Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
20173D wafer level packaging by using Cu-through silicon vias for thin MEMS accelerometer packages
Hofmann, L.; Schubert, I.; Wuensch, D.; Ecke, R.; Vogel, K.; Gottfried, K.; Reuter, D.; Rennau, M.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Zeitschriftenaufsatz
2016Study on TSV isolation liners for a Via Last approach with the use in 3D-WLP for MEMS
Hofmann, L.; Fischer, T.; Werner, T.; Selbmann, F.; Rennau, M.; Ecke, R.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Zeitschriftenaufsatz
20153d Wafer Level Packaging By Using Cu-Through Silicon Vias For Thin Mems Accelerometer Packages
Hofmann, L.; Reuter, D.; Schubert, I.; Wuensch, D.; Rennau, M.; Ecke, R.; Vogel, K.; Gottfried, K.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2015Back-end-of-line compatible contact materials for carbon nanotube based interconnects
Fiedler, H.; Toader, M.; Hermann, S.; Rennau, M.; Rodriguez, R.D.; Sheremet, E.; Hietschold, M.; Zahn, D.R.T.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Zeitschriftenaufsatz
2015Micro welding of aluminum for post process electrode gap reduction using femtosecond laser
Meinecke, C.; Mueller, M.; Rennau, M.; Bertz, A.; Ebert, R.; Reuter, D.; Exner, H.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2015Technologieentwicklung einer post-process Elektrodenspaltverringerung zur Herstellung von hochauflösenden Sensorsystemen
Meinecke, C.; Mueller, M.; Rennau, M.; Reuter, D.; Ebert, R.; Bertz, A.; Exner, H.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2014Carbon nanotube based via interconnects: Performance estimation based on the resistance of individual carbon nanotubes
Fiedler, H.; Toader, M.; Hermann, S.; Rodriguez, R.D.; Sheremet, E.; Rennau, M.; Schulze, S.; Waechtler, T.; Hietschold, M.; Zahn, D.R.T.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Zeitschriftenaufsatz
2014Interface Resistance of Carbon-Nanotube-Based Interconnects
Fiedler, H.; Toader, Marius; Hermann, S.; Rennau, M.; Rodriguez, Raul D.; Sheremet, E.; Zahn, Dietrich R.T.; Hietschold, Michael; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2014Localization length of integrated multi-walled carbon nanotubes
Fiedler, H.; Hermann, S.; Rennau, M.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2012Distinguishing between individual contributions to the via resistance in carbon nanotubes based interconnects
Fiedler, H.; Toader, M.; Hermann, S.; Rodriguez, R.D.; Sheremet, E.; Rennau, M.; Schulze, S.; Waechtler, T.; Hietschold, M.; Zahn, D.R.T.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Zeitschriftenaufsatz
2009Hermetic thin film encapsulation of mechanical transducers for smart label applications
Reuter, D.; Nowack, M.; Rennau, M.; Bertz, A.; Wiemer, M.; Kriebel, F.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2008Optical, electrical and structural properties of spin-on MSQ low-k dielectrics over a wide temperature range
Ahner, N.; Schulz, S.E.; Blaschta, F.; Rennau, M.
Konferenzbeitrag
2007Influence of barrier crystallization on CV characteristics of MIS structures
Ecke, R.; Rennau, M.; Zimmermann, S.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2007Thermal stability and gap-fill properties of spin-on MSQ low-k dielectrics
Ahner, N.; Schulz, S.E.; Blaschta, F.; Rennau, M.
Konferenzbeitrag
2007Wafer-Level Active Testing of Capacitive Inertial Sensors
Nowack, M.; Reuter, D.; Rennau, M.; Bertz, A.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2005Scaling down thickness of ULK materials for 65 nm node and below and its effect on electrical performance
Frühauf, S.; Himcinschi, C.; Rennau, M.; Schulze, K.; Schulz, S.E.; Friedrich, M.; Gessner, T.; Zahn, D.R.T.; Le, Q.T.; Caluwaerts, R.
Konferenzbeitrag
2003Thermal conductivity of ultra low-k dielectrics
Delan, A.; Rennau, M.; Schulz, S.E.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag
2001Influence of different treatment techniques on the barrier properties of MOCVD TiN against copper diffusion
Riedel, S.; Schulz, S.E.; Baumann, J.; Rennau, M.; Gessner, T.
Konferenzbeitrag