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Großflächiges plasmachemisches Ätzen bei Atmosphärendruck

 
: Dani, I.; Lopez, E.; Linaschke, D.; Kaskel, S.; Beyer, E.

Europäische Forschungsgesellschaft Dünne Schichten e.V. -EFDS-; Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik -IWS-, Dresden:
Gasmanagement für Atmosphärendruck-Plasmatechnologien. Tagungsband : Workshop am 15.04.2010, Dresden
Dresden: EFDS, 2010
9 pp.
Workshop "Gasmanagement für Atmosphärendruck-Plasmatechnologien" <2010, Dresden>
German
Conference Paper
Fraunhofer IWS ()
Plasmaätzen; Gasplasma; atmosphärischer Druck; Anlagentechnik; Anlagendaten; Fluiddynamik; Solarzelle; Dünnschichtsolarzelle; Wafer; Oberflächentechnik; Oberflächenanpassung; Oberflächenbehandlung

Abstract
Folienpräsentation. Kontinuierlich arbeitende Atmosphärendruckprozesse bieten Vorteile im reduzierten Waferhandling durch in-line-Verfahren, einen hohen Durchsatz, geringe Anlagengröße, niedrige Investkosten und die Vermeidung nasschemischer Prozesse. Das plasmachemische Ätzen erfolgt mit linear ausgedehntem Gleichspannungsbogen und verschiedenen Plasmagasen (N2, O2, NH3, H2+Ar) bis zu 250 mm Breite. Der Ätzreaktor ist beschrieben; er erlaubt eine Ätzbreite von 156 mm (6' Wafer), eine regelbare Substrattemperatur von 100 - 400 Grad C bei einer statischen Ätzrate von 600 nm/s. Potentielle Einsatzmöglichkeiten sind die c-Si-Solarzellenfertigung, das Glätten von Si-Oberflächen bei Sägeschäden und zum Entfernen der Pyramidenstruktur sowie zur Oberflächentexturierung von Si-Wafern. Atmosphärendruck-Plasmaverfahren sind auch in der Dünnschicht-Solarzellenfertigung und in der Texturierung von SnO2:F-Schichten einsetzbar. Die Überwachung der Ätzabgase erfolgt mit FTIR.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-139658.html