Fraunhofer-Gesellschaft

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Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.
2016Advanced building blocks for (sub-)millimeter-wave applications in space, communication, and sensing using III/V mHEMT technology
Schlechtweg, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Massler, H.; Moschetti, G.; Rösch, M.; Weber, R.; Hurm, V.; Kuri, M.; Zink, M.; Riessle, M.; Rosenzweig, J.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Low noise amplifiers for MetOp-SG
Rösch, M.; Tessmann, A.; Leuther, A.; Weber, R.; Moschetti, G.; Aja, B.; Kotiranta, M.; Massler, H.; Kangas, V.; Perichaud, M.-G.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2016Stability investigation of large gate-width metamorphic high electron-mobility transistors at cryogenic temperature
Moschetti, G.; Thome, F.; Ohlrogge, M.; Goliasch, J.; Schäfer, F.; Aja, B.; Leuther, A.; Schlechtweg, M.; Seelmann-Eggebert, M.; Ambacher, O.; Wieching, G.; Kotiranta, M.
Zeitschriftenaufsatz
2015A 183 GHz metamorphic HEMT low-noise amplifier with 3.5 dB noise figure
Moschetti, G.; Leuther, A.; Massler, H.; Aja, B.; Rösch, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.; Kangas, V.; Geneviève-Perichaud, M.
Zeitschriftenaufsatz
2015Broadband low-noise GaN HEMT TWAs using an active distributed drain bias circuit
Raay, F. van; Quay, R.; Aja, B.; Moschetti, G.; Seelmann-Eggebert, M.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Konferenzbeitrag
2015On the determination of noise parameters of low-noise transistor devices
Seelmann-Eggebert, M.; Aja, B.; Baldischweiler, B.; Moschetti, G.; Massler, H.; Bruch, D.; Schlechtweg, M.; Ambacher, O.
Zeitschriftenaufsatz
2014Comparison of shallow-mesa InAs/AlSb HEMTs with and without early-protection for long-term stability against Al(Ga)Sb oxidation
Lefebvre, E.; Moschetti, G.; Malmkvist, M.; Desplanque, L.; Wallart, X.; Grahn, J.
Zeitschriftenaufsatz