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Kantenemittierender Halbleiterlaser mit Phasenstruktur

Edge-emitting semiconductor laser for use as wide band laser, has phase structure formed in phase structure region for selecting lateral modes of radiation emitted by active layer, where structure region is formed outside waveguide region
 
: Schmid, W.; Eckstein, H.; Zeitner, U.

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Frontpage ()

DE 102008025922 A: 20080530
DE 102008025922 A: 20080530
H01S0005
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IOF ()

Abstract
(A1) Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkoerper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (2A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung aufweist. Der Wellenleiterbereich (4) ist zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet. Der Halbleiterkoerper (10) weist einen Hauptbereich (5) und mindestens einen Phasenstrukturbereich (6) auf, in dem eine Phasenstruktur zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist. Zur Verminderung von Koppelverlusten ist der Phasenstrukturbereich (6) ausserhalb des Wellenleiterbereichs (4) angeordnet oder durch einen Bereich gebildet, in dem ein Dotierstoff eingebracht oder eine Durchmischungsstruktur erzeugt ist.

 

DE 102008025922 A1 UPAB: 20091214 NOVELTY - The laser has a semiconductor body (10) with a waveguide region (4) and a phase structure region (6) which is adjacent to a main region (5) in a lateral direction. The waveguide region has an active layer (3) provided between two waveguide layers (2A, 2B) for producing laser radiation, where the waveguide region is arranged between two coating layers (1A, 1B). A phase structure is formed in the phase structure region for selection of lateral modes of laser radiation which is emitted by the active layer, where the phase structure region is formed outside the waveguide region. USE - Edge-emitting semiconductor laser for use as a wide band laser. ADVANTAGE - The waveguide layers and the active layer contain no phase structures and the phase structure region is formed outside the waveguide region, so that the waveguide region between the coating layers is free from phase structures in a favorable manner, thus reducing coupling losses occurring between the phase structure region and the main region of the semiconductor body, increasing the efficiency of the semiconductor laser and improving the light-current characteristic.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-118929.html