Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
1998Monolithic integration of a GaInAs PIN photodiode and AlGaAs/GaAs/AlGaAs HEMTs on GaAs substrate
Bronner, W.; Benz, W.; Dammann, M.; Ganser, P.; Grün, N.; Hurm, V.; Jakobus, T.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Olander, E.
Konferenzbeitrag
199620 Gbit/s fully integrated MSM-photodiode AlGaAs/GaAs-HEMT optoelectronic receiver
Hurm, V.; Benz, W.; Berroth, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Ludwig, M.; Olander, E.; Raynor, B.; Rosenzweig, J.
Zeitschriftenaufsatz
1994Molecular beam epitaxy and technology for the monolithic integration of quantum well lasers and AlGaAs/GaAs/AlGaAs-HEMT electronics
Bronner, W.; Hornung, J.; Köhler, K.; Olander, E.
Konferenzbeitrag
19937.4 Gbit/s monolithically integrated GaAs/AlGaAs laser diode-laser driver structure.
Hornung, J.; Wang, Z.-G.; Bronner, W.; Olander, E.; Köhler, K.; Ganser, P.; Raynor, B.; Benz, W.; Ludwig, M.
Zeitschriftenaufsatz
1993Integration of a quantum well laser with AlGaAs/GaAs-HEMT electronics.
Bronner, W.; Hornung, J.; Köhler, K.; Olander, E.; Wang, Z.-G.
Konferenzbeitrag
1991GaAs/AlGaAs HEMT's with sub 0.5 mym gatelength written by E-beam and recessed by dry-etching for direct-coupled FET logic -DCFL-
Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Glorer, K.H.; Olander, E.; Weismann, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Koehler, K.
Konferenzbeitrag
1989Properties of WSix-Schottky diodes on n-type GaAs sputtered under UHV background conditions
Pletschen, W.; Kaufel, G.; Maier, M.; Olander, E.; Wiegert, J.; Bachem, K.H.; Rupprecht, H.S.
Konferenzbeitrag