Fraunhofer-Gesellschaft

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2011Investigation of the analysis parameters and background subtraction for high-k materials with atom probe tomography
Mutas, S.; Klein, C.; Gerstl, S.S.A.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2010Comparison of MOCVD- and ALD-deposited $ hbox {HfZrO} {4} gate dielectrics for 32-nm high-performance logic SOI CMOS technologies
Kelwing, T.; Naumann, A.; Trentzsch, M.; Trui, B.; Herrmann, L.; Mutas, S.; Graetsch, F.; Carter, R.; Stephan, R.; Kücher, P.; Hansch, W.
Zeitschriftenaufsatz
2010Investigation of the analysis parameters and background substraction for high-k materials with Atom Probe Tomography
Mutas, S.; Klein, C.; Gerstl, S.S.
Abstract
2010Physical and electrical properties of MOCVD and ALD deposited HfZrO4 gate dielectrics for 32nm CMOS high performance logic SOI technologies
Kelwing, T.; Mutas, S.; Trentzsch, M.; Naumann, A.; Trui, B.; Herrmann, L.; Graetsch, F.; Klein, C.; Wilde, L.; Ohsiek, S.; Weisheit, M.; Peeva, A.; Richter, I.; Prinz, H.; Wuerfel, A.; Carter, R.; Stephan, R.; Kücher, P.; Hansch, W.
Konferenzbeitrag
2009Investigation of boron delta-layers in silicon measured by atom probe tomography (APT)
Klein, C.; Mutas, S.; Würfel, A.; Zschech, E.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz
2009Investigations of field-evaporated end forms in voltage- and laser-pulsed atom probe tomography
Shariq, A.; Mutas, S.; Wedderhoff, K.; Klein, C.; Hortenbach, H.; Teichert, S.; Kücher, P.; Gerstl, S.S.A.
Konferenzbeitrag, Zeitschriftenaufsatz