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Infrarot-Halbleiterlaser

Semiconductor laser for e.g. medical, scientific, commercial, military and security applications has recombined electron holes in the quantum film
 
: Schulz, N.; Rattunde, M.; Wagner, J.; Roesener, B.

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DE 102008009412 A: 20080215
DE 102008009412 A: 20080215
H01S0005
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()

Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit zumindest einem Quantenfilm, in welchem Elektron-Loch-Paare rekombinierbar sind, mit zumindest zwei Barriereschichten, zwischen denen jeweils einer der zumindest einen Quantenfilme, an diese flaechig direkt oder ueber je einen Zwischenfilm angrenzend, angeordnet ist, sowie mit einer Pumpvorrichtung, wobei die Barriereschichten Al?z?Ga?1- z?As?y?Sb?1?1?-y?, mit y groesser oder gleich Null und kleiner oder gleich Eins und z kleiner oder gleich Eins und groesser als 0,4, aufweisen oder daraus bestehen, und/oder Al?z?Ga?u?In?v?As?y.fwdar w.Sb?1-y? mit z + u + v = 1 und z groesser als 0,25 aufweisen oder draus bestehen, wobei mit der Pumpvorrichtung die Elektron-Loch-Paare unmittelbar im Quantenfilm erzeugbar sind.

 

WO 2009100943 A1 UPAB: 20090902 NOVELTY - A semiconductor laser has a quantum film in which electron-hole pairs may recombine. The laser further has a barrier layer either side of a quantum film and arranged either alongside or directly over an adjacent intermediate film, and a pump. In the barrier layers y is greater than zero and smaller than or equal to 1 and greater than 0.4. The electron holes are created directly within the quantum film. The quantum defect is thus not dependent upon the potential thickness of the barrier layer, allowing it to be made thick enough to prevent thermal leak voltage from quantum filter holes. USE - Semiconductor laser for e.g. medical, scientific, commercial, military and security applications. Further claimed is that the laser is no more expensive than prior art. ADVANTAGE - The semiconductor laser with type I laser structure operates at higher efficiency than prior art. Further claimed is that the laser has a wider bandwidth than prior art.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-106407.html