Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2005GaN/AlGaN HEMTs for highly linear communication applications in L-frequency band
Quay, R.; Würfl, J.; Wiegner, D.; Fischer, G.; Schubert, C.; Magerl, G.
Konferenzbeitrag
2004Frontiers of III-V compounds and devices
Würfl, J.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
2003AlGaN/GaN HEMTs on silicon carbide substrates for microwave power operation
Lossy, R.; Chaturvedi, N.; Heymann, P.; Köhler, K.; Müller, S.; Würfl, J.
Konferenzbeitrag
2002Large area AlGaN/GaN HEMTs grown on insulating silicon carbide substrates
Lossy, R.; Chaturvedi, N.; Würfl, J.; Müller, S.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
2000Reliability of AIGaN/GaN HFETs comprising refractory ohmic and Schottky contacts
Würfl, J.; Hilsenbeck, J.; Nebauer, E.; Tränkle, G.; Obloh, H.; Österle, W.
Konferenzbeitrag
2000Technology and performance of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on 2-inch epitaxy for microwave power applications
Lossy, R.; Hilsenbeck, J.; Würfl, J.; Köhler, K.; Obloh, H.
Konferenzbeitrag
1996Operational amplifier design using GaAs MESFET for temperature applications up to 350 deg C
Baureis, P.; Gerber, J.; Würfl, J.; Janke, B.
Konferenzbeitrag