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Title
Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Passivierung
Date Issued
2009
Author(s)
Mayer, K.
Kray, D.
Patent No
102009004902
Abstract
(C1)(B3) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur simultanen Mikrostrukturierung und Passivierung von siliciumhaltigen Festkoerpern mittels eines Fluessigkeitsstrahl-gefuehrten Laserverfahrens. Durch den Laserstrahl erfolgt eine lokale Aufheizung der Festkoerperoberflaeche, waehrend im Fluessigkeitsstrahl ein Precursor fuer die Passivierung der Festkoerperoberflaeche enthalten ist. Verwendung findet das Verfahren insbesondere bei der Herstellung von Solarzellen.
DE 102009004902 B3 UPAB: 20100524 NOVELTY - Silicon-containing solids microstructuring and passivation involves guiding a fluid jet over area of solid, where the fluid jet contains precursor for passivation of the solid surface. A laser jet is coupled in the fluid jet, where the solid surface is heated locally by the laser jet and is partially structured in sectional manner. Free surface connections formed by the structuring are saturated by the precursor. A passivation layer is made of silicon nitrides, silicon oxides or silicon carbides at the structured areas of the solid surface. USE - Method for simultaneous microstructuring and passivation of silicon-containing solids, preferably silicon solar cells (claimed) and for manufacturing solar cells. ADVANTAGE - The silicon-containing solids microstructuring and passivation method provides microstructuring and passivation of the silicon-containing solids in a simple and controllable manner.
Language
de
Patenprio
DE 102009004902 A: 20090116