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Title
Testverfahren zur On-Wafer-Charakterisierung von langwelligen Halbleiterlasern
Date Issued
2008
Author(s)
Patent No
102008045980
Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Charakterisierung der Laseremissionseigenschaften von auf einem Wafer (1) angeordneten, kantenemittierenden Halbleiterlasern vor dem Auseinzeln des prozessierten Wafers samt der Halbleiterlaser in eine Mehrzahl von separierten, kantenemittierenden Einzellaser, bei dem ein mindestens eine aktive Schicht umfassendes Halbleitermaterial auf den Wafer aufgebracht wird und aus diesem, bevorzugt mittels Lithographie und/oder Aetzung, mehrere einzelne, auf dem Wafer angeordnete Halbleiterbloecke (2) fuer herzustellende kantenemittierende Einzellaser raeumlich herausstrukturiert werden, bei mehreren dieser Halbleiterbloecke jeweils auf deren waferabgewandten Oberflaeche (3) eine diese Oberflaeche zumindest teilweise bedeckende und/oder abdeckende Reflexionsschicht (4) aufgebracht wird, wobei in der Reflexionsschicht (4a) mindestens eines dieser Halbleiterbloecke (2a) eine einen Teilbereich der zugehoerigen waferabgewandten Oberflaeche (3a) nicht bedeckende und/oder nicht abdeckende Beugungsoeffnung (5) hergestellt wird und in mindestens einem der eine Beugungsoeffnung aufweisenden Halbleiterbloecke ein Stromfluss erzeugt wird und durch diesen Stromfluss in diesem Halbleiterblock erzeugtes und an der Beugungsoeffnung gebeugtes Laserlicht detektiert und ausgewertet wird.
DE 102008045980 A1 UPAB: 20100624 NOVELTY - The method involves structuring semiconductor blocks for production of edge-emitting individual laser, where a diffraction structure is produced in one of the semiconductor blocks on the surface turned away from the wafer (1). A current flow is produced in one of the semiconductor blocks having a diffraction structure and laser light produced in the semiconductor block. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a wafer, particularly semiconductor wafer. USE - Method for characterizing the laser emission properties of edge-emitting semiconductor laser, for wafer testing of edge semiconductor laser elements (Claimed). ADVANTAGE - The method involves structuring semiconductor blocks for production of edge-emitting individual laser, where a diffraction structure is produced in one of the semiconductor blocks on the surface turned away from the wafer, and thus ensures a simple and improved laser emission properties characterizing method.
Language
de
Patenprio
DE 102008045980 A: 20080905