Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2008High-efficiency GaN HEMTs on 3-inch semi-insulating SiC substrates
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Kiefer, R.; Raynor, B.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
200750 nm MHEMT technology for G- and H-band MMICs
Leuther, A.; Tessmann, A.; Dammann, M.; Schwörer, C.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Lösch, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2007A broadband frequency sixtupler MIMIC for the W-band with >7 dBm output power and >6 dB conversion gain
Kallfass, I.; Massler, H.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2007Distributed amplifier MMIC with 21 dB gain and 90 GHz bandwidth using InP-based DHBTs
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2007Fundamental W-band InP DHBT-based VCOs with low phase noise and wide tuning range
Makon, R.E.; Driad, R.; Schneider, K.; Aidam, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2007GaN HEMT: Trends in civil and military circuit applications
Quay, R.; Raay, F. van; Tessmann, A.; Kiefer, R.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2007High-power high-brightness lasers
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2007Metamorphic H-band low-noise amplifier MMICs
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2007Recessed gate processing for GaN/AlGaN-HEMTs
Pletschen, W.; Kiefer, R.; Raynor, B.; Müller, S.; Benkhelifa, F.; Quay, R.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
200614xx-nm high brightness tapered diode lasers grown by solid-source MBE
Kallenbach, S.; Aidam, R.; Lösch, R.; Kaufel, G.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
20068 W high-efficiency high-brightness tapered diode lasers at 976 nm
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kaufel, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2006Advanced high power amplifier chain for X-band T/R-modules based on GaN MMICs
Schuh, P.; Leberer, R.; Sledzik, H.; Oppermann, M.; Adelseck, B.; Brugger, H.; Quay, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2006Comparison between 50 W tapered laser arrays and tapered single emitters
Scholz, C.; Boucke, K.; Poprawe, R.; Kelemen, M.T.; Weber, J.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2006GaN/AlGaN HEMT hybrid and MMIC microstrip power amplifiers on s.i. SiC substrate
Quay, R.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Reiner, R.; Kappeler, O.; Müller, S.; Dammann, M.; Bronner, W.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Templ, W.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2006Infrared imaging with InAs/GaSb type-II superlattices
Walther, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2006InP DHBT based IC technology for over 80 Gbit/s data communications
Driad, R.; Makon, R.E.; Schneider, K.; Nowotny, U.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2006InP DHBT-based monolithically integrated CDR/DEMUX IC operating at 80 Gbit/s
Makon, R.E.; Driad, R.; Schneider, K.; Ludwig, M.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2006Multi-wafer MBE grown InP-based DHBTs for millimeterwave and digital applications
Driad, R.; Lösch, R.; Schneider, K.; Makon, R.E.; Ludwig, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2006X-band high-power microstrip AlGaN/GaN HEMT amplifier MMICs
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Bronner, W.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005A 150 to 220 GHz balanced doubler MMIC using a 50 nm metamorphic HEMT technology
Schwörer, C.; Campos-Roca, Y.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Seelmann-Eggebert, M.; Massler, H.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
20055 W high-efficiency high-brightness tapered diode lasers at 980 nm
Weber, J.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
200580 Gbit/s monolithically integrated clock and data recovery circuit with 1:2 DEMUX using InP-based DHBTs
Makon, R.E.; Driad, R.; Schneider, K.; Ludwig, M.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005An AlGaN/GaN push-pull HEMT amplifier with 400 MHz bandwidth and 100 W peak output power
Kappeler, O.; Quay, R.; Raay, F. van; Kiefer, R.; Reiner, R.; Walcher, H.; Müller, S.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Comparison of InP/InGaAs DHBT distributed amplifiers as modulator drivers for 80-Gbit/s operation
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Massler, H.; Ludwig, M.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005A coplanar X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Benkhelifa, F.; Raynor, B.; Pletschen, W.; Kuri, M.; Massler, H.; Müller, S.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005Dual-band QWIP focal plane array for the second and third atmospheric windows
Schneider, H.; Maier, T.; Fleißner, J.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.; Cabanski, W.; Finck, M.; Menger, P.; Rode, W.; Ziegler, J.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2005Fundamental low phase noise InP-based DHBT VCO operating up to 89 GHz
Makon, R.E.; Driad, R.; Schneider, K.; Massler, H.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005High Power High bandwidth GaN MMICs and hybrid amplifiers: Design and characterization
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Walcher, H.; Kappeler, O.; Seelmann-Eggebert, M.; Muller, S.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005High power/high bandwidth GaN MMICs and hybrid amplifiers: Design and characterization
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Müller, S.; Walcher, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Kappeler, O.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005High-density ECR-plasma deposited silicon nitride films for applications in III/V-based compound semiconductor devices
Sah, R.E.; Mikulla, M.; Baumann, H.; Benkhelifa, F.; Quay, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005High-power high-brightness ridge-waveguide tapered diode lasers at 14xx nm
Kallenbach, S.; Kelemen, M.T.; Aidam, R.; Lösch, R.; Kaufel, G.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005High-power high-brightness tapered diode lasers and amplifiers
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Infrared focal plane array based on MWIR/LWIR dual-band QWIPs: Detector optimization and array properties
Schneider, H.; Maier, T.; Fleißner, J.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.; Cabanski, W.; Finck, M.; Menger, P.; Rode, W.; Ziegler, J.
Konferenzbeitrag
2005InP DHBT-based IC technology for high-speed data communications
Driad, R.; Schneider, K.; Makon, R.E.; Lang, M.; Nowotny, U.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005InP/InGaAs-DHBT distributed amplifier MMICs exceeding 80 GHz bandwidth
Schneider, K.; Driad, R.; Makon, R.E.; Tessmann, A.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Metamorphic 50 nm InAs-Channel HEMT
Leuther, A.; Weber, R.; Dammann, M.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005A microstrip X-band AlGaN/GaN power amplifier MMIC on s.i. SiC substrate
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Fehrenbach, W.; Bronner, W.; Kuri, M.; Benkhelifa, F.; Massler, H.; Müller, S.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Over 80 Gbit/s 2:1 multiplexer and low power selector ICs using InP/InGaAs DHBTs
Makon, R.E.; Lang, M.; Driad, R.; Schneider, K.; Ludwig, M.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005Passivation of III-V-based compound semiconductor devices using high-density plasma deposited silicon nitride films
Sah, R.E.; Mikulla, M.; Schneider, H.; Benkhelifa, F.; Dammann, M.; Quay, R.; Fleißner, J.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Performance and fabrication of GaN/AlGaN power MMIC at 10 GHz
Benkhelifa, F.; Kiefer, R.; Müller, S.; Raay, F. van; Quay, R.; Sah, R.E.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Reliability of 50 nm low-noise metamorphic HEMTs and LNAs
Dammann, M.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Massler, H.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005Tapered diode lasers at 976nm with 8 W nearly diffraction limited output power
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kaufel, G.; Bihlmann, G.; Moritz, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2004A 220 GHz metamorphic HEMT amplifier MMIC
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Kuri, M.; Schwörer, C.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2004Astigmatism and beam quality of high-brightness tapered diode lasers
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Kallenbach, S.; Pfahler, C.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2004Fundamental low phase noise InP-based DHBT VCOs with high output power operating up to 75 GHz
Makon, R.E.; Schneider, K.; Driad, R.; Lang, M.; Aidam, R.; Quay, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2004High-power high-brightness tapered diode lasers and amplifiers for eye-safe operation
Kallenbach, S.; Kelemen, M.T.; Aidam, R.; Lösch, R.; Kaufel, G.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2004High-resolution 3-5 µm/8-12mm dual-band quantum well infrared photodetector array
Schneider, H.; Maier, T.; Fleißner, J.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.; Cabanski, W.; Finck, M.; Menger, P.; Rode, W.; Ziegler, J.
Zeitschriftenaufsatz
2004High-resolution QWIP focal plane arrays: Towards third-generation thermal imagers
Schneider, H.; Fleißner, J.; Maier, T.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.; Cabanski, W.; Finck, M.; Menger, P.; Rode, W.; Ziegler, J.
Konferenzbeitrag
2004Infrared semiconductor lasers for sensing and diagnostics
Wagner, J.; Mann, C.; Rattunde, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2004Mid-wavelength, long-wavelength, and dual-band QWIP focal plane arrays
Schneider, H.; Fleißner, J.; Maier, T.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.; Cabanski, W.; Finck, M.; Menger, P.; Rode, W.; Ziegler, J.
Konferenzbeitrag
2004Robust GaN HEMT low-noise amplifier MMICs for X-band applications
Krausse, D.; Quay, R.; Kiefer, R.; Tessmann, A.; Massler, H.; Leuther, A.; Merkle, T.; Müller, S.; Schwörer, C.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
200370 nm low-noise metamorphic HEMT technology on 4 Inch GaAs wafers
Leuther, A.; Tessmann, A.; Dammann, M.; Reinert, W.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003AlGaN/GaN HEMTs on SiC for high power broadband applications up to 40 GHz
Quay, R.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2003AlGaN/GaN HEMTs on SiC: Towards power operation at V-band
Quay, R.; Tessmann, A.; Kiefer, R.; Weber, R.; Raay, F. van; Kuri, M.; Riessle, M.; Massler, H.; Müller, S.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Avalanche multiplication due to impact ionization in quantum-well infrared photodetectors: A quantitative approach
Rehm, R.; Schneider, H.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2003Compound Semiconductors 2002, ISCS
: Ilegems, M.; Weimann, G.; Wagner, J.
Tagungsband
2003Development of a 2"-AlGaN/GaN HEMT technology on sapphire and SiC for mm-wave high-voltage power applications
Kiefer, R.; Quay, R.; Müller, S.; Feltgen, T.; Raynor, B.; Schleife, J.; Köhler, K.; Massler, H.; Ramberger, S.; Raay, F. van; Tessmann, A.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2003Developments in tapered lasers at 980 nm to 1060 nm
Mikulla, M.; Kelemen, M.T.; Weber, J.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Facet temperature reduction by a current blocking layer at the front facets of high-power InGaAs/AlGaAs lasers
Rinner, F.; Rogg, J.; Kelemen, M.T.; Mikulla, M.; Weimann, G.; Tomm, J.W.; Thamm, E.; Poprawe, R.
Zeitschriftenaufsatz
2003High performance QWIP FPAs for the 8-12 µm and 3-5 µm regimes
Schneider, H.; Fleißner, J.; Rehm, R.; Kiefer, R.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003High-brightness 1040 nm tapered diode laser
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Rinner, F.; Rogg, J.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003High-resolution QWIP FPAs for the 8-12 µm and 3-5 µm regimes
Schneider, H.; Fleißner, J.; Rehm, R.; Walther, M.; Pletschen, W.; Koidl, P.; Weimann, G.; Ziegler, J.; Breiter, R.; Cabanski, W.
Konferenzbeitrag
2003High-speed III-V HEMT and HBT devices and circuits for ETDM transmission beyond 80 Gbit/s
Quay, R.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Lang, M.; Nowotny, U.; Kappeler, O.; Benz, W.; Ludwig, M.; Leich, M.; Driad, R.; Bronner, W.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Improved brightness using tapered diode lasers
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003InAs/(GaIn)Sb short period superlattices for IR detection
Fuchs, F.; Schmitz, J.; Pletschen, W.; Koidl, P.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Large signal modeling of AlGaN/GaN HEMTs with Psat > 4 W/mm at 30 GHz suitable for broadband power applications
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Metamorphic HEMT technologies for millimeter-wave low-noise applications
Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Reinert, W.; Schwörer, C.; Dammann, M.; Walther, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Multiwafer epitaxy of GaN/AlGaN heterostructures for power applications
Köhler, K.; Müller, S.; Rollbühler, N.; Kiefer, R.; Quay, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2003Quantum well infrared photodetectors and thermal imaging cameras
Schneider, H.; Fleißner, J.; Rehm, R.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.; Ziegler, J.; Breiter, R.; Cabanski, W.
Konferenzbeitrag
2003Silicon nitride films deposited using ECR-PECVD technique for coating InGaAlAs high power laser facets
Sah, R.E.; Rinner, F.; Baumann, H.; Kiefer, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2002AlGaN/GaN HEMTs on SiC operating at 40 GHz
Quay, R.; Kiefer, R.; Raay, F. van; Massler, H.; Ramberger, S.; Müller, S.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002AlGaN/GaN-HEMTs for power applications up to 40 GHz
Kiefer, R.; Quay, R.; Müller, S.; Köhler, K.; Raay, F. van; Raynor, B.; Pletschen, W.; Massler, H.; Ramberger, S.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002Band-edge aligned quaternary carrier barriers in InGaAs-AlGaAs high-power diode lasers for improved high-temperature operation
Wiedmann, N.; Schmitz, J.; Boucke, K.; Herres, N.; Wagner, J.; Mikulla, M.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2002Beam quality and linewidth enhancement factor of ridge-waveguide tapered diode lasers
Kelemen, M.T.; Weber, J.; Rogg, J.; Rinner, F.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002Carrier density dependence of the lifetime of InGaAs/AlGaAs high power lasers
Rinner, F.; Rogg, J.; Wiedmann, N.; Konstanzer, H.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002High-density plasma deposited silicon nitride films for coating InGaAlAs high-power lasers
Sah, R.E.; Rinner, F.; Kiefer, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002High-power high-brightness ridge-waveguide tapered diode lasers at 940 nm
Kelemen, M.T.; Rinner, F.; Rogg, J.; Wiedmann, N.; Kiefer, R.; Walther, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002Large area MSM photodiode array for 0.85µm wavelength 10 Gbit/s per channel parallel optical links
Hurm, V.; Bronner, W.; Benz, W.; Köhler, K.; Kropp, J.-R.; Lösch, R.; Ludwig, M.; Mann, G.; Mikulla, M.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Walther, M.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2002Longitudinal carrier density measurement of high power broad area laser diodes
Rinner, F.; Rogg, J.; Friedmann, P.; Mikulla, M.; Weimann, G.; Poprawe, R.
Zeitschriftenaufsatz
2002Low-noise quantum well infrared photodetectors for high-resolution thermal imaging
Schneider, H.; Walther, M.; Fleißner, J.; Rehm, R.; Diwo, E.; Schwarz, K.; Koidl, P.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002Near-diffraction-limited high power diode laser tunable from 895 to 960 nm
Kelemen, M.T.; Rinner, F.; Rogg, J.; Kiefer, R.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2002Potential of metamorphic HEMT with 0.25µm refractory metal gate for power application in Ka-Band
Benkhelifa, F.; Quay, R.; Lösch, R.; Schäuble, K.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Etch-depth dependence of laser diodes using angular filtering by total reflection
Rogg, J.; Boucke, K.; Kelemen, M.T.; Rinner, F.; Pletschen, W.; Kiefer, R.; Walther, M.; Mikulla, M.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Growth and layer structure optimization of 2.26 µm (AlGaIn)(AsSb) diode lasers for room temperature operation
Simanowski, S.; Mermelstein, C.; Walther, M.; Herres, N.; Kiefer, R.; Rattunde, M.; Schmitz, J.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2001High performance metamorphic HEMT with 0.25 µm refractory metal gate on 4´´ GaAs substrate
Benkhelifa, F.; Chertouk, M.; Dammann, M.; Massler, H.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001High Power 980 nm Laser Diodes by MBE
Mikulla, M.; Kelemen, M.T.; Walther, M.; Kiefer, R.; Moritz, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001High-brightness laser diodes using angular filtering by total reflection
Rogg, J.; Boucke, K.; Kelemen, M.T.; Rinner, F.; Pletschen, W.; Kiefer, R.; Walther, M.; Mikulla, M.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Improved high-temperature operation of InGaAs/AlGaAs LOC SQW diode lasers by incorporation of short-period superlattice quantum-well barriers
Wiedmann, N.; Jandeleit, J.; Mikulla, M.; Kiefer, R.; Bihlmann, G.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Numerical simulations of novel high-power high-brightness diode laser structures
Boucke, K.; Rogg, J.; Kelemen, M.T.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Responsivity and Gain of InGaAs/GaAs-QWIPs and GaAs/AlGaAs-QWIPS: a Comparative Study
Rehm, R.; Schneider, H.; Schwarz, K.; Walther, M.; Koidl, P.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2001Ten years of QWIP development at Fraunhofer IAF
Schneider, H.; Koidl, P.; Walther, Martin; Fleissner, J.; Rehm, Robert; Diwo, E.; Schwarz, Klaus; Weimann, G.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2001Thermally induced stress changes in high-density plasma deposited silicon nitride films
Sah, R.E.; Baumann, H.; Mikulla, M.; Kiefer, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
20000.15 mu-m passivated InP-based HEMT MMIC technology with high thermal-stability in hydrogen ambient
Chertouk, M.; Dammann, M.; Kohler, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000267-W cw AlGaAs/GaInAs diode laser bars
Braunstein, J.; Mikulla, M.; Kiefer, R.; Walther, M.; Jandeleit, J.; Brandenburg, W.; Loosen, P.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Complementary HFETs on GaAs with 0.2µm gate length
Leuther, A.; Thiede, A.; Köhler, K.; Jakobus, T.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Compound Semiconductors 1999. Proceedings of the 26th International Symposium on Compound Semiconductors
: Ploog, K.H.; Tränkle, G.; Weimann, G.
Tagungsband
2000Effect of drain voltage on channel temperature and reliability of pseudomorphic InP-based HEMTs
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Marsetz, W.; Schmidt, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000Fluorine contamination of PHEMTs during processing
Hülsmann, A.; Bronner, W.; Leuther, A.; Maier, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000GaN static induction transistor fabrication
Weimann, G.; Eastman, L.F.; Obloh, H.; Köhler, K.
Konferenzbeitrag
2000High-efficiency high-power InAlGaAs laser diodes at 980 nm
Mikulla, M.; Schmitt, A.; Bihlmann, G.; Weber, B.; Moritz, R.; Müller, S.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000High-power diode laser bars >250 W
Mikulla, M.; Walther, M.; Kiefer, R.; Jandeleit, J.; Brandenburg, P.; Loosen, P.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Improved high-temperature operation of InGaAs/AlGaAs high-power quantum well lasers by short-period superlattice barriers
Wiedmann, N.; Jandeleit, J.; Mikulla, M.; Kiefer, R.; Bihlmann, G.; Poprawe, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Low-noise QWIPs for FPA sensors with high thermal resolution
Schneider, H.; Walther, M.; Fleissner, J.; Rehm, R.; Diwo, E.; Schwarz, K.; Koidl, P.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Metamorphic Devices
Hülsmann, A.; Benkhelifa, F.; Bronner, W.; Chertouk, M.; Hurm, V.; Köhler, K.; Leuther, A.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Metamorphic HEMT 0.5 mum low cost high performance process on 4'' GaAs substrates
Benkhelifa, F.; Chertouk, M.; Walther, M.; Lösch, R.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000Modeling of the performance of high-brightness tapered lasers
Mariojouls, S.; Morgott, S.; Schmitt, A.; Mikulla, M.; Braunstein, J.; Weimann, G.; Lozes, F.; Bonnefont, S.
Konferenzbeitrag
2000Monolithic and hybrid integrated GaAs-based photoreceivers for 40 Gbit/s optical communication
Hurm, V.; Leven, A.; Benz, W.; Berking, M.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Massler, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Sohn, J.; Walcher, H.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2000QWIP FPAs for high-performance thermal imaging
Schneider, H.; Walther, M.; Schönbein, C.; Rehm, R.; Fleißner, J.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Koidl, P.; Weimann, G.; Ziegler, J.; Cabanski, W.
Zeitschriftenaufsatz
2000Reliability of InAlAs/InGaAs HEMTs grown on GaAs substrate with metamorphic buffer
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000Strain adjustment in (GaIn)(AsSb)/(AlGa)(AsSb) QWs for 2.3.-2.7. µm laser structures
Simanowski, S.; Herres, N.; Mermelstein, C.; Kiefer, R.; Schmitz, J.; Walther, M.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
2000W-band MMICs with 0.15 mu-m metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate - performance, thermal- stability and reliability
Chertouk, M.; Kudszus, S.; Dammann, M.; Reuter, R.; Kohler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
199925-W CW high-brightness tapered semiconductor laser-array
Mikulla, M.; Schmitt, A.; Walther, M.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Arsenic incorporation in molecular beam epitaxy (MBE) grown (AlGaIn)(AsSb) layers for 2.0-2.5 mu m laser structures on GaSb substrates
Simanowski, S.; Walther, M.; Schmitz, J.; Kiefer, R.; Herres, N.; Fuchs, F.; Maier, M.; Mermelstein, C.; Wagner, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Chemically-assisted ion-beam etching of (AlGa)As/GaAs. Lattice damage and removal by in-situ Cl2 treatment
Daleiden, J.; Kiefer, R.; Klußmann, S.; Kunzer, M.; Manz, C.; Walther, M.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999High-efficiency and high-brightness 980-nm AlGaAs/InGaAs diode lasers
Braunstein, J.; Mikulla, M.; Schmitt, A.; Kiefer, R.; Walther, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1999High-power InAlGaAs laser diodes with high efficiency at 980 nm
Mikulla, M.; Schmitt, A.; Walther, M.; Kiefer, R.; Moritz, R.; Müller, S.; Sah, R.E.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1999Influence of optical interference on quantum well infrared photodetectors in a 45 deg waveguide geometry
Schneider, H.; Schönbein, C.; Koidl, P.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1999Passivated 0,15 mu m InAlAs/InGaAs HEMTs with 500 GHz f(max). HF performance, thermal stability and reliability
Chertouk, M.; Dammann, M.; Massler, M.; Köhler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1999Reliability of passivated 0.15 mu m InAlAs/InGaAs HEMT's with pseudomorphic channel
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Schmidt, K.H.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1999Stability of the beam quality of 0.98 mu m InGaAlAs tapered laser oscillators
Schmitt, A.; Mikulla, M.; Walther, M.; Kiefer, R.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
199820 Gbit/s modulation of 1.55 mu m compressively strained InGaAs/InAlGaAs/InP multiple quantum well ridge laser diodes grown by solid source molecular beam epitaxy
Kiefer, R.; Lösch, R.; Walcher, H.; Walther, M.; Weisser, S.; Czotscher, K.; Benz, W.; Rosenzweig, J.; Herres, N.; Maier, M.; Manz, C.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998Effect of atmosphere on reliability of passivated 0.15 mu m InAlAs/InGaAs HEMTs
Dammann, M.; Chertouk, M.; Jantz, W.; Köhler, K.; Schmidt, K.H.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998High-brightness tapered semiconductor laser oscillators and amplifiers with low-modal gain epilayer-structures
Mikulla, M.; Chazan, P.; Schmitt, A.; Morgott, S.; Wetzel, A.; Walther, M.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998High-power near-diffraction-limited external cavity laser, tunable from 1030 to 1085 nm
Morgott, S.; Chazan, P.; Mikulla, M.; Walther, M.; Kiefer, R.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998Improved beam quality for high power tapered laser diodes with LMG (Low Modal Gain) epitaxial layer structures
Mikulla, M.; Schmitt, A.; Chazan, P.; Wetzel, A.; Walther, M.; Kiefer, R.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998MBE growth of metamorphic In(Ga)AlAs buffers
Sexl, M.; Böhm, G.; Maier, M.; Tränkle, G.; Weimann, G.; Abstreiter, G.
Konferenzbeitrag
1998Millimeter wave InP HEMT MMIC technology. Thermal stability and performace
Chertouk, M.; Steinhagen, F.; Massler, H.; Dammann, M.; Haydl, W.H.; Köhler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1998Optimised gate-drain feedback capacitance of W-band high gain passivated 0.15 mu m InAlAs/InGaAs HEMTs
Chertouk, M.; Steinhagen, F.; Massler, H.; Haydl, W.H.; Köhler, K.; Weimann, G.
Zeitschriftenaufsatz
1998W-band high gain passivated 0.15 mu m InP-based HEMTs MMIC technology with high thermal stability on InP substrates
Chertouk, M.; Steinhagen, F.; Massler, H.; Dammann, M.; Haydl, W.H.; Köhler, K.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1997Influence of the epitaxial layer structure on the beam quality factor of tapered semiconductor amplifiers
Chazan, P.; Morgott, S.; Mikulla, M.; Kiefer, R.; Bihlmann, G.; Moritz, R.; Daleiden, J.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1995Time-resolved luminescence of semiconductor heterostructures in high magnetic field
Heberle, A.P.; Haacke, S.; Oestreich, M.; Potemski, M.; Rühle, W.W.; Maan, J.C.; Köhler, K.; Weimann, G.; Queisser, H.-J.
Zeitschriftenaufsatz
1993Application of porous silicon as a sacrificial layer
Lang, W.; Steiner, P.; Richter, A.; Marusczyk, K.; Weimann, G.; Sandmaier, H.
Konferenzbeitrag
1992Overhauser shift and nuclear spin relaxation in Al x Ga 1-x As/GaAs heterostructures.
Kamp, G.; Obloh, H.; Schneider, J.; Weimann, G.; Ploog, K.
Zeitschriftenaufsatz
1988Electrical detection of nuclear magnetic resonance in GaAs-Al(x)Ga(1-x)As heterostructures
Schneider, J.; Dobers, M.; Weimann, G.; Ploog, K.; Klitzing, K. von
Zeitschriftenaufsatz
1988Overhauser-shift of the ESR in the two-dimensional electron gas of GaAs-AlGaAs-heterostructures
Schneider, J.; Dobers, M.; Weimann, G.; Ploog, K.; Klitzing, K. von
Konferenzbeitrag