Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2013TEMAZ/O-3 atomic layer deposition process with doubled growth rate and optimized interface properties in metal-insulator-metal capacitors
Weinreich, W.; Tauchnitz, T.; Polakowski, P.; Drescher, M.; Riedel, S.; Sundqvist, J.; Seidel, K.; Shirazi, M.; Elliott, S.D.; Ohsiek, S.; Erben, E.; Trui, B.
Zeitschriftenaufsatz
2011Impact of nitrogen post deposition annealing on hafnium zirconate dielectrics for 32 nm high-performance SOI CMOS technologies
Kelwing, T.; Naumann, A.; Trentzsch, M.; Graetsch, F.; Bayha, B.; Herrmann, L.; Trui, B.; Rudolph, D.; Lipp, D.; Krause, G.; Carter, R.; Stephan, R.; Kücher, P.; Hansch, W.
Zeitschriftenaufsatz
2010Comparison of MOCVD- and ALD-deposited $ hbox {HfZrO} {4} gate dielectrics for 32-nm high-performance logic SOI CMOS technologies
Kelwing, T.; Naumann, A.; Trentzsch, M.; Trui, B.; Herrmann, L.; Mutas, S.; Graetsch, F.; Carter, R.; Stephan, R.; Kücher, P.; Hansch, W.
Zeitschriftenaufsatz
2010Physical and electrical properties of MOCVD and ALD deposited HfZrO4 gate dielectrics for 32nm CMOS high performance logic SOI technologies
Kelwing, T.; Mutas, S.; Trentzsch, M.; Naumann, A.; Trui, B.; Herrmann, L.; Graetsch, F.; Klein, C.; Wilde, L.; Ohsiek, S.; Weisheit, M.; Peeva, A.; Richter, I.; Prinz, H.; Wuerfel, A.; Carter, R.; Stephan, R.; Kücher, P.; Hansch, W.
Konferenzbeitrag
2008Novel enhanced stressors with graded encapsulated SiGe embedded in the source and drain areas
Naumann, A.; Kronholz, S.; Mowry, A.; Ostermay, I.; Bierstedt, H.; Trui, B.; Dittmar, K.; Kücher, P.; Bartha, J.W.; Kammler, T.
Zeitschriftenaufsatz
2006Thermal stability of CoSi2 layers implemented in a silicon-on-insulator substrate
Zhao, Q.T.; Bay, H.L.; Zimmermann, S.; Wiemer, M.; Kaufmann, C.; Trui, B.; Höhnemann, H.; Dudek, V.; Mantl, S.
Zeitschriftenaufsatz
2005Fabrication and characterization of buried silicide layers on SOI substrates for BICMOS-applications
Zimmermann, S.; Zhao, Q.T.; Trui, B.; Wiemer, M.; Kaufmann, C.; Mantl, S.; Dudek, V.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2005Fabrication of SOI substrates with buried silicide layers for BiCMOS applications
Wiemer, M.; Zimmermann, S.; Zhao, Q.T.; Trui, B.; Kaufmann, C.; Mantl, S.; Dudek, V.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2000Investigation of Si(1-x)Ge(x)/Si heterostructures on SIMOX substrates for CMOS applications
Trui, B.; Frohberg, K.; Hürrich, A.
Aufsatz in Buch
2000Investigation of SiGe/Si - heterostructures with high resolution x-ray diffraction methods
Frohberg, K.; Wehner, B.; Trui, B.; Wolf, K.; Paufler, P.; Kück, H.
Konferenzbeitrag
2000Untersuchungen zu CMOS-kompatiblen Bauelementen mit siGe/Si-Heterostrukturen auf SIMOX-Substraten
Trui, B.
Dissertation
1998Investigation of SiGe/Si-heterostructures with high resolution X-ray diffraction methods
Frohberg, K.; Wehner, B.; Trui, B.; Wolf, K.; Paufler, P.; Kück, H.
Konferenzbeitrag