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| 2011 | Dual-gate GaN MMICs for MM-wave operation
Quay, R.; Tessmann, A.; Kiefer, R.; Maroldt, S.; Haupt, C.; Nowotny, U.; Weber, R.; Massler, H.; Schwantuschke, D.; Seelmann-Eggebert, M.; Leuther, A.; Mikulla, M.; Ambacher, O. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2006 | InP DHBT based IC technology for over 80 Gbit/s data communications
Driad, R.; Makon, R.E.; Schneider, K.; Nowotny, U.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Weimann, G. | Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz |
| 2005 | InP DHBT-based IC technology for high-speed data communications
Driad, R.; Schneider, K.; Makon, R.E.; Lang, M.; Nowotny, U.; Aidam, R.; Quay, R.; Schlechtweg, M.; Mikulla, M.; Weimann, G. | Konferenzbeitrag |
| 2004 | Millimeter-wave and mixed-signal integrated circuits based on advanced metamorphic HEMT technology
Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Schwörer, C.; Massler, H.; Reinert, W.; Lang, M.; Nowotny, U.; Kappeler, O.; Walther, M.; Lösch, R. | Konferenzbeitrag |
| 2004 | A novel method to linearise phase response of single-ended to differential converters for high bit rates
Michel, N.; Weber, N.; Humpfer, H.; Nowotny, U.; Lang, M. | Konferenzbeitrag |
| 2003 | High-speed III-V HEMT and HBT devices and circuits for ETDM transmission beyond 80 Gbit/s
Quay, R.; Schlechtweg, M.; Leuther, A.; Lang, M.; Nowotny, U.; Kappeler, O.; Benz, W.; Ludwig, M.; Leich, M.; Driad, R.; Bronner, W.; Weimann, G. | Konferenzbeitrag |
| 2003 | Integrated circuits based on 300 GHz f(T) metamorphic HEMT technology for millimeter-wave and mixed-signal applications
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Schwörer, C.; Lang, M.; Nowotny, U.; Kappeler, O. | Konferenzbeitrag |
| 2002 | 66 GHz 2:1 static frequency divider using 100 nm metamorphic enhancement HEMT technology
Lang, M.; Leuther, A.; Benz, W.; Nowotny, U.; Kappeler, O.; Schlechtweg, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 2001 | Analyse und Optimierung eines Flip-Flop in SCFL-Technik mit pseudomorphen HEMTs
Meyer, M.
: Jansen, D. (Prüfer); Nowotny, U. (Prüfer) | Diplomarbeit |
| 1998 | 40 Gb/s high-power modulator driver IC for lightwave communication systems
Lao, Z.; Thiede, A.; Nowotny, U.; Lienhart, H.; Hurm, V.; Schlechtweg, M.; Hornung, J.; Bronner, W.; Köhler, K.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Jakobus, T. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1998 | Mixed signal integrated circuits based on GaAs HEMTs
Thiede, A.; Wang, Z.-G.; Schlechtweg, M.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Hurm, V.; Rieger-Motzer, M.; Ludwig, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Hornung, J.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1997 | 45 Gbit/s AlGaAs/GaAs HEMT multiplexer IC
Lao, Z.; Nowotny, U.; Thiede, A.; Hurm, V.; Kaufel, G.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Seibel, J.; Hülsmann, A. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1997 | GaAs HEMT ICs for 40 Gbit/s data transmission systems
Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G.; Lao, Z.; Thiede, A.; Rieger-Motzer, M.; Bronner, W.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | High power modulator driver ICs up to 30 Gb/s with AlGaAs/GaAs HEMTs
Lao, Z.; Thiede, A.; Nowotny, U.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Bronner, W.; Hornung, J.; Rieger-Motzer, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Hülsmann, A. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Mixed signal circuits based on a 0.2 mu m gate length AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Schlechtweg, M.; Hurm, V.; Wang, Z.-G.; Lang, M.; Leber, P.; Lao, Z.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Köhler, K.; Bronner, W.; Fink, T.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Jakobus, T.; Schroth, J.; Berroth, M. | Konferenzbeitrag |
| 1997 | Sub-nanosecond access time 2k sine-cosine ROM in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well HEMT technology
Thiede, A.; Bushehri, E.; Nowotny, U.; Rieger-Motzer, M.; Sedler, M.; Bronner, W.; Hornung, J.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1995 | 17 GHz-bandwidth 17dB-gain 0.3 micrometer-HEMT low power limiting amplifier
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Hurm, V.; Lang, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Konferenzbeitrag |
| 1995 | Monolithic integrated optoelectronic circuits
Berroth, M.; Bronner, W.; Fink, T.; Hornung, J.; Hurm, V.; Jakobus, T.; Köhler, K.; Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G. | Konferenzbeitrag |
| 1995 | Monolithic integrated optoelectronic circuits for optical links
Berroth, M.; Bronner, W.; Fink, T.; Hornung, J.; Hurm, V.; Jakobus, T.; Köhler, K.; Lang, M.; Nowotny, U.; Wang, Z.-G. | Konferenzbeitrag |
| 1994 | 7.5 Gb/s monolithically integrated clock recovery circuit using PLL and 0.3 micro-meter gate length well HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1994 | An 800 MSps Track and hold using a 0.3 µm AlGaAs-HEMT-technology
Rohmer, G.; Seitzer, D.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Schneider, J.; Sauerer, J. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | An 18-34 GHz dynamic frequency divider based on 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Bosch, R.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | An 18-34 GHz dynamic frequency divider based on 0.2 mym AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum-well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Bosch, R.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | 28-51 GHz dynamic frequency divider based on 0.15 mym T-gate Al0.2Ga0.8As/In0.25Ga0.75As MODFETs.
Thiede, A.; Tasker, P.J.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Bronner, W.; Schlechtweg, M.; Berroth, M.; Braunstein, J.; Nowotny, U. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1993 | A 3.6 Gigasample/s 5 bit analog to digital converter using 0.3 mu m AlGaAs-HEMT technology
Oehler, F.; Sauerer, J.; Hagelauer, R.; Seitzer, D.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Schneider, J. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | 7.5 Gb/s monolithically integrated clock recovery using PLL and 0.3 mym gate length quantum well HEMTs
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Konferenzbeitrag |
| 1993 | Integrated laser-diode voltage driver for 20-Gb/s optical systems using 0.3-mym gate length quantum-well HEMT's.
Wang, Z.-G.; Berroth, M.; Nowotny, U.; Ludwig, M.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Köhler, K.; Raynor, B.; Schneider, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1992 | 10-20 Gbit/s GaAs/AlGaAs HEMT ICs for high speed data links
Hurm, V.; Lang, M.; Ludwig, G.; Hülsmann, A.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Wang, Z.-G.; Wennekers, P. | Konferenzbeitrag |
| 1992 | 10-Gb/s bit-synchronizer circuit with automatic timing alignment by clock phase shifting using quantum-well AlGaAs/GaAs/AlGaAs technology.
Hülsmann, A.; Schneider, J.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Nowotny, U.; Raynor, B.; Wennekers, P. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1992 | 15 Gbit/s integrated laser diode driver using 0,3 mym gate length quantum well transistors.
Nowotny, U.; Gotzeina, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Kaufel, G.; Köhler, K.; Wang, Z.-G. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1992 | 16 x 16 bit parallel multiplier based on 6K gate array with 0.3 mym AlGaAs/GaAs quantum well transistors
Thiede, A.; Berroth, M.; Hurm, V.; Nowotny, U.; Seibel, J.; Gotzeina, W.; Sedler, M.; Raynor, B.; Köhler, K.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Schneider, J. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1992 | 18 Gbit/s monolithically integrated 2 to 1 multiplexer and laser driving using 0.3 mym gate length quantum well hemt's.
Nowotny, U.; Bronner, W.; Hofmann, P.; Hülsmann, A.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K.; Wang, Z.-G. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1991 | 10 Gbit/s bit-synchronizer with automatic retiming clock alignement using Quantum Well AlGaAs/GaAs/AlGaAs technology
Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Köhler, K.; Wennekers, P. | Konferenzbeitrag |
| 1991 | 10 Gbit/s low-power bit synchroniser with automatic retiming phase alignment.
Wennekers, P.; Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Köhler, K. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1991 | 11,6 Gbps 1 to 4 demultiplexer using double pulse doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Lang, M.; Nowotny, U.; Berroth, M. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1991 | A 2.5 ns 8x8-b parallel multiplier using 0.5 mym GaAs/GaAlAs heterostructure field effect transistors
Hurm, V.; Nowotny, U.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1991 | 20 Gbit/s 2 to 1 multiplexer using 0.3 mym gate length double pulse doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Nowotny, U.; Lang, M.; Hurm, V.; Hülsmann, A.; Kaufel, G.; Raynor, B.; Schneider, J.; Berroth, M.; Köhler, K. | Zeitschriftenaufsatz |
| 1990 | Extreme low power 1 to 4 demultiplexer using double delta doped Quantum Well GaAs/AlGaAs transistors.
Nowotny, U.; Hurm, V.; Lang, M.; Kaufel, U.; Hülsmann, A.; Scheider, J.; Jakobus, T.; Bachem, K.H.; Berroth, M.; Hoffmann, C.; Köhler, K. | Konferenzbeitrag |