Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2016Doping behavior of (112‾2) GaN grown on patterned sapphire substrates
Meisch, T.; Zeller, R.; Schörner, S.; Thonke, K.; Kirste, L.; Fuchs, T.; Scholz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2016Fully automated hybrid diode laser assembly using high precision active alignment
Böttger, G.; Weber, D.; Scholz, F.; Schröder, H.; Schneider-Ramelow, M.; Lang, K.-D.
Konferenzbeitrag
2014Growth and doping of semipolar GaN grown on patterned sapphire substrates
Scholz, F.; Meisch, T.; Caliebe, M.; Schörner, S.; Thonke, K.; Kirste, L.; Bauer, S.; Lazarev, S.; Baumbach, T.
Zeitschriftenaufsatz
2013High power efficiency AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
Passow, T.; Gutt, R.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2012AlGaN-based 355 nm UV light-emitting diodes with high power efficiency
Gutt, R.; Passow, T.; Kunzer, M.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz
2012Effect of In incorporation into the quantum well active region on the efficiency of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes
Passow, T.; Gutt, R.; Kunzer, M.; Kirste, L.; Pletschen, W.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Semipolar GaInN quantum well structures on large area substrates
Scholz, F.; Schwaiger, S.; Däubler, J.; Tischer, I.; Thonke, K.; Neugebauer, S.; Metzner, S.; Bertram, F.; Christen, J.; Lengner, H.; Thalmair, J.; Zweck, J.
Zeitschriftenaufsatz
2012Strain and defects in Si-doped (Al)GaN epitaxial layers
Forghani, K.; Schade, L.; Schwarz, U.T.; Lipski, F.; Klein, O.; Kaiser, U.; Scholz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2011Efficient 350 nm LEDs on low edge threading dislocation density AlGaN buffer layers
Gutt, R.; Passow, T.; Pletschen, W.; Kunzer, M.; Kirste, L.; Forghani, K.; Scholz, F.; Klein, O.; Kaiser, U.; Köhler, K.; Wagner, J.
Konferenzbeitrag
2011High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiNx interlayers
Forghani, K.; Klein, M.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Hertkorn, J.; Leute, R.A.R.; Scholz, F.; Feneberg, M.; Neuschl, B.; Thonke, K.; Klein, O.; Kaiser, U.; Gutt, R.; Passow, T.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2011Improved quantum efficiency of 350 nm LEDs grown on low dislocation density AlGaN buffer layers
Kunzer, M.; Gutt, R.; Kirste, L.; Passow, T.; Forghani, K.; Scholz, F.; Köhler, K.; Wagner, J.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Rosige zeiten für grünes Licht
Schwarz, U.T.; Scholz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2011Three-dimensional GaN for semipolar light emitters
Wunderer, T.; Feneberg, M.; Lipski, F.; Wang, J.; Leute, R.A.R.; Schwaiger, S.; Thonke, K.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, S.; Bertram, F.; Christen, J.; Beirne, G.J.; Jetter, M.; Michler, P.; Schade, L.; Vierheilig, C.; Schwarz, U.T.; Dräger, A.D.; Hangleiter, A.; Scholz, F.
Zeitschriftenaufsatz
2009Green light source by single-pass second harmonic generation with laser and crystal in a tilted butt joint setup
Wiedmann, J.; Scholz, F.; Tekin, T.; Marx, S.; Lang, G.; Schröder, H.; Brox, O.; Erbert, G.
Konferenzbeitrag
2009Oxygen induced strain field homogenization in AlN nucleation layers and its impact on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy on sapphire: An X-ray diffraction study
Bläsing, J.; Krost, A.; Hertkorn, J.; Scholz, F.; Kirste, L.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.
Zeitschriftenaufsatz
2008Compact green laser source using butt-coupling between multi-section DFB-laser and SHG waveguide crystal
Wiedmann, J.; Brox, O.; Tekin, T.; Scholz, F.; Büttner, T.; Marx, S.; Lang, G.; Schröder, H.; Klehr, A.; Erbert, G.
Zeitschriftenaufsatz
2008A compact integrated green-light source by second harmonic generation of a GaAs distributed feedback laser diode
Tekin, T.; Schröder, H.; Wunderle, B.; Erbert, G.; Klehr, A.; Brox, O.; Wiedmann, J.; Scholz, F.
Konferenzbeitrag
2008Optimization of semipolar GaInN/GaN blue/green light emitting diode structures on {1-101} GaN side facets
Wunderer, T.; Hertkorn, J.; Lipski, F.; Brückner, P.; Feneberg, M.; Schirra, M.; Thonke, K.; Knoke, I.; Meissner, E.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Scholz, F.
Konferenzbeitrag
2006Morphology and microstructure of a-plane GaN layers grown by MOVPE and by low pressure solution growth (LPSG)
Hussy, S.; Meissner, E.; Birkmann, B.; Brauer, I.; Off, J.; Scholz, F.; Strunk, H.P.; Müller, G.
Zeitschriftenaufsatz
2005Improved GaN layer morphology by hydride vapor phase epitaxy on misoriented Al(2)O(3) wafers
Scholz, F.; Brueckner, P.; Habel, F.; Peter, M.; Köhler, K.
Zeitschriftenaufsatz
2003Characterization of a laser produced plasma source for a laboratory EUV reflectometer
Scholze, F.; Scholz, F.; Tümmler, J.; Ulm, G.; Legall, H.; Nickles, P.-V.; Sandner, W.; Stiel, H.; Loyen, L. van
Konferenzbeitrag
2000The impact of LOC structures on 670-nm (Al)GaInP high-power lasers
Lichtenstein, N.; Winterhoff, R.; Scholz, F.; Schweizer, H.; Weiss, S.; Hutter, M.; Reichl, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Antioxidative Systems in Spruce Clones Grown at High Altitudes
Polle, A.; Rennenberg, H.; Scholz, F.
Konferenzbeitrag
1999Mode conversion in GaN based laser structures on sapphire due to the birefringence of the nitrides
Heppel, S.; Wirth, R.; Off, J.; Scholz, F.; Hangleiter, A.; Obloh, H.; Wagner, J.; Kirchner, C.; Kamp, M.
Zeitschriftenaufsatz
1995Schwermetalldetektion durch Strippng Analyse an Mikroelektroden
Uhlig, A.; Diedrich, H.J.; Scholz, F.; Hintsche, R.
Konferenzbeitrag
1994Selective MOVPE-growth of GaAs on Si for photovoltaic devices
Zieger, K.; Strauss, P.; Scholz, F.; Frankowsky, G.; Hangleiter, A.; Blieske, U.; Schetter, C.; Lutz, F.; Frese, V.; Bett, A.W.
Konferenzbeitrag
1983Erfahrungen beim klinischen Einsatz des Periotestgeraetes zur Messung der Funktion des Parodontiums
d'Hoedt, B.; Frey, D.; Lukas, D.; Quante, F.; Scholz, F.; Schulte, W.; Topkaya, A.
Zeitschriftenaufsatz