Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2014Realization of a 30-W highly efficient and linear reconfigurable dual-band power amplifier using the continuous mode approach
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Raay, F. van; Quay, R.; Ambacher, O.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Bohn, T.; Pascht, A.
Zeitschriftenaufsatz
2012An integrated 12 Gbps switch-mode driver MMIC with 5 V(PP) for digital transmitters in 100 nm GaN technology
Maroldt, S.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Maier, S.; Wiegner, D.; Pascht, A.
Konferenzbeitrag
2012An integrated 12 Gbps switch-mode driver MMIC with 5 VPP for digital transmitters in 100 nm GaN technology
Maroldt, S.; Brueckner, P.; Quay, R.; Ambacher, O.; Maier, S.; Wiegner, D.; Pascht, A.
Konferenzbeitrag
2011900 MHz pulse-width-modulated class-S power amplifier with improved linearity
Maier, S.; Wiegner, D.; Zierdt, M.; Kuebart, W.; Seyfried, U.; Haslach, C.; Pascht, A.; Maroldt, S.; Quay, R.
Konferenzbeitrag
2011GaN HFET MMICs with integrated Schottky-diode for highly efficient digital switch-mode power amplifiers at 2 GHz
Maroldt, S.; Quay, R.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Wiegner, D.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2011Multiband doherty RF power amplifier
Jüschke, P.; Wiegner, D.; Luz, G.; Machinal, R.; Pascht, A.; Quay, R.
Konferenzbeitrag
2011Simultaneous transmission of non-contiguous frequency bands for mobile radio using a pulse-width-modulated switch-mode stage
Maier, S.; Wiegner, D.; Zierdt, M.; Seyfried, U.; Haslach, C.; Pascht, A.; Maroldt, S.; Quay, R.
Konferenzbeitrag
2010AlGaN/GaN-based power amplifiers for mobile radio applications: A review from the system supplier's perspective
Wiegner, D.; Luz, G.; Jüschke, P.; Machinal, R.; Merk, T.; Seyfried, U.; Templ, W.; Pascht, A.; Quay, R.; Raay, F. van
Zeitschriftenaufsatz
2010Efficient AlGaN/GaN linear and digital-switch-mode power amplifiers for operation at 2 GHz
Maroldt, S.; Wiegner, D.; Vitanov, S.; Palankovski, V.; Quay, R.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2010Integrated-Schottky-Diode GaN HFETs for high-efficiency digital PA MMICs at 2 GHz
Maroldt, S.; Quay, R.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Wiegner, D.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2006Design and W-CDMA characterization of a wideband AlGaN/GaN HEMT power amplifier for future 3G multiband base station applications
Wiegner, D.; Seyfried, U.; Templ, W.; Naß, T.; Weber, S.; Wörner, S.; Dettmann, I.; Quay, R.; Raay, F. van; Walcher, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Reiner, R.; Moritz, R.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2006GaN/AlGaN HEMT hybrid and MMIC microstrip power amplifiers on s.i. SiC substrate
Quay, R.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Reiner, R.; Kappeler, O.; Müller, S.; Dammann, M.; Bronner, W.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Templ, W.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2006Two-stage GaN based multiband power amplifier for software defined radio applications
Naß, T.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Templ, W.; Weber, S.; Wörner, S.; Klose, P.; Quay, R.; Raay, F. van; Walcher, H.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Kappeler, O.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2005GaN/AlGaN HEMTs for highly linear communication applications in L-frequency band
Quay, R.; Würfl, J.; Wiegner, D.; Fischer, G.; Schubert, C.; Magerl, G.
Konferenzbeitrag
2005Multistage broadband amplifiers based on GaN HEMT technology for 3G/4G base station applications with extremely high bandwidth
Wiegner, D.; Merk, T.; Seyfried, U.; Templ, W.; Merk, S.; Quay, R.; Raay, F. van; Walcher, H.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Reiner, R.; Moritz, R.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag