Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2014Broadband 1.7-2.8 GHz high-efficiency (58%), high-power (43 dBm) class-BJ GaN power amplifier including package engineering
Ture, E.; Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Broadband 1.7-2.8 GHz high-efficiency (58%), high-power (43 dBm) class-BJ GaN power amplifier Including package engineering
Ture, E.; Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Novel layout and packaging for lateral, low-resistance GaN-on-Si power transistors
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Walcher, H.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2014Realization of a 30-W highly efficient and linear reconfigurable dual-band power amplifier using the continuous mode approach
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Raay, F. van; Quay, R.; Ambacher, O.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Bohn, T.; Pascht, A.
Zeitschriftenaufsatz
2012Dual-band class-ABJ AlGaN/GaN high power amplifier
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Dual-band class-ABJ AlGaN/GaN high power amplifier
Carrubba, V.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.; Quay, R.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Fractal structures for low-resistance large area AlGaN/GaN power transistors
Reiner, R.; Waltereit, P.; Benkhelifa, F.; Müller, S.; Walcher, H.; Wagner, S.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2012Microscopic degradation analysis of RF-stressed AlGaN/GaN HEMTs
Gütle, F.; Baeumler, M.; Dammann, M.; Cäsar, M.; Walcher, H.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Müller, S.; Kiefer, R.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon, M.
Konferenzbeitrag
2011100 - 112 Gbit/s complete ETDM systems based on monolithically integrated transmitter and receiver modules
Ke, W.; Jie, L.; Djupsjöbacka, A.; Chacinski, M.; Westergren, U.; Popov, S.; Jacobsen, G.; Hurm, V.; Makon, R.E.; Driad, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Steffan, A.G.; Mekonnen, G.G.; Bach, H.-G.; Zhuo, L.; Friberg, A.
Zeitschriftenaufsatz
2011100 Gb/s RZ-OOK transmission through 212 km deployed SSMF using monolithically integrated ETDM receiver module
Wang, K.; Li, J.; Djupsjöbacka, A.; Popov, S.; Jacobsen, G.; Makon, R.E.; Driad, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Steffan, A.G.; Mekonnen, G.G.; Bach, H.-G.; Li, Z.; Friberg, A.
Zeitschriftenaufsatz
2011Design and realisation of a 50 W GaN class-E power amplifier
Sochor, P.- L.; Maroldt, S.; Musser, M.; Walcher, H.; Kalim, D.; Quay, R.; Negra, R.
Konferenzbeitrag
2011InP DHBT-based IC technology for 100-Gb/s ethernet
Driad, R.; Rosenzweig, J.; Makon, R.E.; Lösch, R.; Hurm, V.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
2011Reliability and degradation mechanism of 0.25 µm AlGaN/GaN HEMTs under RF stress conditions
Dammann, M.; Baeumler, M.; Gütle, F.; Cäsar, M.; Walcher, H.; Waltereit, P.; Bronner, W.; Müller, S.; Kiefer, R.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Graff, A.; Altmann, F.; Simon, M.
Konferenzbeitrag
2011Ultra-high-speed transmitter and receiver ICs for 100 Gbit/s ethernet using InP DHBTs
Makon, R.E.; Driad, R.; Rosenzweig, J.; Hurm, V.; Walcher, H.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Schubert, C.
Konferenzbeitrag
2010100 Gb/s complete ETDM system based on monolithically integrated transmitter and receiver modules
Wang, K.; Li, J.; Djupsjöbacka, A.; Chacinski, M.; Westergren, U.; Popov, S.; Jacobsen, G.; Hurm, V.; Makon, R.E.; Driad, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Steffan, A.G.; Mekonnen, G.G.; Bach, H.-G.
Konferenzbeitrag
2010107-112 Gbit/s fully integrated CDR/1:2 DEMUX using InP-based DHBTs
Makon, R.E.; Driad, R.; Schubert, C.; Fischer, J.; Lösch, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010112 Gb/s field trial of complete ETDM system based on monolithically integrated transmitter & receiver modules for use in 100GbE
Li, J.; Schubert, C.; Derksen, R.H.; Makon, R.E.; Hurm, V.; Djupsjöbacka, A.; Chacinski, M.; Westergren, U.; Bach, H.-G.; Mekonnen, G.G.; Steffan, A.G.; Driad, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
2010GaN power FETs for next generation mobile communication systems
Musser, M.; Walcher, H.; Maier, T.; Quay, R.; Dammann, M.; Mikulla, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2010Setting the stage for 100GbE serial standard - the HECTO project
Derksen, R.H.; Wang, K.; Li, J.; Djupsjöbacka, A.; Jacobsen, G.; Chacinski, M.; Westergren, U.; Popov, S.; Hurm, V.; Makon, R.E.; Driad, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Steffan, A.G.; Mekonnen, G.G.; Bach, H.-G.; Schubert, C.
Konferenzbeitrag
2009100 Gb/s OOK transmission through 212 km field SSMF using monolithically integrated ETDM receiver module
Wang, K.; Li, J.; Djupsjöbacka, A.; Popov, S.; Jacobsen, G.; Makon, R.E.; Driad, R.; Walcher, H.; Steffan, A.G.; Bach, H.-G.
Konferenzbeitrag
2009InP DHBT-based modulator driver module for 100 Gbit/s Ethernet applications
Hurm, V.; Makon, R.E.; Driad, R.; Benkhelifa, F.; Lösch, R.; Massler, H.; Riessle, M.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Walcher, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008InP DHBT-based distributed amplifier for 100 Gbit/s modulator driver operation
Hurm, V.; Benkhelifa, F.; Driad, R.; Lösch, R.; Makon, R.E.; Massler, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Walcher, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008A uniform, reproducible and reliable GaN HEMT technology with breakdown voltages in excess of 160 V delivering more than 60% PAE at 80 V
Waltereit, P.; Bronner, W.; Quay, R.; Dammann, M.; Müller, S.; Kiefer, R.; Walcher, H.; Raay, F. van; Kappeler, O.; Mikulla, M. et al.
Konferenzbeitrag
2007Gleichspannungstrenner
Schneider, K.; Hurm, V.; Walcher, H.; Kolbe, R.
Patent
2007Keramischer und/oder pulvermetallurgischer Verbundformkoerper und Verfahren zu ihrer Herstellung
Moritz, T.; Richter, Hans-Jürgen; Lenk, R.; Baumann, A.; Walcher, H.; Maetzig, M.
Patent
2006Design and W-CDMA characterization of a wideband AlGaN/GaN HEMT power amplifier for future 3G multiband base station applications
Wiegner, D.; Seyfried, U.; Templ, W.; Naß, T.; Weber, S.; Wörner, S.; Dettmann, I.; Quay, R.; Raay, F. van; Walcher, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Reiner, R.; Moritz, R.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2006Two-stage GaN based multiband power amplifier for software defined radio applications
Naß, T.; Wiegner, D.; Seyfried, U.; Templ, W.; Weber, S.; Wörner, S.; Klose, P.; Quay, R.; Raay, F. van; Walcher, H.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Kappeler, O.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2005An AlGaN/GaN push-pull HEMT amplifier with 400 MHz bandwidth and 100 W peak output power
Kappeler, O.; Quay, R.; Raay, F. van; Kiefer, R.; Reiner, R.; Walcher, H.; Müller, S.; Mikulla, M.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005High Power High bandwidth GaN MMICs and hybrid amplifiers: Design and characterization
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Walcher, H.; Kappeler, O.; Seelmann-Eggebert, M.; Muller, S.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005High power/high bandwidth GaN MMICs and hybrid amplifiers: Design and characterization
Raay, F. van; Quay, R.; Kiefer, R.; Müller, S.; Walcher, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Kappeler, O.; Schlechtweg, M.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
2005Multistage broadband amplifiers based on GaN HEMT technology for 3G/4G base station applications with extremely high bandwidth
Wiegner, D.; Merk, T.; Seyfried, U.; Templ, W.; Merk, S.; Quay, R.; Raay, F. van; Walcher, H.; Massler, H.; Seelmann-Eggebert, M.; Reiner, R.; Moritz, R.; Kiefer, R.
Konferenzbeitrag
2003Flip-chip integration of power HEMTs: A step towards a GaN MMIC technology
Seemann, K.; Ramberger, S.; Tessmann, A.; Quay, R.; Schneider, J.; Riessle, M.; Walcher, H.; Kuri, M.; Kiefer, R.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2003Hybrid integrated optical receivers for high-speed data transmission
Leich, M.; Hurm, V.; Berger, J.; Dietrich, E.; Sohn, J.; Leuther, A.; Bronner, W.; Köhler, K.; Lösch, R.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2002(AlGaIn)N ultraviolet LED chips and their use in tri-phosphor luminescence conversion white LEDs
Wagner, J.; Kaufmann, U.; Köhler, K.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Obloh, H.; Schlotter, P.; Stephan, T.; Walcher, H.; Ellens, A.; Rossner, W.; Kobusch, M.
Konferenzbeitrag
200265 GHz bandwidth optical receiver combining a flip-chip mounted waveguide photodiode and GaAs-based HEMT distributed amplifier
Leich, M.; Hurm, V.; Sohn, J.; Feltgen, T.; Bronner, W.; Köhler, K.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
2002High conversion gain flip-chip integrated photoreceivers for broad-band (40 Gbit/s) and narrow-band (10 GHz) applications
Sohn, J.; Leven, A.; Hurm, V.; Walcher, H.; Benz, W.; Ludwig, M.; Kuri, M.; Massler, H.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2002Narrow-band photoreceiver at 10 GHz with a flip-chip mounted 1.55 µm waveguide photodiode
Sohn, J.; Leven, A.; Hurm, V.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Zeitschriftenaufsatz
2001High conversion gain 10-GHz narrow-band photoreceiver with a flip-chip mounted 1.55 µm waveguide photodiode
Sohn, J.; Leven, A.; Hurm, V.; Walcher, H.; Benz, W.; Kuri, M.; Massler, H.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
200040 GHz broadband optical receiver combining a multimode waveguide photodiode flip-chip mounted on a GaAs-based HEMT distributed amplifier
Leven, A.; Hurm, V.; Bronner, W.; Köhler, K.; Walcher, H.; Kiefer, R.; Fleißner, J.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2000Monolithic and hybrid integrated GaAs-based photoreceivers for 40 Gbit/s optical communication
Hurm, V.; Leven, A.; Benz, W.; Berking, M.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Massler, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.; Sohn, J.; Walcher, H.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
199820 Gbit/s modulation of 1.55 mu m compressively strained InGaAs/InAlGaAs/InP multiple quantum well ridge laser diodes grown by solid source molecular beam epitaxy
Kiefer, R.; Lösch, R.; Walcher, H.; Walther, M.; Weisser, S.; Czotscher, K.; Benz, W.; Rosenzweig, J.; Herres, N.; Maier, M.; Manz, C.; Pletschen, W.; Braunstein, J.; Weimann, G.
Konferenzbeitrag
1997Chirp characteristics of 1.55 mu m InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well laser diodes
Czotscher, K.; Weisser, S.; Länge, R.; Benz, W.; Burkhard, H.; Hillmer, H.; Steinhagen, F.; Kiefer, R.; Lösch, R.; Pletschen, W.; Walcher, H.; Walther, M.; Rosenzweig, J.
Konferenzbeitrag
1994Verfahren zur Abscheidung glatter polykristalliner Schichten
Wild, C.; Koidl, P.; Mueller Sebert, W.; Walcher, H.; Eckermann, T.
Patent
1993Chemical vapour deposition and characterization of smooth -100-faceted diamond films.
Wild, C.; Koidl, P.; Müller-Sebert, W.; Walcher, H.; Kohl, R.; Herres, N.; Locher, R.; Samlenski, R.; Brenn, R.
Zeitschriftenaufsatz
1991Far-infrared emission by resonant-polaron effects in narrow-band-gap Hg(1-x)Cd(x)Te
Fuchs, F.; Schneider, H.; Schwarz, K.; Walcher, H.; Triboulet, R.; Koidl, P.
Zeitschriftenaufsatz
1982Quecksilber-Cadmium-Tellurid - Technische Bedeutung und my g-Relevanz der Kristallzuechtung
Walcher, H.; Baars, J.; Diehl, R.
Aufsatz in Buch