Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2001'On-wafer' surface implanted high power, picosecond pulse InGaAsP/InP ( lambda =1.53-1.55 mu m) laser diodes
Paraskevopoulos, A.; Hensel, H.-J.; Schelhase, S.; Frahm, J.; Kubler, J.; Denker, A.; Gubenko, A.; Portnoi, E.L.
Zeitschriftenaufsatz
2001Status of InP-based metal organic MBE with reference to conventional MBE and MOVPE
Kunzel, H.; Gibis, R.; Kaiser, R.; Malchow, S.; Schelhase, S.
Konferenzbeitrag
2000"On-wafer" surface implanted high power, picosecond pulse InGaAs/InP ( lambda -1.53-1.55 mu m) laser diodes
Paraskevopoulos, A.; Hensel, H.-J.; Schelhase, S.; Frahm, J.; Kubler, J.; Denker, A.; Gubenko, A.; Portnoi, E.L.
Konferenzbeitrag
2000'On-wafer' surface implanted high power, picosecond pulse InGaAsP/InP ( = 1.53-1.55 m) laser diodes
Paraskevopoulos, A.; Hensel, H.-J.; Schelhase, S.; Frahm, J.; Kuebler, J.; Denker, A.; Gubenko, A.; Portnoi, E.L.
Konferenzbeitrag
2000High-power, picosecond pulse generation from surface implanted InGaAsP/InP ( = 1.53 m) laser diodes
Paraskevopoulos, A.; Hensel, H.-J.; Schelhase, S.; Frahm, J.; Kuebler, J.; Denker, A.; Gubenko, A.; Portnoi, E.L.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2000High-power, picosecond pulse generation from surface implanted InGaAsP/InP ( lambda =1.53 mu m) laser diodes
Paraskevopoulos, A.; Hensel, H.-J.; Schelhase, S.; Frahm, J.; Kubler, J.; Denker, A.; Gubenko, A.; Portnoi, E.L.
Konferenzbeitrag
2000MOMBE selective infill growth of InP/GaInAs for quantum dot formation
Gibis, R.; Schelhase, S.; Steingrüber, R.; Urmann, G.; Kunzel, H.; Thiel, S.; Stier, O.; Bimberg, D.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2000Ultrafast locking optical clock for IP packet switching applications
Bauer, S.; Bornholdt, C.; Brox, O.; Hoffmann, D.; Möhrle, M.; Sahin, G.; Sartorius, B.; Schelhase, S.
Konferenzbeitrag
1998Selective infill metalorganic molecular beam epitaxy of InP:Si n+/n- layers for buried collector double heterostructure bipolar transistors
Schelhase, S.; Bottcher, J.; Gibis, R.; Harde, P.; Paraskevopoulos, A.; Kunzel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1996MOMBE growth of high quality GaInAsP (lambda g=1.05 mu m) for waveguide applications
Kuenzel, H.; Albrecht, P.; Gibis, R.; Hamacher, M.; Schelhase, S.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
1996MOMBE selective infill growth of InP:Si and InGaAs:Si and large area MOMBE regrowth
Schelhase, S.; Boettcher, J.; Gibis, R.; Kuenzel, H.; Paraskevopoulos, A.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz