Fraunhofer-Gesellschaft

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Verkohltes Silizium. Neues Halbleitermaterial für die Leistungselektronik

 
: Frey, L.; März, M.

Design und Elektronik (2002), No.1, Themenheft "Analogtechnik", pp.40-42
ISSN: 0933-8667
German
Journal Article
Fraunhofer IIS B ( IISB) ()
Siliziumkarbid; SiC; Schottky-Diode; JFET; Hilfsstromversorgung; Hochspannungserzeugung; industrielle Prozesstechnik

Abstract
Herausragende Materialeigenschaften machen Siliziumkarbid (SiC)zu einem nahezu idealen Halbleiter für leisungselektronische Bauelemente. SiC ermöglicht hochsperrende, durchlass- und schaltverlustarme Bauelemente, die neue Anwednugsfelder eröffnen. Der stärkeren Verbreitung von SiC-Bauelementen steht bislang noch die sehr kostenintensive Herstellung entgegen. Mit der Einführung des ersten Massenprodukts, einer Schottky-Diode, lässt sich nun aber der Anfang eines breiten Einsatzes dieser neuartartigen Bauteile absehen.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/N-10037.html