Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle

Method for producing single side contactable solar cell from semiconductor substrate with n-doping, involves producing n-doped base high doping area at base contacting area in semiconductor substrate
 
: Hermle, M.; Bivour, M.; Reichel, C.

:
Frontpage ()

DE 102009040670 A: 20090909
DE 102009040670 A: 20090909
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierbaren Solarzelle aus einem Halbleitersubstrat (1) mit einer n-Dotierung, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen einer p-dotierten Emitterschicht (5) auf eine Emitterseite (2) des Halbleitersubstrates und/oder auf eine oder mehrere die Emitterseite bedeckende Zwischenschichten, zur Ausbildung eines pn-Ueberganges mit dem Halbleitersubstrat, wobei die Emitterseite die Vorderseite oder die Rueckseite des Halbleitersubstrates ist, B Aufbringen einer querleitfaehigen Emitterkontaktierungsschicht (6), welche die Emitterschicht (5) und/oder weitere die Emitterschicht (5) bedeckende Zwischenschichten zumindest teilweise ueberdeckt, wobei Emitterschicht (5) und Emitterkontaktierungsschicht (6) elektrisch leitend verbunden sind und zumindest einen gemeinsamen Basiskontaktierungsbereich (4) der Emitterseite (2) des Halbleitersubstrates nicht bedecken und/oder an dem Basiskontaktierungsbereich (4) wieder entfernt werden, C Aufbringen einer Basiskontaktierungsschicht (8), welche zumindest an dem Basiskontaktierungsbereich (4), gegebenenfalls ueber weitere Zwischenschichten mit dem Halbleitersubstrat (1) elektrisch leitend verbunden ist. Wesentlich ist, dass vor Verfahrensschritt A in einem Verfahrensschritt A0 an dem Basiskontaktierungsbereich (4) ein n-dotierter Basishochdotierungsbereich (3) in dem Halbleitersubstrat (1) erzeugt wird, wobei die Dotierkonzentration des ...

 

DE 102009040670 A1 UPAB: 20100309 NOVELTY - The method involves producing an n-doped base high doping area (3) at a base contacting area (4) in a semiconductor substrate (1). A p-doped emitter layer (5) is applied on an emitter side (2) of the semiconductor substrate or on multiple emitter side covering intermediate layers, to form a pn-transition with the semiconductor substrate. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for a solar cell, for a single side contacting, which has an n-doped semiconductor substrate. USE - Method for producing a single side contactable solar cell from a semiconductor substrate with n-doping. ADVANTAGE - The method involves producing an n-doped base high doping area at a base contacting area in semiconductor substrate, and hence ensures cost-effective production of single side contactable solar cell that reduces the susceptibility of impurities and defects at a surface of a semiconductor substrate.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-139509.html