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Verfahren zur ortsaufgeloesten Bestimmung des Serienwiderstandes einer Halbleiterstruktur

Method for determining series resistance of semiconductor structure for measuring system, involves generating luminescence radiation in semiconductor structure, where electrical voltage stands between contacts of semiconductor structure
 
: Glatthaar, M.; Haunschild, J.; Rein, S.

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DE 102009021799 A: 20090518
DE 102009021799 A: 20090518
G01R0031
H01L0021
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur ortsaufgeloesten Bestimmung des Serienwiderstandes einer Halbleiterstruktur, welche eine Solarzelle (1) oder eine Vorstufe einer Solarzelle (1) ist, umfassend mindestens einen pn-Uebergang und Kontakte zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Halbleiterstruktur unter einer Messbedingung A, bei welcher zwischen den Kontakten der Halbleiterstruktur eine elektrische Spannung VA besteht und fuer mehrere Ortspunkte der Halbleiterstruktur jeweils Messen einer lokalen Intensitaet ILA,i der von diesem Ortspunkt ausgehenden Lumineszenzstrahlung, B Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Halbleiterstruktur unter einer Messbedingung B, bei welcher zwischen den Kontakten der Halbleiterstruktur eine elektrische Spannung VB besteht und fuer mehrere Ortspunkte Messen jeweils lokaler Intensitaeten ILB,i der von diesem Ortspunkt der Halbleiterstruktur ausgehenden Lumineszenzstrahlung, wobei bei der Messbedingung B ein groesserer Strom zwischen den Kontakten der Halbleiterstruktur fliesst als bei der Messbedingung A, C fuer mehrere vorgegebene Ortspunkte der Halbleiterstruktur Bestimmen eines lokalen Kalibrierungsparameters CV,i fuer einen vorgegebenen mathematischen Zusammenhang zwischen der lokalen Intensitaet der Lumineszenzstrahlung und der lokal an dem Halbleiterelement anliegenden Spannung an dem Ortspunkt, wobei die ...

 

DE 102009021799 A1 UPAB: 20101203 NOVELTY - The method involves generating a luminescence radiation in a semiconductor structure. An electrical voltage stands between the contacts of the semiconductor structure, where the local series resistance is determined, depending on a global series resistance of the semiconductor structure, which is provided for all local series resistances. The semiconductor structure comprises a solar cell (1). USE - Method for determining the series resistance of a semiconductor structure for a measuring system (from drawings). ADVANTAGE - The method involves generating a luminescence radiation in a semiconductor structure, where an electrical voltage stands between the contacts of the semiconductor structure which comprises a solar cell, thus ensures an efficient solar cell.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-148703.html