Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2016Doping behavior of (112‾2) GaN grown on patterned sapphire substrates
Meisch, T.; Zeller, R.; Schörner, S.; Thonke, K.; Kirste, L.; Fuchs, T.; Scholz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2014Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates
Scholz, F.; Meisch, T.; Caliebe, M.; Schörner, S.; Thonke, K.; Kirste, L.; Bauer, S.; Lazarev, S.; Baumbach, T.
Zeitschriftenaufsatz
2012Semipolar GaInN quantum well structures on large area substrates
Scholz, F.; Schwaiger, S.; Däubler, J.; Tischer, I.; Thonke, K.; Neugebauer, S.; Metzner, S.; Bertram, F.; Christen, J.; Lengner, H.; Thalmair, J.; Zweck, J.
Zeitschriftenaufsatz
2011High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiNx interlayers
Forghani, K.; Klein, M.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Hertkorn, J.; Leute, R.A.R.; Scholz, F.; Feneberg, M.; Neuschl, B.; Thonke, K.; Klein, O.; Kaiser, U.; Gutt, R.; Passow, T.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2011Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, T.; Feneberg, M.; Lipski, F.; Wang, J.; Leute, R.A.R.; Schwaiger, S.; Thonke, K.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, S.; Bertram, F.; Christen, J.; Beirne, G.J.; Jetter, M.; Michler, P.; Schade, L.; Vierheilig, C.; Schwarz, U.T.; Dräger, A.D.; Hangleiter, A.; Scholz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2008Optimization of semipolar GaInN/GaN blue/green light emitting diode structures on {1-101} GaN side facets
Wunderer, T.; Hertkorn, J.; Lipski, F.; Brückner, P.; Feneberg, M.; Schirra, M.; Thonke, K.; Knoke, I.; Meissner, E.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Scholz, F.
Konferenzbeitrag
1991Crystal-field splittings of Er3+-4f11- in molecular beam epitaxially grown ErAs/GaAs.
Schneider, J.; Müller, H.D.; Fuchs, F.; Thonke, K.; Dörnen, A.; Ralston, J.D.
Zeitschriftenaufsatz
1990Structural, electrical and optical characterization of single-crystal ErAs layers grown on GaAs by MBE.
Ralston, J.D.; Hiesinger, P.; Schneider, J.; Müller, H.D.; Rothemund, W.; Fuchs, F.; Schmälzlin, J.; Thonke, K.; Herres, N.; Ennen, H.; Wennekers, P.
Zeitschriftenaufsatz
1988A zeeman study of the 1.54 micrometer transition in molecular beam epitaxial GaAs-Er.
Thonke, K.; Hermann, H.U.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz