Fraunhofer-Gesellschaft

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Ausfall-Schwellwerte von Mobil-Telefonen bei Einwirkung von hohen impulsförmigen Mikrowellen-Feldern (HPM)

 
: Braun, C.; Schmidt, H.U.; Taenzer, A.

Busse, H. ; Bundesakademie für Wehrverwaltung und Wehrtechnik, Mannheim:
Wehrtechnisches Symposium "Elektromagnetische Verträglichkeit EMV 2002"
Mannheim, 2002
pp.04.9.1-04.9.12
Wehrtechnisches Symposium Elektromagnetische Verträglichkeit <10, 2002, Mannheim>
German
Conference Paper
Fraunhofer INT ()
high power microwave; Hochleistungs-Mikrowellen; HPM; Ausfall-Schwellwerte; disturbance threshold; failure threshold; Stör-Schwellwerte; TEM-Wellenleiter; TEM wave-guide; mobile phone; Mobil-Telefon

Abstract
Dieser Beitrag beschreibt das Verhalten einiger ausgewählter Mobilfunk-Telefone bei der Bestrahlung mit hohen impulsförmigen Feldern im Frequenzbereich zwischen 0,15-3,4 GHz. Für die Untersuchungen wurden die Handys im TEM-Wellenleiter des INT aufgestellt und mit impulsmodulierten Feldern mit bis zu 4 kV/m beaufschlagt. Zur Bestimmung der Stör-Schwellwerte wurden neben der Frequenz die Impulsbreite, die Impuls-Wiederholfrequenz und die Amplitude des Feldes variiert, bis am Meßobjekt eine Beeinflussung zu beobachten war. Die meisten Störungen traten nur während der Bestrahlungszeit auf. Es gab aber auch eine Vielzahl von andauernden Störungen, die nur durch Aus-/Einschalten des Handys oder kurzer Trennung vom Akku wieder rückgängig gemacht werden konnten. In vielen Fällen traten auch nicht mehr zu beseitigende Störungen (Ausfälle) auf.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-15386.html