Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2014Advanced extra functionality CMOS-based devices
Cristiano, F.; Pichler, P.; Tavernier, C.; Windl, W.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2014Large boron-interstitial cluster modelling in BF3 plasma implanted silicon
Essa, Z.; Cristiano, F.; Spiegel, Y.; Qiu, Y.; Boulenc, P.; Quillec, M.; Taleb, N.; Zographos, N.; Bedel-Pereira, E.; Mortet, V.; Burenkov, A.; Hackenberg, M.; Torregrosa, F.; Tavernier, C.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2013Influence of La on the electrical properties of HfSiON: From diffusion to Vth shifts
Hackenberg, M.; Pichler, P.; Baudot, S.; Essa, Z.; Gro-Jean, M.; Tavernier, C.; Schamm-Chardon, S.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012BF3 PIII modeling: Implantation, amorphisation and diffusion
Essa, Z.; Cristiano, F.; Spiegel, Y.; Boulenc, P.; Qiu, Y.; Quillec, M.; Taleb, N.; Burenkov, A.; Hackenberg, M.; Bedel-Pereira, E.; Mortet, V.; Torregrosa, F.; Tavernier, C.
Konferenzbeitrag
2012Enthalpy based modeling of pulsed excimer laser annealing for process simulation
Hackenberg, M.; Pichler, P.; Huet, K.; Negru, R.; Venturini, J.; Pakfar, A.; Tavernier, C.; La Magna, A.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2012Implantation-induced structural defects in highly activated USJs: Boron precipitation and trapping in pre-amorphised silicon
Cristiano, F.; Essa, Z.; Qiu, Y.; Spiegel, Y.; Torregrosa, F.; Duchaine, J.; Boulenc, P.; Tavernier, C.; Cojocaru, O.; Blavette, D.; Mangelinck, D.; Fazzini, P.F.; Quillec, M.; Bazizi, M.; Hackenberg, M.; Boninelli, S.
Konferenzbeitrag
2012Precipitation of antimony implanted into silicon
Koffel, S.; Pichler, P.; Reading, M.A.; Berg, J. van den; Kheyrandish, H.; Hamm, S.; Lerch, W.; Pakfar, A.; Tavernier, C.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Comparison between 65nm bulk and PD-SOI MOSFETs. Si/BOX interface effect on point defects and doping profiles
Bazizi, E.M.; Pakfar, A.; Fazzini, P.F.; Cristiano, F.; Tavernier, C.; Claverie, A.; Burenkov, A.; Pichler, P.
Konferenzbeitrag
2009PD-SOI MOSFETs: Interface effect on point defects and doping profiles
Bazizi, E.M.; Pakfar, A.; Fazzini, P.F.; Cristiano, F.; Tavernier, C.; Claverie, A.; Burenkov, A.; Pichler, P.
Konferenzbeitrag
2008Experimental investigations and simulation of the deactivation of arsenic during thermal processes after activation by SPER and spike annealing
Martinez-Limia, A.; Pichler, P.; Lerch, W.; Paul, S.; Kheyrandish, H.; Pakfar, A.; Tavernier, C.
Zeitschriftenaufsatz
2008Process models for advanced annealing schemes and their use in device simulation
Pichler, P.; Martinez-Limia, A.; Kampen, C.; Burenkov, A.; Schermer, J.; Paul, S.; Lerch, W.; Gelpey, J.; McCoy, S.; Kheyrandish, H.; Pakfar, A.; Tavernier, C.; Bolze, D.
Konferenzbeitrag