Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Elektrische Eigenschaften von MOCVD-Tantalpentoxid in Mehrschicht-Dielektrika

 
: Roth, H.
: Ryssel, H.

Aachen: Shaker, 1999, III, 155 pp. : Ill.
Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 1999
Erlanger Berichte Mikroelektronik, 2/99
German
Dissertation
Fraunhofer IIS B ( IISB) ()
Tantalpentoxid; Siliciumdioxid; Mehrschichtsystem; MOCVD-Verfahren; Dielektrizitätszahl; Leckstrom

: http://publica.fraunhofer.de/documents/B-62393.html