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Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats

 
: Beckmann, R.; Geisler, M.; Zeuner, A.; Fiedler, M.; Grabosch, G.; Pflug, A.; Czarnetzki, U.; Brinkmann, R.; Siemers, M.

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DE 102008055786 A1: 20081104
DE 102009020436 A: 20090508
H05H0001
C23C0016
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IST ()

Abstract
(A1) Bei dem Verfahren zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflaechenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC-Self-Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflaechenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflaechenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der zu behandelnden Substratoberflaeche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk zwischen dem zu behandelndem Oberflaechenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp < max(se+sg) oder dp < 0.5s aufweist. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats, umfassend - Mittel zur Anregung einer kapazitiv gekoppelten, einen DC-Self-Bias aufweisenden Plasmaentladung in einem Bereich zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode sowie - Mittel zum Transport ...

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-148710.html