindest teilweise bedeckt, - ein Rueckseitenemitter, welcher die Rueckseite des Halbleitersubstrates teilweise bedeckt und - eine Mehrzahl von Verbindungsemittern, welche jeweils die Wand einer Ausnehmung zumindest teilweise bedecken, sodass der Vorderseitenemitter ueber die Verbindungsemitter elektrisch leitend mit dem Rueckseitenemitter verbunden ist, wobei die Emitterbereiche jeweils einen pn-Uebergang zu dem Halbleitersubstrat (1) ausbilden, B Aufbringen mindestens einer Basiskontaktierungsstuktur und mindestens einer Emitterkontaktierungsstuktur jeweils auf die Rueckseite des Halbleitersubstrates, gegebenenfalls nach Aufbringen weiterer Zwischenschichten, wobei die Basiskontaktierungsstruktur mit mindestens einem nicht durch Emitter bedeckten Bereich des Halbleitersubstrates und die Emitterkontaktierungsstruktur mit dem Rueckseitenemitter elektrisch leitend verbunden sind...

 

DE 102009030096 A1 UPAB: 20110106 NOVELTY - The method involves partially covering front and rear sides of a semiconductor substrate by a front emitter (6) and rear emitters (8, 8', 8''), respectively. A wall of recesses (2, 2', 2'') is partially covered by connection emitters (7, 7', 7''), so that the front and rear emitters are connected via the connection emitters. A front layered structure is attached on the substrate front side, where the layered structure has a diffusion barrier layer and/or a front doping layer (4). Diffusion is conducted by a dopant of negative-doped type for producing the back and connection emitters. USE - Method for manufacturing an emitter-wrap-through (EWT) solar cell for industrial application. ADVANTAGE - The solar cell is manufactured in a simple manner such that emitter ranges with different doped concentrations are produced in a simple manner.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-159205.html