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Solarzellen mit Rueckseitenkontaktierung sowie Verfahren zu deren Herstellung

Rear side contact solar cell manufacturing method, involves partially galvanically applying metallic germinal layer on rear side of silicon wafer, such that contact is made on rear side of silicon wafer
 
: Granek, F.; Kray, D.; Mayer, K.; Aleman, M.; Hopman, S.

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DE 102009011305 A: 20090302
DE 102009011305 A: 20090302
H01L0031
H01L0021
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit Rueckseitenkontaktierung, das auf einer Mikrostrukturierung eines mit einer dielektrischen Schicht versehenen Wafers und einer Dotierung der mikrostrukturierten Bereiche auf der Rueckseite sowie einer Emitterdiffusion auf der Frontseite basiert. Im Anschluss erfolgt die Abscheidung einer metallhaltigen Keimschicht sowie eine galvanische Verstaerkung der Kontaktierungen auf der Rueckseite. Ebenso betrifft die Erfindung derart herstellbare Solarzellen.

 

DE 102009011305 A1 UPAB: 20100925 NOVELTY - The method involves partially coating a rear side of a silicon wafer (2) with a dielectric layer, and micro-structuring the dielectric layer. Back surface fields (3) are diffused at the rear side of the wafer. A micro-structured surface region is doped on the rear side of the wafer. Liquid jet is guided over a region of a wafer outer surface, which is locally heated up by a laser jet, where the liquid jet contains dopant. A metallic germinal layer is partially galvanically applied on the rear side of the wafer, such that a contact is made on the rear side of the wafer. USE - Method for manufacturing a solar cell (claimed) i.e. rear side contact solar cell. ADVANTAGE - The method permits manufacturing of the solar cell without requiring expensive lithographic steps and large amount of metal, thus enabling efficient manufacturing of the solar cell with reduced number of process steps in a cost-effective manner.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-148765.html