Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
1998Mixed signal integrated circuits based on GaAs HEMTs
Thiede, A.; Wang, Z.-G.; Schlechtweg, M.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Hurm, V.; Rieger-Motzer, M.; Ludwig, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Hornung, J.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M.
Zeitschriftenaufsatz
199710 Gb/s single-chip data regeneration with an injection
Wang, Z.-G.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schlechtweg, M.
Konferenzbeitrag
199720-40 Gb/s 0.2-mu m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
Lang, M.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Schlechtweg, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
199735-GHz static and 48-GHz dynamic frequency divider IC's using 0.2-mu m AlGaAs/GaAs-HEMT's
Lao, Z.; Bronner, W.; Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Hülsmann, A.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Sedler, M.
Zeitschriftenaufsatz
199740 GHz monolithically-integrated fully-balanced VCO using 0.3 mu m HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Jakobus, T.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
199745 Gbit/s AlGaAs/GaAs HEMT multiplexer IC
Lao, Z.; Nowotny, U.; Thiede, A.; Hurm, V.; Kaufel, G.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Seibel, J.; Hülsmann, A.
Zeitschriftenaufsatz
1997A completely integrated single-chip PLL with a 34 GHz VCO using 0.2 mu m E-/D-HEMT-technology
Lang, M.; Leber, P.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
1997Experimental results of on-chip center-tapped microwave transformers
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Bosch, R.; Raynor, B.; Rieger-Motzer, M.
Konferenzbeitrag
1997GaAs HEMT ICs for 40 Gbit/s data transmission systems
Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
1997High power modulator driver ICs up to 30 Gb/s with AlGaAs/GaAs HEMTs
Lao, Z.; Thiede, A.; Nowotny, U.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Bronner, W.; Hornung, J.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.
Konferenzbeitrag
1997Low-power 20 Gbit/s data decision and 17 GHz static frequency divider ICs with 1.5 V supply voltage
Lao, Z.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Seibel, J.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1997Mixed signal circuits based on a 0.2 mu m gate length AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Wang, Z.-G.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Fink, T.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M.
Konferenzbeitrag
1997Sub-nanosecond access time 2k sine-cosine ROM in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Bushehri, E.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hornung, J.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199610 and 20 Gbit/s clock recovery GaAs IC with 288 deg phase-shifting function
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
199620-40 Gbit/s 0.2 mu m GaAs HEMT chip set for optical data receiver
Berroth, M.; Lang, M.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Schneider, J.
Konferenzbeitrag
199631 GHz static and 39 GHz dynamic frequency divider ICs using 0,2 mu m-AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Thiede, A.; Hurm, V.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
199640 and 20 Gbit/s monolithic integrated clock recovery using a fully-balanced narrowband regenerative frequency divider with 0.2 mu m AlGaAs/GaAs HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996Circuit techniques for 10 and 20 Gb/s clock recovery using a fully balanced narrowband regenerative frequency divider with 0.3 mu m HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.; Briggmann, D.
Konferenzbeitrag
1996Low power data decision IC for 20-40 Gbit/s data links using 0.2 mu m AlGaAs/GaAs HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J.
Zeitschriftenaufsatz
1996A monolithic 24.9 GHz limiting amplifier using 0.2 mu m-AlGaAs/GaAs-HEMTs
Lao, Z.; Berroth, M.; Hurm, V.; Rieger-Motzer, M.; Thiede, A.; Bronner, W.; Hülsmann, A.; Raynor, B.
Konferenzbeitrag
199517 GHz broadband amplifier with 25 dB gain using a 0.3 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology
Lang, M.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Hoffmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Wang, Z.-G.
Zeitschriftenaufsatz
199530 GHz static frequency divider using a 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMT technology
Lang, M.; Berroth, M.; Rieger-Motzer, M.; Hülsmann, A.; Hoffmann, P.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.
Zeitschriftenaufsatz
1995Single-chip 4 bit 35 GHz phase-shifting receiver with a Gb/s digital interface circuitry
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Sedler, M.; Seibel, J.; Rieger-Motzer, M.; Raynor, B.; Bronner, W.; Fink, T.; Huder, B.; Rittmayer, R.; Schroth, J.
Konferenzbeitrag