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Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

Solar cell for emitting of electromagnetic radiation, has semiconductor structure with doping type isolation region, which partially extends between base metallization and emitter region along metallization side of cell
 
: Schultz-Wittmann, O.; Granek, F.; Hermle, M.; Benick, J.

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DE 102008005396 A: 20080121
DE 102008005396 A: 20080121
H01L0031
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft eine Solarzelle mit einer Vorderseite zum Einkoppeln elektromagnetischer Strahlung und einer Rueckseite, umfassend mindestens eine Basismetallisierung (3) und mindestens eine Emittermetallisierung (6) sowie eine Halbleiterstruktur, welche mindestens einen Basisbereich (1) eines ersten Dotierungstyps und mindestens einen Emitterbereich (2) eines zweiten, zum ersten Dotierungstyp entgegengesetzten Dotierungstyps aufweist, zur Ausbildung eines pn-Uebergangs zwischen Basis und Emitter, wboe die Basismetallisierung (3) mit dem Basisbereich (1) und die Emittermetallisierung (6) mit dem Emitterbereich (2) elektrisch leitend verbunden sind, die Baismetallisierung (3) und die Emittermetallisierung (6) beide an einer Metallisierungsseite der Solarzelle angeordnet sind, welche die Vorderseite oder die Rueckseite der Solarzelle ist un der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle erstreckt. Wesentlich ist, dass der Emitterbereich (2) sich zumindest teilweise in den von der Basismetallisierung (3) bedeckten Bereich der Metallisierungsseite erstreckt und dass die Halbleiterstruktur zusaetzlich einen Isolierungsbereich (4) des ersten Dotierungstyps aufweist, welcher sich entlang der Metallisierungsseite der Solarzelle zumindest teilweise zwischen der Basismetallisierung (3) und dem Emitterbereich (2) erstreckt. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.

 

DE 102008005396 A1 UPAB: 20090806 NOVELTY - The cell has a base metallization (3) and an emitter metallization (6) arranged at a metallization side of the cell, where the metallization side is a front or rear side of the cell. A p-doped emitter region (2) partially extends along the metallization side of the cell. The emitter region partially extends in a region of the metallization side, where the region is covered by the base metallization. A semiconductor structure has a doping type isolation region (4), which partially extends between the base metallization and the emitter region along the metallization side of the cell. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a method for production of a solar cell from a semiconductor substrate. USE - Solar cell for emitting of electromagnetic radiation. ADVANTAGE - The solar cell allows the p-n junction to be formed between the isolation region and the emitter region, thus electrically protecting the isolation region from the emitter region, and protecting the basis metallization by the isolation region and the p-n junction, and hence avoiding the short-circuit current between the basis metallization and the emitter region. The solar cell allows the emitter region to guide under the basis metallization in an overlapping manner, thus increasing the efficiency of the solar cell and ensuring strong metallization by the base metallization, and hence minimizing the losses caused by the ohmic resistance of the base metallization. The solar cell is manufactured from the semiconductor substrate in a simple manner.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-106433.html