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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2016Ion implantation of polypropylene films for the manufacture of thin film capacitors
Häublein, V.; Birnbaum, E.; Ryssel, H.; Frey, L.; Djupmyr, M.
Konferenzbeitrag
2015Thermal laser separation - a novel dicing technology fulfilling the demands of volume manufacturing of 4H-SiC devices
Lewke, D.; Dohnke, K.O.; Zühlke, H.U.; Cerezuela Barret, M.; Schellenberger, M.; Bauer, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2014High quality and high speed cutting of 4H-SiC JFET wafers including PCM structures by using thermal laser separation
Lewke, D.; Koitzsch, M.; Dohnke, K.O.; Schellenberger, M.; Zuehlke, H.-U.; Rupp, R.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2014Modification of polypropylene films for thin film capacitors by ion implantation
Häublein, V.; Birnbaum, E.; Ryssel, H.; Frey, L.; Grimm, W.
Konferenzbeitrag
2014Out-diffusion of cesium and rubidium from amorphized silicon during solid-phase epitaxial regrowth
Maier, R.; Häublein, V.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2014Systematic analysis of the high- and low-field channel mobility in lateral 4H-SiC MOSFETs
Strenger, C.; Uhnevionak, V.; Mortet, V.; Ortiz, G.; Erlbacher, T.; Burenkov, A.; Bauer, A.J.; Cristiano, F.; Bedel-Pereira, E.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2013Apertureless SNOM imaging of the surface phonon polariton waves. What do we measure?
Kazantsev, D.V.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2013Comparative study of n-LIGBT and n-LDMOS structures on 4H-SiC
Häublein, V.; Temmel, G.; Mitlehner, H.; Rattmann, G.; Strenger, C.; Hürner, A.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2013Conduction mechanisms in thermal nitride and dry gate oxides grown on 4H-SiC
Ouennoughi, Z.; Strenger, C.; Bourouba, F.; Haeublein, V.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2013Correlation of interface characteristics to electron mobility in channel-implanted 4H-SiC MOSFETs
Strenger, C.; Uhnevionak, V.; Burenkov, A.; Bauer, A.J.; Mortet, V.; Bedel-Pereira, E.; Cristiano, F.; Krieger, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2013Improving electric behavior and simplifying production of Si-based diodes by using thermal laser separation
Koitzsch, M.; Lewke, D.; Schellenberger, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Kolb, R.; Zühlke, H.-U.
Konferenzbeitrag
2013Influence of ion implantation in SiC on the channel mobility in lateral n-channel MOSFETs
Strenger, C.; Uhnevionak, V.; Burenkov, A.; Bauer, A.J.; Pichler, P.; Erlbacher, T.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2013Scanning head for the apertureless near field optical microscope
Kazantsev, D.V.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2013Simulation and design optimization of transparent heaters for spectroscopic micro cells
Völlm, H.; Herrmann, J.; Maier, R.; Feili, D.; Häublein, V.; Ryssel, H.; Seidel, H.
Konferenzbeitrag
2012Ablation Free Dicing of 4H-SiC Wafers with Feed Rates up to 200 mm/s by Using Thermal Laser Separation
Lewke, Dirk; Koitzsch, Matthias; Schellenberger, Martin; Pfitzner, Lothar; Ryssel, Heiner; Zühlke Hans-Ulrich
Konferenzbeitrag
2012Amplitude modulated resonant push-pull driver for piezoelectric transformers in switching power applications
Schwarzmann, Holger; Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.; Ryssel, Heiner; Frey, Lothar
Konferenzbeitrag
2012Angular distributions of sputtered silicon at grazing gallium ion beam incidence
Burenkov, Alex; Sekowski, Matthias; Belko, Viktor; Ryssel, Heiner
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2012Comparative study of electrical and microstructural properties of 4H-SiC MOSFETs
Strenger, C.; Häublein, V.; Erlbacher, T.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Beltran, A.M.; Schamm-Chardon, S.; Mortet, V.; Bedel-Pereira, E.; Lefebvre, M.; Cristiano, F.
Konferenzbeitrag
2012Enhancements in resizing single crystalline silicon wafers up to 450 mm by using thermal laser separation
Koitzsch, M.; Lewke, D.; Schellenberger, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Zühlke, H.U.
Konferenzbeitrag
2012Purity of ion beams: Analysis and simulation of mass spectra and mass interferences in ion implantation
Häublein, V.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2012Solid-phase epitaxy of silicon amorphized by implantation of the alkali elements rubidium and cesium
Maier, R.; Häublein, V.; Ryssel, H.; Völlm, H.; Feili, D.; Seidel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2012Thermal laser separation and its applications
Lewke, Dirk; Koitzsch, Matthias; Schellenberger, Martin; Pfitzner, Lothar; Ryssel, Heiner; Zühlke, Hans-Ulrich
Zeitschriftenaufsatz
20114H-SiC n-MOSFET logic circuits for high temperature operation
Le-Huu, M.; Grieb, M.; Schrey, F.F.; Schmitt, H.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2011Conduction mechanisms and environmental sensitivity of solution-processed silicon nanoparticle layers for thin-film transistors
Weis, S.; Körmer, R.; Jank, M.P.M.; Lemberger, M.; Otto, M.; Ryssel, H.; Peukert, W.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2011Defects formed by pulsed laser annealing: Electrical properties and depth profiles in n-type silicon measured by deep level transient spectroscopy
Schindele, D.; Pichler, P.; Lorenz, J.; Oesterlin, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Dielectric layers suitable for high voltage integrated trench capacitors
Dorp, J. vom; Erlbacher, T.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Dopant profiles in silicon created by MeV hydrogen implantation: Influence of annealing parameters
Laven, J.G.; Schulze, H.-J.; Häublein, V.; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2011Effect of increased oxide hole trap density due to nitrogen incorporation at the SiO2/SiC interface on F-N current degradation
Strenger, C.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2011Effects of oxygen and forming gas annealing on ZnO TFTs
Huang, J.; Radhakrishna, U.; Lemberger, M.; Jank, M.P.M.; Polster, S.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2011Fluorine implantation for effective work function control in p-type metal-oxide-semiconductor high-k metal gate stacks
Fet, A.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Germanium substrate loss during thermal processing
Kaiser, R.J.; Koffel, S.; Pichler, P.; Bauer, A.J.; Amon, B.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011High pressure oxidation of 4H-SiC in nitric acid vapor
Kalai Selvi, K.; Sreenidhi, T.; Dasgupta, N.; Ryssel, H.; Bauer, A.
Zeitschriftenaufsatz
2011Investigation of the reliability of 4H-SiC MOS devices for high temperature applications
Le-Huu, M.; Schmitt, H.; Noll, S.; Grieb, M.; Schrey, F.F.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2011Modulares Steuerungskonzept für integrierte Messtechnik in der Halbleiterfertigung am Beispiel einer Mehrkammerprozessanlage
Schellenberger, Martin
: Ryssel, H.; Frey, L.
Dissertation
2011Monolithic RC-snubber for power electronic applications
Dorp, Joachim vom; Berberich, Sven E.; Erlbacher, Tobias; Bauer, Anton J.; Ryssel, Heiner; Frey, Lothar
Konferenzbeitrag
2011A novel PWM control for a bi-directional full-bridge DC-DC converter with smooth conversion mode transitions
Lorentz, V.R.H.; Schwarzmann, H.; März, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.; Poure, P.; Braun, F.
Zeitschriftenaufsatz
2011Properties of SiO2 and Si3N4 as gate dielectrics for printed ZnO transistors
Walther, S.; Polster, S.; Meyer, B.; Jank, M.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2011Tuning of charge carrier density of ZnO nanoparticle films by oxygen plasma treatment
Walther, S.; Polster, S.; Jank, M.P.M.; Thiem, H.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
20102D Angular distributions of ion sputtered germanium atoms under grazing incidence
Sekowski, M.; Burenkov, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2010Aerosol synthesis of silicon nanoparticles with narrow size distribution. Pt.1: Experimental investigations
Körmer, R.; Jank, M.P.M.; Ryssel, H.; Schmid, H.-J.; Peukert, W.
Zeitschriftenaufsatz
2010Comparison of the threshold-voltage stability of SiC MOSFETs with thermally grown and deposited gate oxides
Grieb, M.; Noborio, M.; Peters, D.; Bauer, A.J.; Friedrichs, P.; Kimoto, T.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2010Deep doping profiles in silicon created by MeV hydrogen implantation: Influence of implantation parameters
Laven, J.G.; Schulze, H.-J.; Häublein, V.; Niedernostheide, F.-J.; Schulze, H.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2010Effective work function tuning in high-kappa dielectric metal-oxide-semiconductor stacks by fluorine and lanthanide doping
Fet, A.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2010Effects of oxygen and forming gas annealing on ZnO-TFTs
Huang, J.; Krishna, U.R.; Lemberger, M.; Jank, M.P.M.; Polster, S.; Ryssel, H.; Frey, L.
Poster
2010Electrical and topographical characterization of aluminum implanted layers in 4H silicon carbide
Rambach, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
2010FD SOI MOSFET compact modeling including process variations
Kampen, C.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2010Honeycomb voids due to ion implantation in germanium
Kaiser, R.J.; Koffel, S.; Pichler, P.; Bauer, A.J.; Amon, B.; Claverie, A.; Benassayag, G.; Scheiblin, P.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Impact of forming gas annealing on ZnO-TFTs
Huang, J.; Krishna, U.R.; Lemberger, M.; Jank, M.P.M.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2010The impact of helium co-implantation on hydrogen induced donor profiles in float zone silicon
Laven, J.G.; Job, R.; Schulze, H.-J.; Niedernostheide, F.-J.; Häublein, V.; Schulze, H.; Schustereder, W.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2010The impact of helium co-implantation on hydrogen induced donor profiles in float zone silicon
Schulze, H.-J.; Niedernostheide, F.-J.; Häublein, V.; Schulze, H.; Schustereder, W.; Ryssel, H.; Frey, L.; Job, R.; Laven, J.G.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2010Influence of annealing temperature and measurement ambient on TFTs based on gas phase synthesized ZnO nanoparticles
Walther, S.; Schäfer, S.; Jank, M.P.M.; Thiem, H.; Peukert, W.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2010Integrierbare Bauelemente zur Erhöhung der Betriebssicherheit elektronischer Systemkomponenten im Automobil
Dorp, J. vom; Erlbacher, T.; Lorentz, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2010Lanthanoid implantation for effective work function control in NMOS high-k/metal gate stacks
Fet, A.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2010Lossless average inductor current sensor for CMOS integrated DC-DC converters operating at high frequencies
Lorentz, V.R.H.; Berberich, S.E.; März, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Poure, P.; Braun, F.
Zeitschriftenaufsatz
2010Modeling of the effective work function instability in metal/high-kappa dielectric stacks
Fet, A.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Zeitschriftenaufsatz
2010NMOS logic circuits using 4H-SiC MOSFETs for high temperature applications
Le-Huu, M.; Schrey, F.F.; Grieb, M.; Schmitt, H.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
2010Polymer bonded soft magnetics for EMI filter applications in power electronics
Engelkraut, S.; Ryssel, H.; Frey, L.; Rauch, M.; Schletz, A.; März, M.
Konferenzbeitrag
2009Analysis of the DC-arc behavior of a novel 3D-active fuse
Dorp, J. vom; Berberich, S.E.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Charakterisierung und Modellierung von Ladungseinfangmechanismen in dielektrischen Speicherschichten
Klar, O.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
2009Complementary metrology within a European joint laboratory
Nutsch, A.; Beckhoff, B.; Altmann, R.; Berg, J.A. van den; Giubertoni, D.; Hoenicke, P.; Bersani, M.; Leibold, A.; Meirer, F.; Müller, M.; Pepponi, G.; Otto, M.; Petrik, P.; Reading, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2009Effective work function engineering by lanthanide ion implantation of metal-oxide semiconductor gate stacks
Fet, A.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Electrical characterization of MOS structures with deposited oxides annealed in N2O or NO
Grieb, M.; Noborio, M.; Peters, D.; Bauer, A.J.; Friedrichs, P.; Kimoto, T.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2009Experimental observation of FIB induced lateral damage on silicon samples
Spoldi, G.; Beuer, S.; Rommel, M.; Yanev, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in tungsten/4H-SiC (000-1) Schottky diodes"
Toumi, S.; Ferhat-Hamida, A.; Boussouar, L.; Sellai, A.; Ouennoughi, Z.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Impact of interface variations on J-V and C-V polarity asymmetry of MIM capacitors with amorphous and crystalline Zr(1-x)AlxO2 films
Weinreich, W.; Reiche, R.; Lemberger, M.; Jegert, G.; Müller, J.; Wilde, L.; Teichert, S.; Heitmann, J.; Erben, E.; Oberbeck, L.; Schröder, U.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Influence of the oxidation temperature and atmosphere on the reliability of thick gate oxides on the 4H-SiC C(000-1) face
Grieb, M.; Peters, D.; Bauer, A.J.; Friedrichs, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2009Lanthanum implantation for threshold voltage control in metal/high-k devices
Fet, A.; Häublein, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Frey, L.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Light-load efficiency increase in high-frequency integrated DC–DC converters by parallel dynamic width controlling
Lorentz, V.; Berberich, S.; März, M.; Bauer, A.; Ryssel, H.; Poure, P.; Braun, F.
Zeitschriftenaufsatz
2009Performance optimization of semiconductor manufacturing equipment by the application of discrete event simulation
Pfeffer, M.; Pfitzner, L.; Ocker, B.; Öchsner, R.; Ryssel, H.; Verdonck, P.
Konferenzbeitrag
2009Properties of TaN thin films produced using PVD linear dynamic deposition technique
Kozlowska, M.; Oechsner, R.; Pfeffer, M.; Bauer, A.J.; Meissner, E.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Maass, W.; Langer, J.; Ocker, B.; Schmidbauer, S.; Gonchond, J.-P.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2009Silicon based trench hole power capacitor
Berberich, S.E.; Dorp, J. vom; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2009Simulation assessment of process options for advanced CMOS devices
Kampen, C.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2009Suppression of parasitic electron injection in SONOS-type memory cells using high-k capping layers
Erlbacher, T.; Graf, T.; DasGupta, N.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Transmission-electron-microscopy observation of Pt pillar fabricated by electron-beam-induced deposition
Murakami, K.; Matsubara, N.; Ichikawa, S.; Kisa, T.; Nakayama, T.; Takamoto, K.; Wakaya, F.; Takai, M.; Petersen, S.; Amon, B.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2009UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale
Schmitt, H.; Amon, B.; Beuer, S.; Petersen, S.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008Advanced annealing strategies for the 32 nm node
Kampen, C.; Martinez-Limia, A.; Pichler, P.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Alternative source/drain contact-pad architectures for contact resistance improvement in decanano-scaled CMOS devices
Kampen, C.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Angular distributions of sputtered atoms from semiconductor targets at grazing ion beam incidence angles
Sekowski, M.; Burenkov, A.; Hernández-Mangas, J.; Martinez-Limia, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008An application-driven improvement of the drift-diffusion model for carrier transport in decanano-scaled CMOS devices
Kampen, C.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Aubry-Fortuna, V.; Bournel, A.
Zeitschriftenaufsatz
2008Application-driven simulation of nanoscaled CMOS transistors and circuits
Burenkov, A.; Kampen, C.; Baer, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008Barrier inhomogeneities of tungsten Schotty diodes on 4H-SiC
Hamida, A.F.; Ouennoughi, Z.; Sellai, A.; Weiss, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008Characterization of Ru and RuO2 thin films prepared by pulsed metal organic chemical vapor deposition
Roeder, G.; Manke, C.; Baumann, P.K.; Petersen, S.; Yanev, V.; Gschwandtner, A.; Ruhl, G.; Petrik, P.; Schellenberger, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008Custom-specific UV nanoimprint templates and life-time of antisticking layers
Schmitt, H.; Zeidler, M.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008DC-arc behavior of a novel active fuse
Dorp, J. vom; Berberich, S.E.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Detailed arsenic concentration profiles at Si/SiO2 interfaces
Pei, L.; Duscher, G.; Steen, C.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Napolitani, E.; Salvador, D. de; Piro, A.M.; Terrasi, A.; Severac, F.; Cristiano, F.; Ravichandran, K.; Gupta, N.; Windl, W.
Zeitschriftenaufsatz
2008Detailed carrier lifetime analysis of iron-contaminated boron-doped silicon by comparison of simulation and measurement
Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008Distribution and segregation of arsenic at the SiO2/Si interface
Steen, C.; Martinez-Limia, A.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Paul, S.; Lerch, W.; Pei, L.; Duscher, G.; Severac, F.; Cristiano, F.; Windl, W.
Zeitschriftenaufsatz
2008Electrical AFM techniques for the advanced characterization of materials in semiconductor technology
Yanev, V.; Rommel, M.; Spoldi, G.; Beuer, S.; Amon, B.; Petersen, S.; Lugstein, A.; Steiger, A.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2008Electrical and topographical characterization of aluminum implanted layers in 4H silicon carbide
Rambach, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008Experimental observation of FIB induced lateral damage on silicon samples
Spoldi, G.; Beuer, S.; Rommel, M.; Yanev, V.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2008Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2007
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2008HfSiO/SiO2- and SiO2/HfSiO/SiO2-gate stacks for non-volatile memories
Erlbacher, T.; Jank, M.P.M.; Lemberger, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008Highly filled polymers for power passives packaging
Egelkraut, S.; Heinle, C.; Eckardt, B.; Krämer, P.; Brocka, Z.; März, M.; Ryssel, H.; Ehrenstein, G.W.
Konferenzbeitrag
2008Ion implantation into nanoparticulate functional layers
Walther, S.; Jank, M.P.M.; Ebbers, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008On the stability of fully depleted SOI MOSFETs under lithography process variations
Kampen, C.; Fühner, T.; Burenkov, A.; Erdmann, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Physically based simulation of fully depleted SOI MOS transistors at nanometer gate lengths
Burenkov, A.; Kampen, C.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Polymer bonded soft magnetic particles for planar inductive devices
Egelkraut, S.; Ryssel, H.; März, M.
Konferenzbeitrag
2008Pre-silicon SPICE modeling of nano-scaled SOI MOSFETs
Burenkov, A.; Kampen, C.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Recent improvements in the integration of field emitters into scanning probe microscopy sensors
Beuer, S.; Rommel, M.; Petersen, S.; Amon, B.; Sulzbach, T.; Engl, W.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008Segregation of antimony to Si/SiO2 interfaces
Steen, C.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2008Self-aligned growth of organometallic layers for nonvolatile memories: Comparison of liquid-phase and vapor-phase deposition
Erlbacher, T.; Jank, M.P.M.; Ryssel, H.; Frey, L.; Engl, R.; Walter, A.; Sezi, R.; Dehm, C.
Zeitschriftenaufsatz
2008Simulation of mass interferences considering charge exchange events and dissociation of molecular ions during extraction
Häublein, V.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008SSRM characterisation of FIB induced damage in silicon
Beuer, S.; Yanev, V.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2008Threshold voltage engineering by lanthanide doping of the MOS gate stack
Fet, A.; Häublein, V.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2008Tunneling atomic-force microscopy as a highly sensitive mapping tool for the characterization of film morphology in thin high-k dielectrics
Yanev, V.; Rommel, M.; Lemberger, M.; Petersen, S.; Amon, B.; Erlbacher, T.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Paskalev, A.; Weinreich, W.; Fachmann, C.; Heitmann, J.; Schroeder, U.
Zeitschriftenaufsatz
2008UV nanoimprint lithography process optimization for electron device manufacturing on nanosized scale
Schmitt, H.; Amon, B.; Petersen, S.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2007Accurate parameter extraction for the simulation of direct structuring by ion beams
Beuer, S.; Rommel, M.; Lehrer, C.; Platzgummer, E.; Kvasnica, S.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2007Approach for a standardized methodology for multisite processing of 300-mm wafers at R&D sites
Oechsner, R.; Pfeffer, M.; Frickinger, J.; Schellenberger, M.; Roeder, G.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Fritzsche, M.; Kaushik, V.; Renaud, D.; Danel, A.; Claeys, C.; Bearda, T.; Lering, M.; Graef, M.; Murphy, B.; Walther, H.; Hury, S.
Zeitschriftenaufsatz
2007Characterization of the impurity profile at the SiO2/Si interface using a combination of total reflection x-ray fluorescence spectrometry and successive etching of silicon
Steen, C.; Nutsch, A.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2007Characterization of the pile-up of As at the SiO2/Si interface
Steen, C.; Martinez-Limia, A.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Pei, L.; Duscher, G.; Windl, W.
Konferenzbeitrag
2007Characterization of the Segregation of Arsenic at the Interface SiO2/Si
Steen, C.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Pei, L.; Duscher, G.; Werner, M.; Berg, J.A. van den; Windl, W.
Konferenzbeitrag
2007Custom-specific UV nanoimprint templates and life-time of antisticking layers
Schmitt, H.; Zeidler, M.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2007Detailed photocurrent analysis of iron contaminated boron doped silicon by comparison of simulation and measurement
Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2007Detection and review of crystal originated surface and sub surface defects on bare silicon
Nutsch, A.; Funakoshi, T.; Pfitzner, L.; Steffen, R.; Supplieth, F.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2007Electrical characterization of low dose focused ion beam induced damage in silicon by scanning spreading resistance microscopy
Beuer, S.; Yanev, V.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2007Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2006
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2007Hafnium silicate as control oxide in non-volatile memories
Erlbacher, T.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2007High temperature implantation of aluminum in 4H silicon carbide
Rambach, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2007High voltage 3D-capacitor
Berberich, S.E.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2007MOCVD of hafnium silicate films obtained from a single-source precursor on silicon and germanium for gate-dielectric applications
Lemberger, M.; Schön, F.; Dirnecker, T.; Jank, M.P.M.; Frey, L.; Ryssel, H.; Paskaleva, A.; Zürcher, S.; Bauer, A.J.
Zeitschriftenaufsatz
2007MOCVD of tantalum nitride thin films from TBTEMT single source precursor as metal electrodes in CMOS applications
Lemberger, M.; Thiemann, S.; Baunemann, A.; Parala, H.; Fischer, R.A.; Hinz, J.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2007Physically based simulation of fully depleted SOI MOS transistors at nanometer gate lengths
Burenkov, A.; Kampen, C.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Abstract
2007Quantitative oxide charge determination by photocurrent analysis
Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2007Recent improvements in the integration of field emitters into scanning probe microscopy sensors
Beuer, S.; Rommel, M.; Petersen, S.; Amon, B.; Sulzbach, T.; Engl, W.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2007Thermal stability of thin ALD ZrO2 layers as dielectrics in deep trench DRAM devices annealed in N2 and NH3
Weinreich, W.; Lemberger, M.; Erben, E.; Heitmann, J.; Wilde, L.; Ignatova, V.A.; Teichert, S.; Schröder, U.; Oberbeck, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.; Kücher, P.
Poster
2007UV nanoimprint materials: Surface energies, residual layers, and imprint quality
Schmitt, H.; Frey, L.; Ryssel, H.; Rommel, M.; Lehrer, C.
Zeitschriftenaufsatz
2007Verification of grain boundaries in annealed thin ZrO2 films by electrical AFM technique
Yanev, V.; Paskaleva, A.; Weinreich, W.; Lemberger, M.; Petersen, S.; Rommel, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2006Accurate parameter extraction for the simulation of direct structuring by ion beams
Beuer, S.; Rommel, M.; Lehrer, C.; Platzgummer, E.; Kvasnica, S.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Poster
2006Active Fuse
Berberich, S.E.; März, M.; Bauer, A.J.; Beuer, S.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2006Approach for a standardized methodology for mulit-site processing of 300 mm wafers at R&D-sites
Öchsner, R.; Frickinger, J.; Pfeffer, M.; Schellenberger, M.; Roeder, G.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Fritzsche, M.; Kaushik, V.; Renaud, D.; Danel, A.; Claeys, C.; Bearda, T.; Lering, M.; Graef, M.; Murphy, B.; Walther, H.; Hury, S.
Konferenzbeitrag
2006Bekleidungsstueck
Ryssel, H.; Maerz, M.
Patent
2006Creation of e-learning content for microelectronics manufacturing
Öchsner, R.; Pfeffer, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Beer, K.; Boldin, M.; Mey, B. de; Engelhard, M.; O'Murchu, C.; Ditmar, J.; Colson, P.; Madore, M.; Krahn, L.; Kempe, W.; Luisman, E.
Konferenzbeitrag
2006Creation of e-learning content for microelectronics manufacturing
Öchsner, R.; Pfeffer, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Beer, K.; Boldin, M.; Mey, B. de; Engelhard, M.; O'Murchu, C.; Ditmar, J.; Colson, P.; Madore, M.; Krahn, L.; Kempe, W.; Luisman, E.
Konferenzbeitrag
2006Extracting activation and compensation ratio from aluminum implanted 4H-SiC by modeling of resistivity measurements
Rambach, M.; Frey, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2006Flying Wafer - A standardised methodology for multi-site processing of 300 mm wafers at R&D-sites
Frickinger, J.; Oechsner, R.; Schellenberger, M.; Pfeffer, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Claeys, C.; Claes, M.; Bearda, T.; Renaud, D.; Danel, A.; Lering, M.; Graef, M.; Kaushik, V.; Murphy, B.; Fritzsche, M.; Walther, H.; Hury, S.
Konferenzbeitrag
2006Flying wafer - A standardised methodology for multi-site processing Of 300 Mm wafers at research and development-sites
Frickinger, J.; Öchsner, R.; Schellenberger, M.; Pfeffer, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Claes, M.; Bearda, T.; Renaud, D.; Danel, A.; Lering, M.; Graef, M.; Kaushik, V.; Murphy, B.; Fritzsche, M.; Walther, H.; Hury, S.
Konferenzbeitrag
2006Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2005
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2006High temperature implantation of aluminum in 4H silicon carbide
Rambach, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2006The impact of mass resolution on molybdenum contamination for B, P, BF, and as implantations
Häublein, V.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2006Optical and X-ray characterization of ferroelectric strontium-bismuth-tantalate (SBT) thin films
Fried, M.; Petrik, P.; Horvath, Z.E.; Lohner, T.; Schmidt, C.; Schneider, C.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2006Prospects for the realization of APC in a distributed 300 mm R&D-line
Roeder, G.; Schellenberger, M.; Öchsner, R.; Pfeffer, M.; Frickinger, J.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Fritzsche, M.
Konferenzbeitrag
2006Standardization of integrated ellipsometry for semiconductor manufacturing
Roeder, G.; Schellenberger, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Richter, U.; Stehle, J.L.; Piel, J.-P.
Konferenzbeitrag
2006Well design in a bulk CMOS technology with low mask count
Jank, M.P.M.; Kandziora, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Additional peaks in mass spectra due to charge exchange events and dissociation of molecular ions during extraction
Häublein, V.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Annealing of aluminum implanted 4H-SiC
Rambach, M.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Friedrichs, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Characterization of interface state densities by photocurrent analysis. Comparison of results for different insulator layers
Rommel, M.; Groß, M.; Ettinger, A.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Poster
2005Characterization of interface state densities by photocurrent analysis: Comparison of results for different insulator layers
Rommel, M.; Groß, M.; Ettinger, A.; Lemberger, M.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2005Chemische Dampfphasenabscheidung von neuen Materialien für Sub-50-nm-Transistoren
Frey, L.; Bauer, A.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2005Electrical properties of hafnium silicate films obtained from a single-source MOCVD precursor
Lemberger, M.; Paskaleva, A.; Zurcher, S.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
2005Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2004
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2005High-k hafnium silicate films on silicon and germanium wafers by MOCVD using a single-source precursor
Lemberger, M.; Schön, F.; Dirnecker, T.; Jank, M.P.M.; Paskaleva, A.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Implantation and annealing of aluminum in 4H silicon carbide
Rambach, M.; Frey, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Investigations into the wear of a WL10 ion source
Häublein, V.; Sadrawetz, S.; Frey, L.; Martinz, H.-P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Ion sputtering at grazing incidence for SIMS-analysis
Ullrich, M.; Burenkov, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2005Reliable matching of 300 mm defect inspection tools @ sub 60 nm defect size
Nutsch, A.; Supplieth, F.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Thin Hf(x)Ti(y)Si(z)O films with varying Hf to Ti contents as candidates for high-k dielectrics
Bauer, A.J.; Paskaleva, A.; Lemberger, M.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Triple trench gate IGBTs
Berberich, S.E.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2005Unit process aspects for APC-software implementation
Roeder, G.; Schellenberger, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Spitzlsperger, G.
Konferenzbeitrag
2005Wafer scale characterization of interface state densities without test structures by photocurrent analysis
Rommel, M.; Groß, M.; Frey, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
20043D feature-scale simulation of sputter etching with coupling to equipment simulation
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2004Design, fabrication and characterization of a microactuator for nebulization of fluids
Yasenov, N.; Berberich, S.E.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2004E-Learning for microelectronics manufacturing
Oechsner, R.; Pfeffer, M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Beer, K.; Boldin, M.
Konferenzbeitrag
2004Electrical characterization and reliability aspects of zirconium silicate films obtained from novel MOCVD precursors
Lemberger, M.; Paskaleva, A.; Zurcher, S.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004Fibroblasts adhesion on ion beam modified polyethylene
Svorcik, V.; Tomsov, P.; Dvornkov, B.; Hnatowicz, V.; Ochsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2004Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2003
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2004Integration of field emitters into scanning probe microscopy sensors using focused ion and electron beams
Lehrer, C.; Frey, L.; Petersen, S.; Ryssel, H.; Schäfer, M.; Sulzbach, T.
Zeitschriftenaufsatz
2004Investigation of rapid thermal annealed pn-junctions in SiC
Rambach, M.; Weiss, R.; Frey, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2004Ion sputtering at grazing incidence for SIMS-analysis
Ullrich, M.; Burenkov, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2004Measurement data evaluation for in situ single-wavelength ellipsometry during reactive ion etching
Roeder, G.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Vortrag
2004Modeling of chemical-mechanical polishing on patterned wafers as part of integrated topography process simulation
Nguyen, P.-H.; Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004Optical characterization of ferroelectric Strontium-Bismuth-Tantalate (SBT) thin films
Schmidt, C.; Petrik, P.; Schneider, C.; Fried, M.; Lohner, T.; Barsony, I.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004Quantum mechanical studies of boron clustering in silicon
Deák, P.; Gali, A.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2004Three-dimensional simulation of ionized metal plasma vapor deposition
Kistler, S.; Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2004Verfahren zur Verringerung der Partikelabgabe und Partikelaufnahme einer Oberflaeche
Birnbaum, E.; Kluge, A.; Ryssel, H.; Ryzlewicz, C.
Patent
2003Defect inspection method for quality control in a reclaim line
Nutsch, A.; Fritsche, M.; Dudenhausen, H.-M.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Different ion implanted edge terminations for Schottky diodes on SiC
Weiss, R.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Electrical characterization of zirconium silicate films obtained from novel MOCVD precursors
Lemberger, M.; Paskaleva, A.; Zürcher, S.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2003ENCOTION - A new simulation tool for energetic contamination analysis
Häublein, V.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2002
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2003Influence of antenna shape and resist patterns on charging damage during ion implantation
Dirnecker, T.; Bauer, A.J.; Beyer, A.; Frey, L.; Henke, D.; Ruf, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Investigation of implantation-induced defects in thin gate oxides using low field tunnel currents
Jank, M.; Frey, L.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Investigation of lanthanum contamination from a lanthanated tungsten ion source
Häublein, V.; Walser, H.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Nanoscale effects in focused ion beam processing
Frey, L.; Lehrer, C.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2003Three-dimensional simulation of superconformal copper deposition based on the curvature-enhanced accelerator coverage mechanism
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003Trench sidewall doping for lateral power devices
Berberich, S.E.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2003VORRICHTUNG ZUR UEBERWACHUNG VON ABSICHTLICHEN ODER UNVERMEIDBAREN SCHICHTABSCHEIDUNGEN UND VERFAHREN
Ziegler, J.; Waller, R.; Pfitzner, L.; Schneider, C.; Ryssel, H.; Tegeder, V.
Patent
2003Wafer reclaim in semiconductor manufacturing
Frickinger, J.; Nutsch, A.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Zielonka, G.
Aufsatz in Buch
2003Zirconium silicate films obtained from novel MOCVD precursors
Lemberger, M.; Paskaleva, A.; Zürcher, S.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2002Algorithmen für die dreiecksbasierte dreidimensionale Simulation bewegter Oberflächen in der Halbleitertechnologie
Lenhart, O.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
2002Cell adhesion on modified polyethylene
Svorcik, V.; Rockova, K.; Dvorancova, B.; Broz, L.; Hnatowicz, V.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Characterisation of BaxSr1-xTiO3 films using spectroscopic ellipsometry, Rutherford backscattering spectrometry and X-ray diffraction
Petrik, P.; Khanh, N.Q.; Horvath, Z.E.; Zolnai, Z.; Barsony, I.; Lohner, T.; Fried, M.; Gyulai, J.; Schmidt, C.; Schneider, C.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Determination of aluminum diffusion parameters in silicon
Krause, O.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Development of enhanced depth-resolution technique for shallow dopant profiles
Fujita, M.; Tajima, J.; Nakagawa, T.; Abo, S.; Kinomura, A.; Paszti, F.; Takai, M.; Schork, R.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Effect of barium contamination on gate oxide integrity in high-k DRAM
Boubekeur, H.; Mikolajick, T.; Nagel, N.; Bauer, A.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2001
: Öchsner, R.; Ryssel, H.; Pfeffer, M.
Jahresbericht
2002HandMon-ISPM: Handling monitoring in a loading stations of a furnaces
Trunk, R.; Schmid, H.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Bernhardt, H.; Marx, E.
Konferenzbeitrag
2002Influence of photoresist pattern on charging damage during high current ion implantation
Dirnecker, T.; Ruf, A.; Frey, L.; Beyer, A.; Bauer, A.J.; Henke, D.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2002MOCVD of titanium dioxide on the basis of new precursors
Leistner, T.; Lehmbacher, K.; Härter, P.; Schmidt, C.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Non-destructive characterization of strontium bismuth tantalate films
Petrik, P.; Khanh, N.Q.; Horvath, Z.E.; Zoknai, P.Z.; Barsony, I.; Lohner, T.; Freid, M.; Guylai, J.; Schmidt, C.; Schneider, C.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Phi-scatterometry for integrated linewidth and process control in DRAM manufacturing
Hettwer, A.; Benesch, N.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Platinum contamination issues in ferroelectric memories
Boubekeur, H.; Mikolajick, T.; Pamler, W.; Hopfner, J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Recombination lifetimes of iron-contaminated silicon wafers: Characterization using a single set of capture cross-sections
Rommel, M.; Zoth, G.; Ullrich, M.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Simulation of the influence of via sidewall tapering on step coverage of sputter-deposited barrier layers
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2002Verfahren zur Herstellung von Kohlenstoffelektroden und chemischen Feldeffektransistoren sowie dadurch hergestellte Kohlenstoffelektroden und chemische Feldeffektransistoren und deren Verwendung
Schnupp, R.; Ryssel, H.; Oechsner, R.
Patent
2001Amino acids grafting of Ar+ ions modified PE
Svorcik, V.; Hnatowicz, V.; Stopka, P.; Bacáková, L.; Heitz, J.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Barium, strontium and bismuth contamination in CMOS processes
Boubekeur, H.; Mikolajick, T.; Höpfner, J.; Dehm, C.; Pamler, W.; Steiner, J.; Kilian, G.; Kolbesen, B.O.; Bauer, A.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2001Control of organic contamination in CMOS manufacturing
Bügler, J.; Frickinger, J.; Zielonka, G.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Schottler, M.
Konferenzbeitrag
2001Development of sensors for the measurement of chamber wall depositions
Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Marx, E.; Schneider, T.
Konferenzbeitrag
2001Electrical reliability aspects of through the gate implanted MOS-structures with thin oxides
Jank, M.; Lemberger, M.; Bauer, A.J.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Emission of volatile degradation products from polymers irradiated with heavy ions to different fluences
Hnatowicz, V.; Vacik, J.; Svorcik, V.; Rybka, V.; Ryssel, H.; Kluge, A.
Zeitschriftenaufsatz
2001Fabrication of silicon aperture probes for scanning near-field optical microscopy by focused Ion beam nano machining
Lehrer, C.; Frey, L.; Petersen, S.; Sulzbach, T.; Ohlsson, O.; Dziomba, T.; Danzebrink, H.U.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 2000
: Öchsner, R.; Ryssel, H.; Pfeffer, M.; Schmeing, M.
Jahresbericht
2001Impact of platinum contamination on ferroelectric memories
Boubekeur, H.; Mikolajick, T.; Nagel, N.; Dehm, C.; Pamler, W.; Bauer, A.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Improvement in electrical properties of Simni films by multiple-steps implantation
Lu, D.T.; Huang, D.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001In Situ Particle Measurement System in Loading Stations of Furnaces
Trunk, R.; Schmid, H.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Bernhardt, H.; Marx, E.
Konferenzbeitrag
2001In-situ measurement of the crystallization of amorphous- silicon in a vertical furnace using spectroscopic ellipsometry
Petrik, P.; Lehnert, W.; Schneider, C.; Lohner, T.; Fried, M.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001In-situ particle measurement in loading stations of furnaces
Trunk, R.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Storbeck, O.
Konferenzbeitrag
2001The influence of target temperature and photon assistance on the radiation sefect formation in low-fluence ion-implanted silicon
Barabanenkov, M.Y.; Gyulai, J.; Leonov, A.V.; Mordkovich, V.N.; Omelyanovskaya, N.M.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Integrated metrology. An enabler for advanced process control (APC)
Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2001Limitations of focused ion beam nanomachining
Lehrer, C.; Frey, L.; Petersen, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001On the effect of local electronic stopping on ion implantation profiles in non-crystalline targets
Burenkov, A.; Mu, Y.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2001Reliability of ultra-thin N2O-nitrided oxides grown by RTP under low-pressure in different gas atmospheres
Beichele, M.; Bauer, A.J.; Herden, M.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Reliability of ultrathin nitrided oxides grown in low- pressure N2O ambient
Beichele, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Suppression of boron penetration through thin gate oxides by nitrogen implantation into the gate electrode
Herden, M.; Bauer, A.J.; Beichele, M.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Suppression of boron penetration through thin gate oxides by nitrogen implantation into the gate electrode in PMOS devices
Strobel, S.; Bauer, A.J.; Beichele, M.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Trace analysis for 300 mm wafers and processes with total- reflection x-ray-fluorescence
Nutsch, A.; Erdmann, V.; Zielonka, G.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2001Tungsten, Nickel, and Molybdenum Schottky Diodes with Different Edge Termination
Weiss, R.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
20003D simulation of the conformality of copper layers deposited by low-pressure chemical vapor deposition from cul(tmvs)(hfac)
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Adhesion and proliferation of keratinocytes on ion beam modified polyethylene
Svorcik, V.; Walachova, K.; Proskova, K.; Dvoankova, B.; Vogtova, D.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Aspects of barium contamination in high dielectric dynamic random-access memories
Boubekeur, H.; Hopfner, J.; Mikolajick, T.; Dehm, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Charge state dependence of stopping power for light ions penetrating thin carbon foils at low velocity
Mu, Y.; Burenkov, A.; Ryssel, H.; Xia, Y.; Mei, L.
Zeitschriftenaufsatz
2000Charge-state dependence of stopping power for light ions penetrating thin carbon foils at low velocity
Mu, Y.G.; Burenkov, A.; Ryssel, H.; Xia, Y.Y.; Mei, L.M.
Zeitschriftenaufsatz
2000A Computationally Efficient Method for Three-Dimensional Simulation of Ion Implantation
Burenkov, A.; Tietzel, K.; Hössinger, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Zeitschriftenaufsatz
2000Defects and gallium - contamination during focused ion beam micro machining
Lehrer, C.; Frey, L.; Petersen, S.; Mizutani, M.; Takai, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Electrodeposition of photoresist - optimization of deposition conditions, investigation of lithographic processes and chemical-resistance
Schnupp, R.; Baumgärtner, R.; Kuhnhold, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Ellipsometric study of polycrystalline silicon films prepared by low-pressure chemical vapor deposition
Petrik, P.; Lohner, T.; Fried, M.; Biro, L.P.; Khanh, N.Q.; Gyulai, J.; Lehnert, W.; Schneider, C.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Enhanced depth-resolution analysis with medium energy ion scattering (MEIS) for shallow junction profiling
Tajima, J.; Park, Y.K.; Fujita, M.; Takai, M.; Schork, R.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Feed-forward control for a lithography/etch sequence
Öchsner, R.; Tschaftary, T.; Sommer, S.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Gerath, H.; Baier, C.; Hafner, M.
Konferenzbeitrag
2000Field emitter array fabricated using focused ion and electron beam induced reaction
Yavas, O.; Ochiai, C.; Takai, M.; Park, Y.K.; Lehrer, C.; Lipp, S.; Frey, L.; Ryssel, H.; Hosono, A.; Okuda, S.
Zeitschriftenaufsatz
2000Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 1999
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
2000Gate oxide damage due to through the gate implantation in MOS-structures with ultrathin and standard oxides
Jank, M.P.M.; Lemberger, M.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000In situ spectroscopic ellipsometry for the characterization of polysilicon formation inside a vertical furnace
Petrik, P.; Lehnert, W.; Schneider, C.; Fried, M.; Lohner, T.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000In-production monitoring and control of in situ-chamber clean processes
Roeder, G.; Andrian-Werburg, M. von; Tschaftary, T.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; John, P.; Tegeder, V.
Konferenzbeitrag
2000Indirect-coupling ultraviolet-sensitive photodetector with high electrical gain, fast-response, and low-noise
Qian, F.; Schnupp, R.; Chen, C.Q.; Helbig, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Modeling the Amorphization of Si due to the Implantation of As, Ge, and Si
Stiebel, D.; Burenkov, A.; Pichler, P.; Cristiano, F.; Claverie, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Modelling of intrinsic aluminum diffusion for future power devices
Krause, O.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Phi-scatterometry for on-line process control
Benesch, N.; Hettwer, A.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Broermann, O.; Marx, E.; Tegeder, V.
Konferenzbeitrag
2000Phosphorus ion shower implantation for special power IC applications
Kröner, F.; Schork, R.; Frey, L.; Burenkov, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Reducing airborne molecular contamination by efficient purging of FOUPs for 300-mm wafers. The influence of material properties
Frickinger, J.; Bügler, J.; Zielonka, G.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Hollemann, S.; Schneider, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Reliability and degradation of metal-oxide-semiconductor capacitors on 4H- and 6H-silicon carbide
Treu, M.; Schorner, R.; Friedrichs, P.; Rupp, R.; Wiedenhofer, A.; Stephani, D.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
2000Reliability of ultra-thin N2O-nitrided oxides grown by RTP under low pressure and in different gas atmospheres
Beichele, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000A silicon vibration sensor for tool state monitoring working in the high acceleration range
Thomas, J.; Kühnhold, R.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Suppression of boron penetration through thin gate oxides by nitrogen implantation into the gate electrode of PMOS devices
Herden, M.; Bauer, A.J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Three-Dimensional Simulation of the Conformality of Copper Layers Deposited by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition from CuI(tmvs)(hfac)
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
2000Vacancy-Nitrogen Complexes in Float-Zone Silicon
Quast, F.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Falster, R.
Konferenzbeitrag
2000Verfahren und Vorrichtung zur Ueberfuehrung eines Fluessigkeitsstromes in einen Gasstrom
Strzyzewski, P.; Roeder, G.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Patent
1999AFM and STM investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite
Biro, L.P.; Mark, G.I.; Gyulai, J.; Havancszak, K.; Lipp, S.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Application and cost analysis of scatterometry for integrated metrology
Benesch, N.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Carbon nanotubes produced by high energy (E greater than 100MeV), heavy ion irradiation of graphite
Biro, L.P.; Szabo, B.; Mark, G.I.; Gyulai, J.; Havancsak, K.; Kurti, J.; Dunlop, A.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1999Characterization of oxide etching and wafer cleaning using vapor phase anhydrous hydrofluoric acid and ozone
Bauer, A.J.; Froeschle, B.; Beichele, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999CMOS-kompatible Herstellung miniaturisierter Silicium-Vibrationssensoren für die Messung im Bereich hoher Beschleunigungsamplituden zur Werkzeugüberwachung
Thomas, J.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Comparison of beam-induced deposition using ion microprobe
Park, Y.S.; Nagai, T.; Takai, M.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1999Comparison of FIB-induced physical and chemical etching
Park, Y.K.; Paszti, F.; Takai, M.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999A computationally efficient method for three-dimensional simulation of ion implantation
Burenkov, A.; Tietzel, K.; Hössinger, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
1999Design and sensitivity optimization of vibration sensors for tool state monitoring
Thomas, J.S.; Kuhnhold, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Development and characterization of a sensor for human information
Ghanem, W.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1999Electrodeposition of photoresist: process optimization and chemical resistance
Schnupp, R.; Baumgärtner, R.; Kühnhold, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Elektrische Eigenschaften von MOCVD-Tantalpentoxid in Mehrschicht-Dielektrika
Roth, H.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1999Equipment and wafer modeling of batch furnaces by neural networks
Benesch, N.; Schneider, C.; Lehnert, W.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Forming nitrided gate oxides by nitrogen implantation into the substrate before gate oxidation by RTO
Bauer, A.J.; Mayer, P.; Frey, L.; Häublein, V.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 1998
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
1999Impact of nitrogen implantation into polysilicon to reduce boron penetration through the gate oxide
Bauer, A.J.; Mayer, P.; Frey, L.; Häublein, V.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Improving the Resolution of a Compact Ozone Photometer
Qian, F.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Impurity incorporation during beam assisted processing analyzed using nuclear microprobe
Park, Y.K.; Takai, M.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1999In-situ particle measurements in liquids
Ryssel, H.; Ramin, M.; Schmidt, A.; Trunk, R.
Konferenzbeitrag
1999The influence of surface oxidation on the pH-sensing properties of silicon nitride
Mikolajick, T.; Kuhnhold, R.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Investigation of Cu films by focused ion beam induced deposition using nuclear microprobe
Park, Y.K.; Takai, M.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Investigation of the Suppression of the Narrow Channel Effect in Deep Sub-Micron EXTIGATE Transistors
Burenkov, A.; Tietzel, K.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Schwalke, U.
Konferenzbeitrag
1999Investigation of the supression of the narrow channel effect in deep submicron EXTIGATE transistors
Burenkov, A.; Tietzel, K.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Schwalke, U.
Konferenzbeitrag
1999Ionenquelle fuer eine Ionenstrahlanlage
Schork, R.; Ryssel, H.
Patent
1999Li+ grafting of ion irradiated polyethylene
Svorcik, V.; Rybka, V.; Vacik, J.; Hnatowicz, V.; Ochsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Mainstream measurement and dosage of anaesthetic gases by using microsystems
Schnupp, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Mikrosystem zur automatisierten Werkzeugüberwachung in Drehmaschinen über die Erfassung von Vibration, Kraft und Temperatur
Pitter, F.; Thomas, J.; Feldmann, K.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Mikrosystemtechnische Vibrationssensoren zur automatisierten Zustandsüberwachung von Drehwerkzeugen
Thomas, J.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1999MOCVD of ferroelectric thin films
Schmidt, C.; Lehnert, W.; Leistner, T.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Modeling of transient enhanced dopant diffusion by using a moment-based model describing point-defect clustering
Stiebel, D.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Nondestructive analytical tools for characterization of thin titanium silicide films prepared by conventional and direct step silicidation with enhanced transition
Kal, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Nondestructive analytical tools for characterization of thin titanium silicide films prepared by conventional and direct step silicidation with enhanced transition
Kal, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999Novel process control strategies for 300 mm semiconductor production
Pfitzner, L.; Oechsner, R.; Schneider, C.; Ryssel, H.; Riemer, M.; Podewils, M. von
Zeitschriftenaufsatz
1999On the influence of boron-interstitial complexes on transient enhanced diffusion
Stiebel, D.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Presence Monitoring Using Thermopile-Arrays
Ghanem, W.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Reliability of ultra-thin gate oxides grown in low-pressure N20 ambient or on nitrogen-implanted silicon
Bauer, A.J.; Beichele; Herden, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Scanning probe method investigation of carbon nanotubes produced by high energy ion irradiation of graphite
Biro, L.P.; Mark, G.I.; Gyulai, J.; Rozlosnik, N.; Kurti, J.; Szabo, B.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1999A silicon vibration sensor for tool state monitoring working in the acceleration range
Thomas, J.; Kühnhold, R.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Simulation of a Coating Protection for an In Situ Ellipsometer in a CVD Furnace
Poscher, S.; Lehnert, W.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Simulation of a coating protection for an In Situ Ellipsometer in a CVD Furnace
Poscher, S.; Lehnert, W.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Simulation of the production of functional layers for vibration sensors for tool state monitoring and finite element analysis of mechanical characteristics
Thomas, J.; Kuhnhold, R.; Schnupp, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Simulation von widerstands- und lampenbeheizten Öfen für die Schichtabscheidung
Poscher, S.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1999Stabilität von Metall-Oxid-Halbleiter-Strukturen auf hexagonalem Siliciumkarbid
Treu, M.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1999Thin stoichiometric silicon nitride prepared by r.f. reactive sputtering
Qian, F.; Temmel, G.; Schnupp, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Utilizing coupled process and device simulation for optimization of sub-quarter-micron CMOS technology
Wittl, J.; Burenkov, A.; Tietzel, K.; Müller, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1999Wohltemperierte Siliziumscheiben - Simulation und Messung der Temperaturverteilung in einem vertikalen Schichtabscheideofen
Poscher, S.; Wellner, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
19984 nm gate dielectrics prepared by RTP low pressure oxidation in O2 and N2O atmosphere
Bauer, A.J.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998AFM surface investigation of polyethylene modified by ion bombardment
Svorcik, V.; Arenholz, E.; Hnatowicz, V.; Rybka, V.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Atomistic analysis of the vacancy mechanism of impurity diffusion in silicon
List, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Atomistic modeling of high-concentration effects of impurity diffusion in silicon
List, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998A compact ozone measurement system
Qian, F.; Jin, G.R.; Schnupp, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1998Comparative study of polysilicon-on-oxide using spectroscopy ellipsometry, atomic force microscopy and transformation electron microscopy
Petrik, P.; Fried, M.; Lohner, T.; Berger, R.; Biro, L.P.; Schneider, C.; Ryssel, H.; Gyulai, J.
Konferenzbeitrag
1998Comparative study of surface roughness measured on polysilicon using spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy
Petrik, P.; Biro, L.P.; Fried, M.; Lohner, T.; Berger, R.; Schneider, C.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Experimental verification of three-dimensional simulations of LTO layer deposition on structures prepared by anisotropic wet etching of silicon
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1998Fabrication of field emitter array using focused ion and electron beam induced reaction
Takai, M.; Kishimoto, T.; Morimoto, H.; Park, Y.K.; Lipp, S.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.; Hosono, A.; Kawabuchi, S.
Konferenzbeitrag
1998Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie. Leistungen und Ergebnisse. Jahresbericht 1997
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
1998In situ layer characterization by spectroscopic ellipsometry at high temperatures
Lehnert, W.; Petrik, P.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1998In situ spectroscopic ellipsometry for advanced process control in vertical furnaces
Lehnert, W.; Berger, R.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Stehle, J.L.; Piel, J.-P.; Neumann, W.
Konferenzbeitrag
1998Influence of RTP on Vacancy Concentrations
Jacob, M.; Pichler, P.; Wohs, M.; Ryssel, H.; Falster, R.
Aufsatz in Buch
1998Microanalysis of masklessly fabricated microstructures using nuclear microprobe
Park, Y.K.; Takai, M.; Nagai, T.; Kishimoto, T.; Seidl, A.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
1998Microprobe analysis of Pt films deposited by beam induced reaction
Park, Y.K.; Takai, M.; Lehrer, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Monte-Carlo simulation of silicon amorphization during ion implantation
Bohmayr, W.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Zeitschriftenaufsatz
1998Neuronale Modellbildung und Temperaturregelung eines Vertikalofens für die Halbleiterfertigung
Benesch, N.; Hofmann, U.; Schneider, C.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1998Noncontacting measurement of thickness of thin titanium silicide films using spectroscopic ellipsometry
Kal, S.; Kasko, I.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Optimization of critical ion implantation steps in 0.18 mu m CMOS technology
Burenkov, A.; Wittl, J.; Schwalke, U.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1998Productronica 97. Proceedings HLF. Semiconductor equipment and materials contamination control and defect reduction
Ryssel, H.; Pfitzner, L.; Trunk, R.
Buch
1998R and D in Europe's equipment industry. The role of research institutes
Ryssel, H.; Schneider, C.
Zeitschriftenaufsatz
1998Reliability of metal-oxide-semiconductor capacitors on nitrogen implanted 4 H-silicon carbide
Treu, M.; Burte, E.P.; Schörner, R.; Friedrichs, P.; Stephani, D.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Surface disorder production during plasma immersion implantation
Lohner, T.; Khanh, N.Q.; Petrik, P.; Biro, L.P.; Fried, M.; Pinter, I.; Lehnert, W.; Frey, L.; Ryssel, H.; Wentnik, D.J.; Gyulai, J.
Konferenzbeitrag
1998Thin carbon films as elctrodes for bioelectronic applications
Schnupp, R.; Kühnhold, R.; Temmel, G.; Burte, E.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Three-dimensional simulation of layer deposition
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1998Three-dimensional simulation of SiO2 profiles from TEOS-sourced remote microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
19973D simulation for sub-micron metallization
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
19973D simulation of sputter deposition of titanium layers in contact holes with high aspect ratios
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
19973D simulation of sputter deposition of titanium layers in contact holes with high aspect ratios2
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Atomistic analysis of the vacancy diffusion mechanism
List, S.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Characterization of thin TiSi2 films by spectroscopic ellipsometry and thermal wave analysis
Kasko, I.; Kal, S.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Characterization of ultrathin on stacked layers consisting of thermally grown bottom oxide and deposited silicon nitride
Bauer, A.J.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Comparison of different methods for the parameter determination of the solar cell's double exponential equation
Gottschalg, R.; Rommel, M.; Infield, D.G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Comparison of HDD and pocket architecture for 0.18 mu m N-MOSFETs
Burenkov, A.; Tietzel, K.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Degradation of polymide by implantation with Ar+ ions
Svorcik, V.; Rybka, V.; Hnatowicz, V.; Mieek, I.; Jankovkij, O.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Determination of vacancy concentrations in the bulk of silicon wafers by platinum diffusion experiments
Jacob, M.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Falster, R.
Zeitschriftenaufsatz
1997The effect of random dopant fluctuations on the minimum channel length of short-channel MOS transistors
Mikolajick, T.; Häublein, V.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Feldeffektsensoren zur pH-Wert-Messung und als Transducer für Biosensoren
Mikolajick, T.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1997Fraunhofer-Institut für Integrierte Schaltungen, Bereich Bauelementetechnologie. Achievements and results. Annual report 1996
: Öchsner, R.; Ryssel, H.
Jahresbericht
1997In-depth damage distribution by scanning probe methods in targets irradiated with 200 MeV ions
Biro, L.P.; Gyulai, J.; Havancsak, K.; Didyk, A.Y.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Integrated process control for cluster tools using an in-line analytical module
Kasko, I.; Oechsner, R.; Froeschle, B.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Ion implantation into semiconductors
Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1997Kinetics of chemical vapor deposition of titanium nitride
Popovska, N.; Poscher, S.; Tichy, P.; Emig, G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Metrology and analytics for the optimization of CMP processing
Huber, A.; Erdmann, V.; Zielonka, G.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Rohde, A.
Konferenzbeitrag
1997Micromechanical ultrasonic liquid nebulizer
Paneva, R.; Temmel, G.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Modular metrology tools for productivity enhancement in wafer fabs
Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Monitoring strategies for yield enhancement
Pfitzner, L.; Oechsner, R.; Scheider, C.; Ryssel, H.; Riemer, M.; Treiber, T.; Podewils, M. von
Konferenzbeitrag
1997Monte-Carlo simulation of silicon amorphization during ion implantation
Bohmayr, W.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
1997New method based on atomic force microscopy for in-depth characterization of damage in Si irradiated with 209 MeV Kr
Biro, L.P.; Gyulai, J.; Havancsak, K.; Didyk, A.Y.; Bogen, S.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997A novel XPS system for integration into advanced semiconductor equipment for in-line process control
Kasko, I.; Oechsner, R.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Trubitsyn, A.A.; Kratenko, V.I.
Konferenzbeitrag
1997Observation of vacancy enhancement during rapid thermal annealing in nitrogen
Jacob, M.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Falster, R.; Cornara, M.; Gambaro, D.; Olmo, M.; Pagani, M.
Zeitschriftenaufsatz
1997The ph-sensing properties of tantalum pentoxide films fabricated by metal organic low pressure chemical vapor deposition
Mikolajick, T.; Kühnhold, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1997Reduction of lateral parasitic current flow by buried recombination layers formed by high-energy implantation of C or O into silicon
Bogen, S.; Herden, M.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Three-dimensional simulation of contact hole metallization using aluminum sputter deposition at elevated temperatures
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Three-dimensional simulation of conventional and collimated sputter deposition of Ti layers into high aspect ratio contact holes
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Three-dimensional simulation of ion implantation
Lorenz, J.; Tietzel, K.; Burenkov, A.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1997Untersuchung des Einflusses von Gitterleerstellen auf die Sauerstoffpräzipitation in Silicium mit Hilfe der Platindiffusion
Jacob, M.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1996Advanced process control system for vertical furnaces
Berger, R.; Schneider, C.; Lehnert, W.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1996The challenge of multi-component, multi-vendor clustertools
Pfitzner, L.; Schneider, C.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1996Characterization of ultrathin on stacked layers consisting of thermally grown bottom oxide and deposited silicon nitride
Bauer, A.J.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1996A comparison of focused ion beam and electron beam induced deposition processes
Lipp, S.; Frey, L.; Lehrer, C.; Demm, C.; Pauthner, S.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
1996Entwurf von Vibrationssensoren und Optimierungsanalysen mittels der Methode der finiten Elemente
Thomas, J.; Künhold, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1996Experimental verification of three-dimensional simulations of LTO layer deposition using geometries prepared with anisotropic wet-etching of silicon with KOH
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1996Herstellung und Charakterisierung von gebondeten pn- und SOS-Strukturen und Realisierung von Leistungsdioden auf gebondeten n(+)n(-)-Siliciumschichten
Wiget, R.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1996Micromechanical ultrasonic liquid nebulizer
Paneva, R.; Temmel, G.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1996Modification of field emitter array tip shape by focused ion-beam irradiation
Takai, M.; Kishimoto, T.; Yamashita, M.; Morimoto, H.; Yura, S.; Hosono, A.; Okuda, S.; Lipp, S.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1996Simulation von Implantationsprofilen mit Methoden der Transporttheorie
Barthel, A.
: Ryssel, H. (Prüfer)
Dissertation
1996Tetramethoxysilane as a precursor for focused ion beam and electron beam assisted insulator (SiO(x)) deposition
Lipp, S.; Frey, L.; Lehrer, C.; Frank, B.; Demm, E.; Pauthner, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1996Three-dimensional simulation of ion implantation
Tietzel, K.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1996Three-dimensional simulation of layer deposition
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1996Three-dimensional simulation of low-pressure chemical vapour deposition
Bär, E.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
19954 nm gate dielectrics prepared by RTP low pressure oxidation in O2 and N2O atmosphere
Bauer, A.J.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
19956th International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes. SISDEP '95. Proceedings
: Ryssel, H.; Pichler, P.
Tagungsband
1995Analysis of contamination - a must for ultraclean technology
Ryssel, H.; Streckfuß, N.; Aderhold, W.; Berger, R.; Falter, T.; Frey, L.
Konferenzbeitrag
1995Analytical model for phosphorus large angle tilted implantation
Burenkov, A.; Bohmayr, W.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
1995Analytical modeling of lateral implantation profiles
Lorenz, J.; Ryssel, H.; Wierzbicki, R.J.
Zeitschriftenaufsatz
1995Anatomistic evaluation of diffusion theories for the dopants in vacancy gradients
List, S.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Atomistic evalution of diffusion theories for the diffusion of dopants in vacancy gradients
List, S.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Comparison of retrograde and conventional p-wells in regard latch-up susceptibility
Bogen, S.; Gong, L.; Frey, L.; Ryssel, H.; Körber, K.
Zeitschriftenaufsatz
1995Determination of vacancy concentration in float zone and Czochralski silicon
Jacob, M.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Gambaro, D.; Falster, R.
Konferenzbeitrag
1995Gitterdeformation in Silicium nach Implantationen von Phosphor
Remmler, M.; Frey, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1995High-dose Ge+ implantation into silicon at elevated substrate temperature
Chen, N.X.; Schork, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Improved delineation technique for two dimensional dopant profiling
Gong, L.; Petersen, S.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Ion-beam mixed ultra-thin cobalt silicide (CoSi2) films by cobalt sputtering and rapid thermal annealing
Kal, S.; Kasko, I.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Local material removal by focused ion beam milling and etching
Lipp, S.; Frey, L.; Franz, G.; Demm, E.; Petersen, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Local material removal by focused ion beam milling and etching
Lipp, K.; Frey, L.; Franz, G.; Demm, E.; Petersen, S.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1995Model for the electronic stopping of channeled ions in silicon around the stopping power maximum
Simionescu, A.; Hobler, G.; Bogen, S.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Modeling dynamic clustering of arsenic including non-neglible concentration of arsenic-point defect pairs
Bauer, H.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Nitrogen implanted etch-stop layers in silicon
Paneva, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.; Burte, E.P.
Konferenzbeitrag
1995On the implantation models for simulation of the FOND devices
Burenkov, A.; List, S.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1995Phosphourus-enhanced diffusion of antimony due to generation of self-interstitials
Pichler, P.; Ryssel, H.; Ploß, R.; Bonafos, C.; Claverie, A.
Zeitschriftenaufsatz
1995Platinum diffusion at low temperatures
Jacob, M.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Falster, R.
Konferenzbeitrag
1995Preparation and characterization of ultra-thin cobalt silicide for VLSI applications
Kal, S.; Kasko, I.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1995Recombination of charge carriers in buried layers formed by high energy oxygen or carbon implantation into silicon
Bogen, S.; Frey, L.; Herder, M.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1995Statistical accuracy and CPU-time characteristic of three trajectory split methods for Monte-Carlo simulation of ion implantation
Bohmayr, W.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Konferenzbeitrag
1995Strain profiles in phosphorus implanted /100/-silicon
Remmler, M.; Frey, L.; Horvath, Z.E.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1995Trajectory split method for Monte-Carlo simulation of ion implantation
Bohmayr, W.; Burenkov, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Selberherr, S.
Zeitschriftenaufsatz
1995Ultrasonic transducer with silicon. A well known material with new applications
Paneva, R.; Temmel, G.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1994Analytical description of high energy implantation profiles of bordon and phosphorus into crystalline silicon
Gong, L.; Bogen, S.; Frey, L.; Jung, W.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Applications of single-beam photothermal analysis
Schork, R.; Krügel, S.; Schneider, C.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Calculation of the transport matrix for the coupled diffusion of dopants and vacancies
List, S.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Dynamic behavior of arsenic clusters in silicon
Bauer, H.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1994Enhanced diffusion of antimony caused by phosphorus diffusion at high concentrations
Pichler, P.; Ryssel, H.; Wallmann, G.; Ploß, R.
Konferenzbeitrag
1994Das europäische Mikroelektronikprogramm Jessi auf Erfolgskurs
Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994High dose and intense implantation of the multiply charged Al plus n, Ti plus n and C plus n into alfa-iron
Pogrebnjak, A.D.; Bakharev, O.G.; Martynenko, V.A.; Rudenko, V.A.; Brusa, R.; Zecca, A.; Ryssel, H.; Tikhomirov, I.A.; Ryabchikov, A.I.; Öchsner, R.
Zeitschriftenaufsatz
1994Investigation of the effect of altered defect structure produced by photon assisted the diffusion of As in silicon during thermal anneallagation
Biro, L.P.; Gyulai, J.; Bogen, S.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Ion-beam induced CoSi2 layers - formation and contact properties.
Dehm, C.; Kasko, I.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Ion-beam mixing of Co-Si and Co-SiO2 - a comparison between Monte Carlo simulations experiments
Kasko, I.; Dehm, C.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Nuclear microprobe application to semiconductor process development - silicide formation and multi-layered structure
Takai, M.; Katayama, Y.; Lohner, T.; Kinomura, A.; Ryssel, H.; Tsien, P.H.; Satou, M.; Chayahara, A.; Burte, E.P.
Zeitschriftenaufsatz
1994Observation of local SIMOX layers by microprobe RBS
Kinomura, A.; Horino, Y.; Mokuno, Y.; Chayahara, A.; Kiuchi, M.; Fujii, K.; Takai, M.; Lohner, T.; Ryssel, H.; Schork, R.
Zeitschriftenaufsatz
1994Reflection approach for the analytical description of light ion implantation into bilayer structures
Wierzbicki, R.J.; Biersack, J.P.; Barthel, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1994Simulation of buried layer experiments containing all four dopant species
Ghaderi, K.; Hobler, G.; Budil, M.; Pötzl, H.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Hansch, W.; Eisele, I.; Tian, C.; Stingeder, G.
Konferenzbeitrag
1994Single crystal growth of Si-Ge alloy by ion implantation and sequential rapid thermal
Kal, S.; Kasko, I.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Atomistic evaluation of diffusion theories for the diffusion of dopants in vacancy gradients
List, S.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1993Contamination control and ultrasensitive chemical analysis
Ryssel, H.; Frey, L.; Streckfuß, N.; Schork, R.; Kroninger, F.; Falter, T.
Zeitschriftenaufsatz
1993Diffusion and activation of arsenic implanted at high temperature in silicon
Yu, Y.H.; Schork, R.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Effect of ion-beam mixing temperature on cobalt silicide formation
Kasko, I.; Dehm, C.; Frey, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Halbleiterfertigungsgeräte und -materialien bilden eine wichtige Voraussetzung für die moderne IC-Herstellung
Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993High energy implantation of high10 B and high11 B into -100- silicon in channel and in random
Gong, L.; Frey, L.; Bogen, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Improvement of surface properties of polymers by ion implantation
Öchsner, R.; Kluge, A.; Zechel-Malonn, S.; Gong, L.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Influence of impurities on ion beam induced TiSi2 formation
Dehm, C.; Raum, B.; Kasko, I.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993A novel delineation technique for 2D-profiling of dopants in crystalline silicon
Gong, L.; Frey, L.; Bogen, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1993Photon assisted implantation -PAI-
Biro, L.P.; Gyulai, J.; Ryssel, H.; Frey, L.; Kormany, T.; Tuan, N.M.
Zeitschriftenaufsatz
1993Residual stress during local SIMOX process - Raman measurement and simulation
Seidl, A.; Takai, M.; Sayama, H.; Haramura, K.; Ryssel, H.; Schork, R.; Kato, K.
Zeitschriftenaufsatz
1992Characterization of metal impurities in silicon-on-insulator material
Frey, L.; Kroninger, F.; Streckfuß, N.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1992Direct experimental evidence for diffusion of dopants via pairs with intrinsic point defects
Pichler, P.; Schork, R.; Klauser, T.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1992The effect of ion implantation on the lifetime of punches
Öchsner, R.; Kluge, A.; Ryssel, H.; Stepper, M.; Straede, C.; Politiek, J.
Konferenzbeitrag
1992The effect of ion implantation on the lifetime of punches
Öchsner, R.; Kluge, A.; Ryssel, H.; Stepper, M.; Straede, C.; Politiek, J.
Konferenzbeitrag
1992Ellipsometer zur in-situ-Schichtdickenmessung
Berger, R.; Ryssel, H.; Schneider, C.; Aderhold, W.
Patent
1992Evaluation of the point defect bulk recombination rate by ion implantation at high temperatures.
Klauser, T.; Pichler, P.; Ryssel, H.; Schork, R.
Zeitschriftenaufsatz
1992Gold and platinum diffusion. The key to the understanding of intrinsic point defect behaviour in silicon
Zimmermann, H.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1992High energy ion implantation for semiconductor application at Fraunhofer-AIS, Erlangen
Frey, L.; Bogen, S.; Gong, L.; Jung, W.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1992In situ measurement for resist thickness control and development endpoint detection
Roeder, G.; Ryssel, H.; Temmel, G.
Konferenzbeitrag
1992Influence of low-dose ion-beam mixing on CoSi2 formation
Kasko, I.; Dehm, C.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1992Interaction between Co and SiO2 during ion-beam mixing and rapid thermal annealing
Dehm, C.; Kasko, I.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1992An investigation of vacancy concentrations in bulk silicon
Zimmermann, H.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1992The modelling of platinum diffusion in silicon under non-equilibrium conditions
Zimmermann, H.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1992Reduction of friction and wear by ion-implanted carbonized photoresit
Bogen, S.; Gyulai, J.; Kluge, A.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1992Reduction of friction and wear by ion-implanted carbonized photoresit
Bogen, S.; Gyulai, J.; Kluge, A.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1992Shallow, titanium-silicided p and n junction formation by triple germanium amorphization
Dehm, C.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1992Simulation of the step coverage for chemical vapor deposited silicon dioxide
Wille, H.; Burte, E.P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1992Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Solarelementen mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen
Ryssel, H.
Patent
1991Carrier concentration profiles by high-energy boron ion implantation into silicon
Sayama, H.; Takai, M.; Namba, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1991Characterization and wear tests of steel surfaces implanted with oxygen, aluminium, and carbon dioxide
Langguth, K.; Kluge, A.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1991Cobalt silicide formation caused by arsenic ion beam mixing and rapid thermal annealing
Burte, E.P.; Min, Y.; Pei-Hsin, T.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1991Direct determination of point-defect equilibrium concentrations
Zimmermann, H.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1991Effect of deposition temperature of arsenic implanted poly-Si-on-insulator on grain size and residual stress
Takai, M.; Kato, K.; Namba, S.; Pfannenmüller, U.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1991Formation and contact properties of titanium-silicided shallow junctions
Dehm, C.; Gyulai, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1991Formation of cobalt silicide by ion beam mixing
Burte, E.P.; Min, Y.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1991Oblique ion implantation into nonplanar targets
Takai, M.; Namba, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1991Observation of inverse u-shaped profiles after platinum diffusion in silicon
Zimmermann, H.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1991Radiation-enhanced diffusion during high-temperature ion implantation
Schork, R.; Kluge, A.; Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1990Meßtechnik und Analytik für Halbleiterfertigungsgeräte
Eichinger, P.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Schneider, C.
Konferenzbeitrag
1990Sicherheit bei Halbleiterfertigungsgeräten
Streckfuß, N.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Ryzlewicz, C.
Tagungsband
1990Simulation of silicon semiconductor processing
Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1990Trends in practical process simulation.
Pichler, P.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1990Untersuchungen über Regelparameter in einer Lithographiezelle
Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Temmel, G.; Zielonka, G.
Konferenzbeitrag
1989Chemical and physical processes during the formation of MoSi2 by ion-beam mixing
Möller, W.; Ryssel, H.; Valyi, G.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1989Entwicklung von Prozessmodulen und in-situ-Meßmethoden für ein Flexibles Fotolithografisches Prozeßzentrum
Temmel, G.; Zielonka, G.; Olbrich, H.; Mann, R.; Pfitzner, L.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1989A flexible target chamber for a Varian 350 DF implanter
Kluge, A.; Ryssel, H.; Schork, R.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1989Improvements in simulation at 2d implantation profiles
Gong, L.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1989Internal process control and automation for semiconductor manufacturing equipment
Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Schneider, C.
Konferenzbeitrag
1989International process control and automation for semiconductor manufacturing equipment
Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Schneider, C.
Konferenzbeitrag
1989Ion implantation in single-crystal magnetic ferrite.
Takai, M.; Lu, Y.F.; Minamisono, T.; Namba, S.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1989Ion-beam mixed MoSi2 layers - formation and contract properties
Dehm, C.; Gyulai, J.; Ryssel, H.; Valyi, G.
Konferenzbeitrag
1989One- and two-dimensional process simulation with ICECREM and COMPLAN.
Pichler, P.; Dürr, R.; Holzer, N.; Schott, K.; Barthel, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1989Programs for VLSI process simulation
Pichler, P.; Lorenz, J.; Pelka, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1989Prozeßtechnische Aspekte fortschrittlicher Halbleiterfertigungsgeräte
Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Schmutz, W.
Zeitschriftenaufsatz
1989Simulation halbleitertechnologischer Prozess-Schritte in der Mikroelektronik
Lorenz, J.; Pelka, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1989Simulation of the lateral spread of implanted ions - experiments
Gong, L.; Barthel, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1989Two-dimensional simulation of ion implantation profiles using a personal computer
Barthel, A.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1989A versatile ion implanter for material modification
Kluge, A.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz, Konferenzbeitrag
1988A comparison of the wear behavior of Ag, B, C, N, Pb and Sn implanted steels with 1.5 to 1.8 % chromium
Langguth, K.; Kobs, K.; Kluge, A.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Tagungsband
1988CW argon-laser induced zone-melting recrystallization of thin silicon on oxide.
Ryssel, H.; Götzlich, J.; Steinberger, H.; Qiuxia, X
Zeitschriftenaufsatz
1988CW argon-laser-induced zone-melting recrystallization of thin silicon on oxide
Ryssel, H.; Götzlich, J.; Qiuxia, X; Steinberger, H.
Zeitschriftenaufsatz
1988Examination of wear, hardness and friction of N, B, C, Ag, Pb and Sn implanted steels with different chromium content
Langguth, K.; Kobs, K.; Kluge, A.; Öchsner, R.; Ryssel, H.
Tagungsband
1988The influence of implantation parameters and annealing conditions on the formation and properties of MoSi2 layers.
Dehm, C.; Möller, W.; Ryssel, H.; Valyi, G.
Aufsatz in Buch
1988Safety aspects of ion implantation.
Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1988Safety consideration for ion implanters.
Hamers, P.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1987Adhesive and abrasive wear study of nitrogen implanted steels
Kobs, K.; Dimingen, H.; Leutenecker, R.; Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1987Comparison of Monte Carlo simulations and analytical models for the calculation of implantation profiles in multilayer targets
Krueger, W.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1987Enhanced endurance life of sputtered MoSX filsm on steel by ion beam mixing.
Kobs, H.; Dimigen, H.; Hübsch, H.; Tolle, H.J.; Leutenbecker, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1987The fabrication and investigation of MoSi2 layers
Valyi, G.; Ryssel, H.; Möller, W.
Konferenzbeitrag
1987Ion implantation into non-planar targets - Monto Carlo simulations and analytical models
Krueger, W.; Lorenz, J.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1987Monte Carlo ion implantation and COMPOSITE
Lorenz, J.; Ryssel, H.; Barthel, A.
Konferenzbeitrag
1987Prozeßüberwachung bei Halbleiterfertigungsgeräten
Ryssel, H.; Pfitzner, L.
Konferenzbeitrag
1987Studie über den Stand der Technik und zukünftige Anforderungen an Fertigungseinrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Berücksichtigung verschiedener Herstellungsverfahren
Aderhold, W.; Frühauf, W.; Herz, R.; Kahlden, T. von; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Sauter, K.-D.; Schmutz, W.; Schraft, R.D.
Studie
1986Anforderungen an den Reinraum aus der Sicht der Halbleitertechnologie
Ryssel, H.; Pfitzner, L.
Konferenzbeitrag
1986Improved tribilogical properties of sputtered MoSx films by ion beam mixing
Kobs, K.; Dimigen, H.; Huebsch, H.; Tolle, H.J.; Leutenecker, R.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1986Ion implantation models for process simulation. Chapter 2
Ryssel, H.; Biersack, J.P.
Aufsatz in Buch
1986Mikroelektronik und Reinraumtechnik
Ryssel, H.
Konferenzbeitrag
1986Models for implantation into multilayer targets
Ryssel, H.; Lorenz, J.; Hoffmann, K.
Zeitschriftenaufsatz
1986Neue Technologien fuer hoechstintegrierte Schaltkreise
Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1986Studie ueber den Stand der Technik und zukuenftige Anforderungen an Fertigungseinrichtunen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Beruecksichtigungen verschiedener Herstellungsverfahren
Aderhold, W.; Fruehauf, W.; Herz, R.; Kahlden, T. von; Pfitzner, L.; Ryssel, H.; Sauter, K.-D.; Schmutz, W.; Schraft, R.D.
Studie
1985COMPOSITE - A complete modelling program of silicon technology
Pelka, J.; Lorenz, J.; Ryssel, H.; Sachs, A.; Seidl, S.; Svoboda, M.
Zeitschriftenaufsatz
1983Anwendung des Laserausheilens fuer Halbleiterbauelemente
Ryssel, H.; Goetzlich, J.
Zeitschriftenaufsatz
1983CO2-laser annealing of ion implanted silicon - relaxation characteristics of metastable concentrations
Goetzlich, J.; Tsien, P.H.; Henghuber, G.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1983Implantation and diffusion models for process simulation
Ryssel, H.; Prinke, G.; Hoffmann, K.
Aufsatz in Buch
1983Implantation doping of germanium with Be, Mg, Zn und B-ions
Metzger, M.; Zhang, Z.; Schmiedt, B.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1983Ion beam lithography
Ryssel, H.; Haberger, K.
Aufsatz in Buch
1983Laser annealing
Ryssel, H.; Goetzlich, J.
Aufsatz in Buch
1983Simulation of the lithographic properties of ion-beam resists
Haberger, K.; Hoffmann, K.; Forster, M.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1983Studies on the lattice position of boron in silicon
Fink, D.; Carstanjen, H.D.; Jahnel, F.; Muller, K.; Ryssel, H.; Osei, A.; Biersack, J.P.
Zeitschriftenaufsatz
1982Ion beam exposure of resists.
Ryssel, H.; Prinke, G.; Bernt, H.; Haberger, K.; Hoffmann, K.
Zeitschriftenaufsatz
1982Ion implantation for very large scale integration.
Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1982Ion Implantation.
Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1982Non-electrical measuring techniques.
Eichinger, P.; Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1982Range distributions.
Ryssel, H.
Aufsatz in Buch
1981Annealing of boron-implanted silicon using a CW CO2-laser.
Tsien, P.H.; Tsou, S.C.; Takai, M.; Roeschenthaler, D.; Ramin, M.; Ryssel, H.; Ruge, I.; Wittmaack, K.
Zeitschriftenaufsatz
1981Arsenic implanted polysilicon layers.
Ryssel, H.; Bleier, M.; Prinke, G.; Haberger, K.; Kranz, H.; Iberl, F.
Zeitschriftenaufsatz
1981CO2 laser annealing characteristics of high-dose boron and arsenic-implanted silicon.
Tsien, P.H.; Goetzlich, J.; Ryssel, H.; Ruge, I.
Zeitschriftenaufsatz
1981Description of arsenic and boron profiles implanted into SiO2, Si3N4, and Si using Pearson distributions with four moments.
Jahnel, J.; Ryssel, H.; Prinke, G.; Hoffmann, K.; Mueller, K.; Henkelmann, R.; Biersack, J.P.
Zeitschriftenaufsatz
1981Ion beam sensitivity of polymer resists.
Ryssel, H.; Haberger, K.; Kranz, H.
Zeitschriftenaufsatz
1981Nd-YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon - dependence upon scanning speed and power density.
Tsien, P.H.; Ryssel, H.; Roeschenthaler, D.; Ruge, I.
Zeitschriftenaufsatz
1981Nd-YAG laser annealing of arsenic-implanted silicon - Relaxation of metastable concentration by means of CO2-laser irradiation.
Tsien, P.H.; Ryssel, H.; Roeschenthaler, D.; Ruge, I.
Zeitschriftenaufsatz
1981Nd-YAG laser annealing of gallium-implanted silicon.
Takai, M.; Tsou, S.C.; Tsien, P.H.; Roeschenthaler, D.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1981Resist investigation for ion-beam lithography.
Ryssel, H.; Kranz, H.; Haberger, K.; Bosch, J.
Konferenzbeitrag
1981Tapered windows in SiO2, Si3N4, and polysilicon layers by ion implantation.
Goetzlich, G.; Ryssel, H.
Zeitschriftenaufsatz
1980Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitern mittels Ionenimplantation
Ryssel, H.
Patent